П 76 Применение имплантации ионов кислорода и процесса твердофазной рекристаллизации для улучшения кристаллической структуры кремния на сапфире [Текст] / П. А. Александров [и др.] // Нано- и микросистемная техника . - 2008. - № 3. - С. 54-56 : рис. - Библиогр.: с. 56 (17 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ТВЕРДОФАЗНАЯ РЕКРИСТАЛЛИЗАЦИЯ -- ИМПЛАНТАЦИЯ ИОНОВ -- КИСЛОРОД -- КРЕМНИЙ -- САПФИР |
И 88 Использование имплантации ионов водорода и последующего высокотемпературного отжига для уменьшения дефектности эпитаксиального кремния на сапфире / П. А. Александров [и др.] // Нано- и микросистемная техника . - 2009. - № 9. - С. 30-32 : рис., табл. - Библиогр. : с. 32 (11 назв.) . - ISSN 1813-8586 Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ИМПЛАНТАЦИЯ -- КРЕМНИЙ-НА-САПФИРЕ -- ОТЖИГ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНЫЙ |
Т 21 Тарнавский, Г. А. Имплантация легирующих примесей в подложку кремния с непланарной поверхностью / Г. А. Тарнавский // Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 1. - С. 21-24. - Библиогр. : с. 24 (7 назв.) . - ISSN 1813-8586 Рубрики: МАТЕМАТИКА--ТЕОРИЯ ВЕРОЯТНОСТЕЙ И МАТЕМАТИЧЕСКАЯ СТАТИСТИКА Кл.слова (ненормированные): МОДЕЛИРОВАНИЕ КОМПЬЮТЕРНОЕ -- ЛЕГИРОВАНИЕ КРЕМНИЯ -- ИМПЛАНТАЦИЯ -- ПРИМЕСИ ДОНОРНЫЕ -- ПРИМЕСИ АКЦЕПТОРНЫЕ |
Т 21 Тарнавский, Г. А. Легирование наноколонн рельефа поверхности пластины кремния / Г. А. Тарнавский // Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 6 . - С. 20-24. - Библиогр. : с. 24 (17 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): МОДЕЛИРОВАНИЕ КОМПЬЮТЕРНОЕ -- ЛЕГИРОВАНИЕ КРЕМНИЯ -- ИМПЛАНТАЦИЯ Аннотация: На основе компьютерного моделирования проведено исследование технологического процесса имплантации легирующих примесей акцепторного и донорного типов (бора, фосфора и мышьяка) в кремниевую пластину со сложным поверхностным нанорельефом |
Т 21 Тарнавский, Г. А. Проектирование дислокаций примесей в выступающем элементе нанорельефа поверхности кремниевой пластины / Г. А. Тарнавский, С. С. Чесноков // Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 1. - С. 7-11 : рис. - Библиогр. : с. 11 (11 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): МОДЕЛИРОВАНИЕ КОМПЬЮТЕРНОЕ -- ЛЕГИРОВАНИЕ КРЕМНИЯ -- ИМПЛАНТАЦИЯ -- ПРИМЕСИ ДОНОРНЫЕ И АКЦЕПТОРНЫЕ -- НАНОКОЛОННЫ РЕЛЬЕФА Аннотация: На основе компьютерного моделирования проведено исследование технологического процесса имплантации легирующих примесей акцепторного и донорного типов (бора, фосфора и мышьяка) в кремниевую пластину с выступающим нанорельефом поверхности |
О-75 Особенности синтеза наночастиц серебра в кварцевом стекле при низкоэнергетической ионной имплантации / А. Л. Степанов [и др.] // Российские нанотехнологии. - 2011. - Т. 6, № 7-8. - С. 108-111 : рис. - Библиогр. : с. 111 (19 назв.) . - ISSN 1992-7223
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): СИНТЕЗ НАНОЧАСТИЦ СЕРЕБРА -- СЕРЕБРО -- СТЕКЛО КВАРЦЕВОЕ -- ИМПЛАНТАЦИЯ ИОННАЯ НИЗКОЭНЕРГЕТИЧЕСКАЯ Аннотация: В работе представлены результаты исследования композиционных материалов на основе кварцевого стекла с наночастицами (НЧ) серебра. Синтез НЧ осуществлен методом высокодозовой низкоэнергетической (30 кэВ) имплантации ионов Ag+. После проведения имплантации образцы были подвергнуты термическому отжигу в атмосфере аргона при температуре 300 °С в течение одного часа. Синтезирование НЧ серебра демонстрируют характерную полосу оптического поглощения, связанную с эффектом поверхностного плазменного резонанса (ППР). С ростом ионной дозы наблюдается длинноволновое смещение максимума ППР полосы, которое коррелирует с увеличением размеров полусферических выступов, обнаруженных на поверхности образцов методом атомно-силовой микроскопии. Полученные результаты указывают на увеличение среднего размера НЧ. Показано, что постимплантационный термический отжиг позволяет изменять размеры НЧ, что представляет технологические возможности синтеза НЧ и контроля их размеров в тонком приповерхностном слое диэлектрика |
М 91 Мустафаев, А. Г. Управление технологическим процессом формирования структур интегральных элементов / А. Г. Мустафаев, А. М. Савинова, П. М. Мирзаева // Нано- и микросистемная техника . - 2012. - № 3. - С. 20-23 : рис. - Библиогр. : с. 23 (4 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): УПРАВЛЕНИЕ ПРОЦЕССОМ -- ЭЛЕМЕНТЫ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ -- ПРОЦЕСС ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЙ -- МОДЕЛЬ ТЕХНОЛОГИЧЕСКОГО ПРОЦЕССА Аннотация: Современные технологические процессы формирования структур интегральных элементов обеспечиваются использованием низкотемпературных неравновесных импульсных и радиационно-стимулированных технологических операций. Решение задачи управления технологическими процессами основывается на понимании взаимосвязи между свойствами изделий, особенностями технологии их изготовления и характеристиками оборудования, с помощью которого реализуется эта технология. Разработанные подходы управления технологическими процессами позволяют исключить субъективный фактор и повысить эффективность систем управления. Показано, что основными технологическими операциями, существенно влияющими на выходные характеристики интегральных элементов при их производстве, являются ионная имплантация, отжиг, травление. Исследование и моделирование процессов на этих операциях позволяют выработать рекомендации по управлению и разработать алгоритмы эффективного управления технологическими процессами формирования структур интегральных элементов |
П 53 Получение и свойства ультратонких слоев для изготовления элементов КНИ МДП-нанотранзистора / Т. Ф. Шкляр, Е. П. Дьячкова, О. А. Динисламова, А. П. Сафронов, Д. В. Лейман, Ф. А. Бляхман // Российские нанотехнологии. - 2013. - Т. 8, № 3-4. - С. 89-94 : рис. - Библиогр.: с. 94 (10 назв.) . - ISSN 1992-7223
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): НАНОТРАНЗИСТОР -- СЛОИ УЛЬТРАТОНКИЕ -- ЭЛЕМЕНТЫ КНИ МДП-НАНОТРАНЗИСТОРА -- МЕТОД ВЫСОКОЧАСТОТНОГО МАГНЕТРОННОГО РАСПЫЛЕНИЯ -- ДИЭЛЕКТРИК -- СТРУКТУРА КРИСТАЛЛИЧЕСКАЯ ПЛЕНОК HFO2 -- КНИ-СТРУКТУРА -- СОПРОТИВЛЕНИЕ ПОВЕРХНОСТНОЕ -- ИМПЛАНТАЦИЯ Аннотация: Рассмотрены методы получения и свойства таких элементов КНИ МДП-нанотранзистора, как затвор/подзатворный диэлектрик, области истока/стока и омические контакты. Затворные структуры HfO2(50 нм)/Si (100) и W/HfO2(4 нм)/Si (100) создавались методом высокочастотного магнетронного распыления. Показано, что кристаллическая структура пленок HfO2 и их электрические характеристики (напряжение пробоя) являются взаимосвязанными. Для создания ультрамелких областей стока/истока использовалась высокодозовая плазменно-иммерсионная ионная имплантация бора. В процессе быстрого термического отжига имплантированных слоев обнаружено существенное снижение количества бора у поверхности в КНИ-структуре. Образование омических контактов CoSi2 осуществлялось с использованием структур Ti(8 нм)/Co(10 нм)/Ti(5 нм), сформированных на Si-подложке ориентации (100). Установлено, что образовавшаясяся в результате двухстадийного отжига пленка CoSi2 обладает поверхностным сопротивлением 20 Ом/□ |