Инвентарный номер: 200768 - кх.
   642
   Г 37


    Герасименко, Николай Николаевич.
    Кремний - материал наноэлектроники [] : учебное пособие для вузов / Н. Н. Герасименко, Ю. Н. Пархоменко. - М. : Техносфера, 2007. - 351 с. - (Мир материалов и технологий). - ISBN 5-94836-101-2. - ISBN 978-5-94836-101-7 : 215.00 р.
ГРНТИ
ББК 642.331.2я73
Рубрики: ЭНЕРГЕТИКА--ЭЛЕКТРОЭНЕРГЕТИКА--ЭЛЕКТРОТЕХНИКА--УЧЕБНИКИ ДЛЯ ВУЗОВ
Кл.слова (ненормированные):
КРЕМНИЙ (ПРИМЕНЕНИЕ) -- НАНОЭЛЕКТРОНИКА (ПРИБОРЫ) -- НАНОФОТОНИКА (ПРИБОРЫ)


Инвентарный номер: нет.
   
   У 25


   
    Углеродные наносети: новые возможности электроники [Текст] // Нанотехнологии: наука и производство. - 2008. - № 1. - С. 33
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
УГЛЕРОДНЫЕ НАНОСЕТИ -- УГЛЕРОДНЫЕ НАНОТРУБКИ
Аннотация: Кремний - вещество, без которого невозможно представить современную электронную аппаратуру. Сегодня в центре внимания углерод, который в недалеком будущем, возможно, будет играть ведущую роль в создании недорогих электронных устройств, обладающих широким диапазоном новых возможностей


Инвентарный номер: нет.
   
   П 76


   
    Применение имплантации ионов кислорода и процесса твердофазной рекристаллизации для улучшения кристаллической структуры кремния на сапфире [Текст] / П. А. Александров [и др.] // Нано- и микросистемная техника . - 2008. - № 3. - С. 54-56 : рис. - Библиогр.: с. 56 (17 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ТВЕРДОФАЗНАЯ РЕКРИСТАЛЛИЗАЦИЯ -- ИМПЛАНТАЦИЯ ИОНОВ -- КИСЛОРОД -- КРЕМНИЙ -- САПФИР


Инвентарный номер: нет.
   
   И 88


   
    Исследование закономерностей транспорта водорода в порошковый кремний [Текст] / А. А. Ковалевский [и др.] // Нано- и микросистемная техника . - 2008. - № 4. - С. 13-16 : граф. - Библиогр.: с. 16 (18 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ТРАНСПОРТ ВОДОРОДА -- ПОРОШКОВЫЙ КРЕМНИЙ -- ВОДОРОД -- ПОРОШКИ


Инвентарный номер: нет.
   
   К 16


    Какурин, ю. Б.
    Моделирование массопереноса в неоднородных полупроводниковых структурах [Текст] / ю. Б. Какурин, А. Г. Захаров, В. Н. Котов // Нано- и микросистемная техника . - 2008. - № 6. - С. 22-25 (12 назв.) : рис., табл. - Библиогр.: с. 25 (12 назв.)
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ДИФФУЗИЯ -- ДИСЛОКАЦИОННЫЙ КРЕМНИЙ


Инвентарный номер: нет.
   
   П 59


   
    Пористый кремний как каталитическая наноматрица для микромощных источников тока [Текст] / Н. А. Яштулов [и др.] // Нано- и микросистемная техника . - 2008. - № 8. - С. 20-23 : фото. - Библиогр.: с. 23 (9 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ПОРИСТЫЙ КРЕМНИЙ -- НАНОЭЛЕКТРОКАТАЛИЗ -- НАНОЧАСТИЦЫ ПАЛЛАДИЯ -- АТОМНО-СИЛОВАЯ МИКРОСКОПИЯ
Аннотация: Представлены результаты формирования нанокатализаторов платиновой группы на матрице из пористого кремния. Рассмотрена возможность направленного роста углеродных нанотрубок на подложке из кремния. Показано влияние типа проводимости, степени пористости, геометрии пор кремния на параметры наночастиц катализаторов для источников тока в электронике


Инвентарный номер: нет.
   
   С 16


    Салихов, Р. Б.
    Наноструктурные гетеропереходы на основе полимеров для управления током [Текст] / Р. Б. Салихов, А. Н. Лачинов, А. А. Бунаков // Нанотехника. - 2008. - № 2. - С. 43-46 : табл. - Библиогр.: с. 46 (17 назв.) . - ISSN 1816-4498
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
КРЕМНИЙ -- ПОЛИДИФЕНИЛЕНФТАЛИД


Инвентарный номер: нет.
   
   М 91


    Мустафаев, Ар. Г.
    Влияние накопленной дозы излучения на КМОП-транзисторы, изготовленные по КНС-технологии [Текст] / Ар. Г. Мустафаев, Аб. Г. Мустафаев // Нано- и микросистемная техника . - 2008. - № 9. - С. 44-46 : рис. - Библиогр.: с. 46 (7 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
КРЕМНИЙ НА САПФИРЕ -- ЭПИТАКСИЯ ИЗ ТВЕРДОЙ ФАЗЫ -- РАДИАЦИОННАЯ СТОЙКОСТЬ -- ПЛОТНОСТЬ ДЕФФЕКТОВ


Инвентарный номер: нет.
   
   М 91


    Мустафаев, Г. А.
    Разработка процесса формирования глубокой изоляции структур кремний на изоляторе [Текст] / Г. А. Мустафаев, А. Г. Мустафаев // Нано- и микросистемная техника . - 2009. - № 1. - С. 30-32 : рис. - Библиогр.: с. 32 (6 назв.) . - ISSN 1813-8586
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
КАНАВКА -- ТРАВЛЕНИЕ


Инвентарный номер: нет.
   
   Т 57


   
    Тонкие пленки, осажденные из коллоидного раствора нанокристаллического кремния / С. Г. Дорофеев [и др.] // Нанотехника. - 2009. - № 1. - С. 69-73 : ил. - Библиогр. : с. 73 (14 назв.)
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ТОНКИЕ ПЛЕНКИ -- НАНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ КРЕМНИЙ


Инвентарный номер: нет.
   
   И 88


   
    Исслелование самоорганизации высокоупорядоченных нанокластеров германия при осаждении пленок поликристаллического кремния, легированного германием / А. А. Ковалевский [и др.] // Нано- и микросистемная техника . - 2009. - № 4. - С. 14-19 : ил. - Библиогр. : с. 19 (12 назв.)
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
НАНОКЛАСТЕРЫ -- ПЛЕНКА -- ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ КРЕМНИЙ -- ГЕРМАНИЙ


Инвентарный номер: нет.
   
   П 84


   
    Процессы самоорганизации структуры в тонких пленках нанокомпозита кремний-углерод / Л. Ю. Куприянов [и др.] // Российские нанотехнологии. - 2009. - Т. 4, № 7-8. - С. 130-133 : рис., табл. - Библиогр. : с. 133 (11 назв.) . - ISSN 1195-078
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
КРЕМНИЙ -- УГЛЕРОД


Инвентарный номер: нет.
   
   И 88


   
    Использование имплантации ионов водорода и последующего высокотемпературного отжига для уменьшения дефектности эпитаксиального кремния на сапфире / П. А. Александров [и др.] // Нано- и микросистемная техника . - 2009. - № 9. - С. 30-32 : рис., табл. - Библиогр. : с. 32 (11 назв.) . - ISSN 1813-8586
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ИМПЛАНТАЦИЯ -- КРЕМНИЙ-НА-САПФИРЕ -- ОТЖИГ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНЫЙ


Инвентарный номер: нет.
   
   В 58


   
    Влияние адсорбции на емкостные свойства нанопористого кремния / Д. И. Биленко [и др.] // Нано- и микросистемная техника . - 2009. - № 10. - С. 15-18 : рис. - Библиогр. : с. 18 (15 назв.) . - ISSN 1813-8586
ББК 623.7
Рубрики: ЭЛЕКТРОТЕХНИКА
Кл.слова (ненормированные):
НАНОСТРУКТУРЫ -- КРЕМНИЙ ПОРИСТЫЙ ЧАСТИЧНО ОКИСЛЕННЫЙ -- ЕМКОСТЬ -- ПРОВОДИМОСТЬ -- АДСОРБЦИЯ -- ЗАВИСИМОСТЬ ЧАСТОТНАЯ -- СЕНСОР


Инвентарный номер: нет.
   
   О-11


   
    О горении микро- наноструктурированных порошков кремния / А. С. Басаев [и др.] // Нано- и микросистемная техника . - 2009. - № 12. - С. 22-30 : рис. - Библиогр. : с. 30 (17 назв.) . - ISSN 1813-8586
ББК 623.7
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
КРЕМНИЙ -- ГОРЕНИЕ -- МИКРОВЗРЫВ -- ПОРОШКИ КРЕМНИЯ МИКРОСТРУКТУРИРОВАННЫЕ -- ПОРОШКИ КРЕМНИЯ НАНОСТРУКТУРИРОВАННЫЕ


Инвентарный номер: нет.
   
   М 31


    Масальский, Н. В.
    Синтез характеристик логических вентилей на двухзатворных суб-25-нанометровых кни кмоп-транзисторах для маломощных применений / Н. В. Масальский // Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 5. - С. 41-46 : рис., табл. - Библиогр. : с. 46 (17 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
КНИ-НАНОТРАНЗИСТОР ДВУХЗАТВОРНЫЙ -- ВЕНТИЛЬ ЛОГИЧЕСКИЙ -- МОЩНОСТЬ НИЗКАЯ ПОТРЕБЛЯЕМАЯ
Аннотация: Рассмотрены критерии выбора технологических параметров двухзатворных суб-25-нанометровых транзисторов со структурой "кремний на изоляторе" для маломощных применений. Численно исследованы характеристики однокаскадных вентилей на выбранном типе транзисторов с длиной канала 22 нм при напряжении питания меньше 1 В. Показана возможность создания маломощной схемотехники, функционирующей в диапазоне 100 ГГц ??


Инвентарный номер: нет.
   
   М 91


    Мустафаев, Г. А.
    Влияние конструкции на характеристики субмикронных кни моп-транзисторов / Г. А. Мустафаев, Аб. Г. Мустафаев, Ар. Г. Мустафаев // Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 7. - С. 8-12 : табл., рис. - Библиогр. : с. 12 (12 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
КРЕМНИЙ НА ИЗОЛЯТОРЕ -- МОДЕЛИРОВАНИЕ -- МОП-ТРАНЗИСТОР
Аннотация: Проведено моделирование КНИ МОП-транзисторов с различной конструкцией затворной композиции. Исследована зависимость подпороговых характеристик КНИ МОП-транзисторов от геометрических размеров базовой области, длины и ширины канала, толщины подзатворного оксида и уровня легирования канала


Инвентарный номер: нет.
   
   Д 39


   
    Деформационно-прочностные свойства модифицированных полиимид-кремниевых упруго-шарнирных микроструктур / П. Г. Бабаевский, А. А. Жуков , А. С. Корпухин, Г. М. Резниченко // Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 7. - С. 15-18 : рис., табл. - Библиогр. : с.18 (9 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ПОЛИИМИД -- КРЕМНИЙ -- МИКРОСТРУКТУРА УПРУГО-ШАРНИРНАЯ
Аннотация: Исследованы деформационно-прочностные свойства растяжении полиимидно-кремниевых трапециевидных упруго-шарнирных микроструктур, модифицированных армированием в нижней части полиимидного слоя функционализированными одностенными углеродными трубками и нанесением на поверхность кремния тонких слоев кремнийорганического соединения, алюминия и системы ванадий-никель. Показано, что армирование полиимида введением нанотрубок во всех случаях повышает деформационно-прочностные характеристики микроструктур


Инвентарный номер: нет.
   
   Н 25


   
    Нанокристаллический кремний, полученный из SiO / С. Г. Дорофеев [и др.] // Нанотехника. - 2010. - № 3 . - С. 3-11 : рис., табл. - Библиогр. : с. 11 (50 назв.) . - ISSN 1816-4498
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
КРЕМНИЙ НАНОКРИСТАЛИЧЕСКИЙ -- СПЕКТРЫ ПОГЛОЩЕНИЯ -- ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ
Аннотация: Нанокристаллы кремния (nc-Si), проявляющие устойчивую фотолюминесценцию в видимой области спектра, синтезированы из порошка монооксида кремния в диапазоне температур от 25° С до 950° С. Использована процедура гидросилилирования 1-октадеценом, в результате которой существенно повышается интенсивность фотолюминесценции nc-Si и частицы приобретают способность образовывать устойчивые золи в неполярных растворителях. Методом термогравиметрии и дифференциальной сканирующей калориметрии установлена устойчивость частиц в атмосфере воздуха до 220° С. Данные просвечивающей электронной микроскопии свидетельствуют о том, что ядра полученных наночастиц, максимальный размер которых не превышает 5-7 нм для всех полученных образцов, состоят из кристаллического кремния. Методом малоуглового рассеяния рентгеновского излучения получены функции плотности распределения (ФПР) по размерам частиц, синтезированных при нагревании монооксида кремния до 950° С. Максимумы ФПР соответствуют диаметрам nc-Si, равным 2,15-2,60 нм для различных значений температуры синтеза. Предложенный метод может быть использован для получения nc-Si, обладающего яркой устойчивой люминесценцией, в массовых количествах


Инвентарный номер: нет.
   
   Ф 73


   
    ФМР, магнитные и резистивные свойства наноструктур {[(CoFeZr)m(Al2O3)100-m]x/(а-si)y}40 с гранулированными магнитными слоями. / С. А. Вызулин [и др.] // Нанотехника. - 2010. - № 3 . - С. 16-21 : рис. - Библиогр. : с. 21 (11 назв.) . - ISSN 1816-4498
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
СВОЙСТВА НАНОСТРУКТУР МАГНИТНЫЕ -- НАНОПЛЕНКИ АМОРФНЫЕ МУЛЬТИСЛОЙНЫЕ -- КРЕМНИЙ -- СИЛИЦИДЫ
Аннотация: Проведен комплексный анализ резистивных, статических и динамических магнитных свойств мультислойных аморфных нанопленок, в которых в качестве магнитного слоя использован композит CoFeZr/Al2O3, а в качестве прослоек - гидрогенизированный кремний. Показано, что свойства таких систем определяются конкурирующими механизмами, связанными с толщинами магнитных слоев х и свойствами кремния. При малых х, несмотря на задаваемый состав композита (до и после порога перколяции), металлический слой состоит из несоприкасающихся гранул, магнитное взаимодействие между которыми существенно меняется при незначительном изменении толщины слоя. При толщинах слоев, меньших 2 нм, окись алюминия играет роль диэлектрического барьера, уменьшающего процесс образования силицидов. С ростом толщины прослоек кремния средняя намагниченность и намагниченность слоев резко уменьшаются за счет образования немагнитных силицидов. Установлено, что образование сплошных слоев кремния и немагнитных силицидов сопровождается созданием канала проводимости, уменьшающего на три порядка удельное сопротивление образцов