О-75 Особенности характеристик КНИ полевых датчиков Холла с двучзатворной управляющей системой типа металл-диэлектрик-полупроводник-диэлектрик-металл [Текст] / М. Л. Бараночников [и др.] // Нано- и микросистемная техника . - 2008. - № 12. - С. 45-48 : рис. - Библиогр. : с. 48 (6 назв.)
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): КНИ-СТРУКТУРА -- ПОЛЕВОЙ ДАТЧИК ХОЛЛА -- ДВУХЗАТВОРНАЯ УПРАВЛЯЮЩАЯ СИСТЕМА -- МОП-ТРАНЗИСТОР -- ТОК-ЗАТВОРНЫЕ И ХОЛЛ-ЗАТВОРНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ Аннотация: Проведены измерения ток-затворных и холл-затворных характеристик КНИ полевых датчиков Холла с двухзатворной управляющей системой типа металл-диэлектрик-полупроводник-диэлектрик-металл. Продемонстрирована возможность управления характеристиками КНИ ПДХ путем раздельного и совместного упрваления потенциалами затворов. |
Р 24 Расчет параметров тестовой структуры МЭМС-акселерометра, изготовленного с использованием КНИ-пластин / И. В. Годовицын [и др.] // Нано- и микросистемная техника . - 2009. - № 12. - С. 39-45 : рис., табл. - Библиогр. : с. 45 (10 назв.) . - ISSN 1813-8586 Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): МЭМС -- КНИ -- АКСЕЛЕРОМЕТР |
М 31 Масальский, Н. В. Синтез характеристик логических вентилей на двухзатворных суб-25-нанометровых кни кмоп-транзисторах для маломощных применений / Н. В. Масальский // Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 5. - С. 41-46 : рис., табл. - Библиогр. : с. 46 (17 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): КНИ-НАНОТРАНЗИСТОР ДВУХЗАТВОРНЫЙ -- ВЕНТИЛЬ ЛОГИЧЕСКИЙ -- МОЩНОСТЬ НИЗКАЯ ПОТРЕБЛЯЕМАЯ Аннотация: Рассмотрены критерии выбора технологических параметров двухзатворных суб-25-нанометровых транзисторов со структурой "кремний на изоляторе" для маломощных применений. Численно исследованы характеристики однокаскадных вентилей на выбранном типе транзисторов с длиной канала 22 нм при напряжении питания меньше 1 В. Показана возможность создания маломощной схемотехники, функционирующей в диапазоне 100 ГГц ?? |
М 91 Мустафаев, Г. А. Влияние конструкции на характеристики субмикронных кни моп-транзисторов / Г. А. Мустафаев, Аб. Г. Мустафаев, Ар. Г. Мустафаев // Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 7. - С. 8-12 : табл., рис. - Библиогр. : с. 12 (12 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): КРЕМНИЙ НА ИЗОЛЯТОРЕ -- МОДЕЛИРОВАНИЕ -- МОП-ТРАНЗИСТОР Аннотация: Проведено моделирование КНИ МОП-транзисторов с различной конструкцией затворной композиции. Исследована зависимость подпороговых характеристик КНИ МОП-транзисторов от геометрических размеров базовой области, длины и ширины канала, толщины подзатворного оксида и уровня легирования канала |
И 88 Использование кремниевых нанопроволочных структур в качестве биосенсоров / С. О. Белостоцкая [и др.] // Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 1. - С. 47-49 : рис. - Библиогр. : с. 49 (2 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): БИОСЕНСЕРЫ -- СТРУКТУРЫ НАНОПРОВОЛОЧНЫЕ КРЕМНИЕВЫЕ -- ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ СЕНСОРА Аннотация: Доведено исследование изготовленных в НПК "Технологический центр" кремниевых наноразмерных чувствительных элементов (нанопроволок) для создания биосенсоров на основе КНИ-структур. Показана возможность химической модификации поверхности кремниевых чувствительных элементов для создания биосенсоров на нано-проволочных транзисторах. На примере раствора стрептавидина продемонстрирована работа подобного биосенсора в режиме реального времени |
П 27 Амеличев, В. В. Перспективная технология изготовления высокодобротных кремниевых микромеханических резонаторов / В. В. Амеличев, И. В. Годовицын, Д. А. Сайкин // Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 4. - С. 39-45 : рис. - Библиогр. : с. 45 ( 11 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): РЕЗОНАТОРЫ КРЕМНИЕВЫЕ МИКРОМЕХАНИЧЕСКИЕ -- ТЕХНОЛОГИЯ МИКРООБРАБОТКИ КРЕМНИЯ -- КНИ-ПЛАСТИНЫ Аннотация: Описана разработка технологии изготовления высокодобротных кремниевых резонаторов с использованием КНИ-пластин. К достоинствам разработанной технологии можно отнести необходимость только одного процесса анодной посадки и только одного стекла, обработка которого ограничивается формированием углублений для геттера. Обработка КНИ-пластины и стекла ведется групповым способом, анодная сварка проводится на заключительном этапе обработки. Сформирована структура резонатора в герметизированной камере. Показано, что значения основных электрофизических параметров структуры (сопротивление подвесов, наряжение притягивания) соответствуют расчетным. Проанализированы перспективы разработанной технологии |
Г 59 Годовицын, И. В. Перспективная конструкция миниатюрного тензорезистивного преобразователя давления / И. В. Годовицын // Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 10. - С. 2-8 : рис., табл. - Библиогр. : с. 8 (32 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ПРЕОбРАЗОВАТЕЛИ ДАВЛЕНИЯ МИНИАТЮРНЫЕ -- ТЕХНОЛОГИЯ ПОВЕРХНОСТНОЙ МИКРООБРАБОТКИ Аннотация: Предлагается конструкция миниатюрного тензорезистивного преобразователя давления на КНИ-структуре. Преобразователь имеет тензорезисторы из монокристаллического кремния и мембрану из полиметаллического кремния, что позволяет совместить в конструкции достоинства традиционных и миниатюрных преобразователей давления - высокую чувствительность и маленькие габаритные размеры. Доведен расчет основных параметров преобразователя с помощью конечно-элементного моделирования. Доведен анализ параметров предложенного преобразователя в сравнении с преобразователями других типов |
М 61 Миниатюрный тензорезистивный преобразоватеаь давления с высокой чувствительностью / И. В. Головицын, В. В. Амеличев, В. В. Панков, А. Н. Сауров // Нано- и микросистемная техника . - 2012. - № 6. - С. 26-29 : рис., табл. - Библиогр.: с. 29 (19 назв.) . -
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ТЕНЗОРЕЗИСТОРЫ -- ТЕХНОЛОГИЯ ПОВЕРХНОСТНОЙ МИКРООБРАБОТКИ -- ПРЕОБРАЗОВАТЕЛИ ДАВЛЕНИЯ МИНИАТЮРНЫЕ Аннотация: Описана разработка технологического маршрута и изготовление миниатюрного преобразователя давления на КНИ-структуре, предложенного ранее. Преобразователь имеет тензорезисторы из монокристаллического кремния и мембрану из поликристаллического кремния. Структура преобразователя формируется с помощью технологии поверхностной микрообработки с применением односторонней обработки пластины. Изготовлены два варианта преобразователя - с кольцевым концентратором напряжений на мембране, сформированным из пассивирующего слоя толщиной 1,2 мкм, и без концентратора. Проведены измерения основных параметров преобразователя при температуре +20, -50 и +60 °С. Оба варианта демонстрируют чувствительность около 24 мВ-(В•атм)-1. Проведен анализ параметров преобразователей с точки зрения влияния технологических факторов |
А 16 Абросимова, Н. Д. Повышение информативности эллипсометрических измерений параметров гетероструктур "кремний-на-диэлектрике" / Н. Д. Абросимова, В. К. Смолин // Нано- и микросистемная техника . - 2012. - № 9. - С. 26-27. - Библиогр.: с. 27 (10 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ЭЛЛИПСОМЕТРИЯ -- ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ -- СТРУКТУРЫ КНД, КНС, КНИ Аннотация: Рассмотрены вопросы контроля приборных слоев полупроводниковых гетероструктур с использованием метода эллипсометрии. Показана информативность разработанных методик |
П 53 Получение и свойства ультратонких слоев для изготовления элементов КНИ МДП-нанотранзистора / Т. Ф. Шкляр, Е. П. Дьячкова, О. А. Динисламова, А. П. Сафронов, Д. В. Лейман, Ф. А. Бляхман // Российские нанотехнологии. - 2013. - Т. 8, № 3-4. - С. 89-94 : рис. - Библиогр.: с. 94 (10 назв.) . - ISSN 1992-7223
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): НАНОТРАНЗИСТОР -- СЛОИ УЛЬТРАТОНКИЕ -- ЭЛЕМЕНТЫ КНИ МДП-НАНОТРАНЗИСТОРА -- МЕТОД ВЫСОКОЧАСТОТНОГО МАГНЕТРОННОГО РАСПЫЛЕНИЯ -- ДИЭЛЕКТРИК -- СТРУКТУРА КРИСТАЛЛИЧЕСКАЯ ПЛЕНОК HFO2 -- КНИ-СТРУКТУРА -- СОПРОТИВЛЕНИЕ ПОВЕРХНОСТНОЕ -- ИМПЛАНТАЦИЯ Аннотация: Рассмотрены методы получения и свойства таких элементов КНИ МДП-нанотранзистора, как затвор/подзатворный диэлектрик, области истока/стока и омические контакты. Затворные структуры HfO2(50 нм)/Si (100) и W/HfO2(4 нм)/Si (100) создавались методом высокочастотного магнетронного распыления. Показано, что кристаллическая структура пленок HfO2 и их электрические характеристики (напряжение пробоя) являются взаимосвязанными. Для создания ультрамелких областей стока/истока использовалась высокодозовая плазменно-иммерсионная ионная имплантация бора. В процессе быстрого термического отжига имплантированных слоев обнаружено существенное снижение количества бора у поверхности в КНИ-структуре. Образование омических контактов CoSi2 осуществлялось с использованием структур Ti(8 нм)/Co(10 нм)/Ti(5 нм), сформированных на Si-подложке ориентации (100). Установлено, что образовавшаясяся в результате двухстадийного отжига пленка CoSi2 обладает поверхностным сопротивлением 20 Ом/□ |
М 31 Масальский, Н. В. Характеристики субмикронного фотонного фазового модулятора на структуре "кремний на изоляторе" / Н. В. Масальский // Нано- и микросистемная техника. - 2013. - № 10. - С. 38-42. - Библиогр.: с. 42 (7 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): КРЕМНИЕВАЯ НАНОФОТОНИКА -- ВОЛНОВОДНАЯ КНИ-СТРУКТУРА -- ШИРОКОПОЛОСНАЯ ФАЗОВАЯ МОДУЛЯЦИЯ Аннотация: Обсуждается перспективный подход для реализации широкополосной оптической модуляции. На основе численных решений исследованы фазовые модуляционные характеристики фотонных модуляторов, выполненных на базе техпроцесса "'кремний на изоляторе". Результаты моделирования хорошо согласуются с экспериментальными данными. На основе численных расчетов показано, что достижимая полоса модуляции составляет более 100 ГГц |
О-75 Особенности проектирования и изготовления чувствительного элемента микромеханического акселерометра на кни-структурах / С. П. Тимошенков, С. А. Анчутин, В. Г. Рубчиц, Н. М. Зарянкин, А. И. Виноградов, И. С. Дернов, Е. С. Кочурина // Нано- и микросистемная техника. - 2014. - № 7. - С. 10-14 : рис., граф. - Библиогр.: с. 13 (7 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ЧУВСТВИТЕЛЬНЫЙ ЭЛЕМЕНТ -- КПП-СТРУКТУРЫ -- МИКРОМЕХАНИЧЕСКИЙ АКСЕЛЕРОМЕТР -- МОДАЛЬНЫЙ АНАЛИЗ -- СТАТИЧЕСКИЙ АНАЛИЗ -- ТЕХНОЛОГИЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ -- НОМИНАЛЬНЫЕ ЕМКОСТИ Аннотация: Рассмотрены особенности конструкции чувствительного элемента (ЧЭ) микромеханического акселерометра на КПП-структурах, представлены результаты расчета конструкции: проведен модельный, статический анализ, а также расчет номинальных значений емкостей ЧЭ. Изложены особенности технологии изготовления ЧЭ. Приведены результаты исследования опытных образцов чувствительного элемента микромеханического акселерометра |