Ш 29 Шауцуков, А. Г. Применение процессов ионного легирования в технологии двухпролетных лавинопролетных диодов с плоским и ступенчатым профилем легирования / А. Г. Шауцуков, Х. М. Хатукаев // Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 9. - С. 13-16 : рис., табл. - Библиогр. : с. 16 (5 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ДИОД ДВУХПРОЛЕТНЫЙ ЛАВИНОПРОЛЕТНЫЙ -- ЛЕГИРОВАНИЕ ИОННОЕ -- МЕТОД ЭПИТАКСИАЛЬНОГО НАРАЩИВАНИЯ Аннотация: Рассмотрена возможность получения структур кремниевых двухпролетных лавинопролетных диодов (ЛПД) с использованием процессов эпитаксиального наращивания в реакторе пониженного давления, многократного ионного легирования, имплантации легирующей примеси через пленки и фотонного отжига ионно-легированных слоев. Показано, что разработанная технология может быть использована для организации серийного выпуска ряда перспективных двухпролетных ЛПД миллиметрового диапазона |