С 51 Смолин, В. К. Мемристоры — перспективная элементная база микро-и наноэлектроники / В. К. Смолин // Нано- и микросистемная техника . - 2012. - № 10. - С. 27-30 : табл., схема. - Библиогр.: с. 30 (32 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): МЕМРИСТОР -- ПАМЯТЬ ТИПА МRАМ, FRAM, RERAM Аннотация: Дан обзор конструкторско-технологических особенностей выполнения устройств энергонезависимой памяти на основе резисторов с памятью — мемристоров. Определены перспективы развития этого вида памяти |
С 51 Смолин, В. К. Применение пленок бинарных соединений металлов подгруппы титана в конструкциях резистивных элементов памяти / В. К. Смолин // Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 8. - С. 10-16 : рис. - Библиогр.: с. 16 (98 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ПОДГРУППА ТИТАНА -- МЕМРИСТОРЫ -- ЭЛЕМЕНТЫ ПАМЯТИ РЕЗИСТИВНЫЕ -- ПЛЕНКИ БИНАРНЫХ СОЕДИНЕНИЙ МЕТАЛЛОВ -- RERAM -- НИТРИД ТИТАНА Аннотация: Дан обзор физико-технологических проблем проектирования элементов резистивной энергонезависимой памяти (ReRAM) с использованием бинарных соединений подгруппы титана. Большинство из приведенных результатов исследований имеет прикладной характер и предназначено для использования в промышленном производстве. Для оптимизации конструктивно-технологических решений мемристоров следует акцентировать внимание на решении проблем, связанных с построением модели фазового перехода металл—изолятор |