Ю 20 Юзеева, Н. А. Подвижность электронов в структурах с квантовой ямой in 0,52Al0,48As/In 0,53Gа0,47As на подложке InP / Н. А. Юзеева // Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 5. - С. 19-22 : рис., табл. - Библиогр.: с. 22 (9 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): подложка INP -- ЯМА КВАНТОВАЯ -- НЕМТ -- ПОДВИЖНОСТЬ ЭЛЕКТРОНОВ -- INALAS/INGAAS -- ДИАГРАММЫ ЗОННЫЕ Аннотация: Исследовано влияние изменения ширины квантовой ямы d на подвижности электронов в квантовой яме In 0,52Al 0,48As/In 0,53Gа 0,47AS на подложке InP. Подвижность немонотонно зависит от d. Максимальная подвижность, равная 53 500 см 2/(В • с), наблюдается при d = 160 Å. Получены из эффекта Шубникова — де Гааза и рассчитаны теоретически квантовая и транспортная подвижности электронов. Установлено, что преобладающим типом рассеяния электронов является рассеяние на ионах примеси. Кроме того, рассчитаны зонные диаграммы исследованных структур |