М 73 Многослойные наноструктуры с эффектом гигантского магнетосопротивления / А. Ф. Вяткин, В. Н. Матвеев, В. Т. Волков, О. В. Кононенко, В. И. Левашов, В. Г. Ерёменко, В. В. Амеличев, Д. В. Костюк, И. И. Ходос // Нано- и микросистемная техника. - 2013. - № 11. - С. 26-29. - Библиогр.: с. 29 (4 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): МНОГОСЛОЙНЫЕ НАНОСТРУКТУРЫ -- ЭФФЕКТ ГИГАНТСКОГО МАГНЕТОСОПРОТИВЛЕНИЯ Аннотация: Квантово-механический эффект гигантского магнетосопротивления (ГМС) наблюдался в целом ряде многослойных магнитных материалов. Многослойные структуры, в которых появляется данный эффект, состоят из последовательно осажденных тонких ферромагнитных слоев, разделенных доводящим немагнитным слоем. Магнитные характеристики таких материалов зависят от структуры осажденных слоев, состояния межфазных границ между слоями и в значительной степени от немагнитного слоя, толщина которого требует высокой точности. С помощью электронно-лучевого и лазерного осаждения, просвечивающей электронной микроскопии и атомно-силовой микроскопии были получены и исследованы структуры Ta—NiFe—Cu—Co—FeMn—Ta. При оптимизации толщины медного разделительного слоя удалось поднять значение ГМС до 5% в продольном поле 10...20 Э |
В 49 Винокуров, Д. Л. Численное моделирование магнитной структуры компенсированной границы раздела ферромагнетик-мультиферроик / Д. Л. Винокуров // Нано- и микросистемная техника. - 2014. - № 4. - С. 34-39. - Библиогр.: с. 39 (13 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): МАГНИТОРЕЗИСТИВНАЯ ПАМЯТЬ -- ЗАПИСЬ ЭЛЕКТРИЧЕСКИМ ПОЛЕМ -- МУЛЬТИФЕРРОИК -- МНОГОСЛОЙНЫЕ НАНОСТРУКТУРЫ Аннотация: Проведено численное моделирование магнитной структуры компенсированной границы раздела ферромагнетик- мультиферроик. Найдены искажения магнитных параметров порядка, убывающие по мере удаления от границы раздела. Проведена оценка вкладов в энергию межслойного взаимодействия магнитных параметров порядка, которая показала, что основной вклад обусловлен обменным взаимодействием. Из условия переключения намагниченности ферромагнитного слоя электрическим полем, приложенным к слою мультиферроика, получено ограничение сверху на толщину ферромагнитного слоя. Результаты, полученные при численном моделировании, хорошо согласуются с развитой ранее линейной теорией и дополняют ее |