П 53 Полупроводниковые гетероструктуры InAlAs / InGaAs с метаморфным буфером Inx (Al yGa 1- y) 1- xAs: конструкция, технология, применение / А. С. Бугаев, Г. Б. Галиев, П. П. Мальцев, С. С. Пушкарев, Ю. В. Федоров // Нано- и микросистемная техника . - 2012. - № 10. - С. 14-24 : рис. - Библиогр.: с. 24 (54 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): БУФЕР МЕТАМОРФНЫЙ -- МНЕМТ -- ДИСЛОКАЦИИ НЕСООТВЕТСТВИЯ -- СТУПЕНЬ ИНВЕРСТНАЯ -- INAlAS / INGAAS -- РЕЛАКСАЦИЯ ЭПИСЛОЯ Аннотация: Кратко рассмотрены особенности релаксации упруго-деформированных эпитаксиальных слоев и описывающие ее модели. Названы области применения полупроводниковых гетероструктур InAlAs/InGaAs с метаморфным буфером In x(AlyGa 1 – y) 1 – xAs. Исследовано влияние профиля химического состава метаморфного буфера и технологических режимов его роста (температуры роста, давления мышьяка и вида его молекул) на электрофизические и структурные свойства как самого метаморфного буфера, так и всей гетероструктуры |
М 21 Мальцев, П. П. Перспективы создания систем на кристалле для СВЧ и КВЧ диапазонов / П. П. Мальцев // Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 4. - С. 40-48 : рис., табл. - Библиогр.: с. 48 (8 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): АНТЕННА -- СИСТЕМЫ НА КРИСТАЛЛЕ (СНК) -- АНТЕННЫ ИНТЕГРИРОВАННЫЕ -- УСИЛИТЕЛЬ -- мэмс-КОММУТАТОРЫ -- АРСЕНИД ГАЛЛИЯ -- ГЕТЕРОСТРУКТУРА -- МОНОЛИТНЫЕ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ СХЕМЫ Аннотация: Показана возможность создания российских систем на кристалле (СнК) для СВЧ и КВЧ диапазонов частот, включающих интегрированные антенны, усилители, МЭМС-коммутаторы, преобразователи частоты и генераторы, управляемые напряжением. Все микросхемы производятся на основе единой базовой технологии изготовления монолитных интегральных схем с использованием РНЕМТ и МНЕМТ гетероструктур арсенида галлия, что позволяет интегрировать их в единую СнК, обеспечивающую малые потери в тракте между элементами системы, низкий уровень шумов и большую передаваемую мощность. Приведены измеренные характеристики полученных в ИСВЧПЭ РАН МИС в сравнении с зарубежными аналогами для диапазона от 5 до 60 ГГц |