Т 21 Тарнавский, Г. А. Имплантация легирующих примесей в подложку кремния с непланарной поверхностью / Г. А. Тарнавский // Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 1. - С. 21-24. - Библиогр. : с. 24 (7 назв.) . - ISSN 1813-8586 Рубрики: МАТЕМАТИКА--ТЕОРИЯ ВЕРОЯТНОСТЕЙ И МАТЕМАТИЧЕСКАЯ СТАТИСТИКА Кл.слова (ненормированные): МОДЕЛИРОВАНИЕ КОМПЬЮТЕРНОЕ -- ЛЕГИРОВАНИЕ КРЕМНИЯ -- ИМПЛАНТАЦИЯ -- ПРИМЕСИ ДОНОРНЫЕ -- ПРИМЕСИ АКЦЕПТОРНЫЕ |
Т 21 Тарнавский, Г. А. Легирование наноколонн рельефа поверхности пластины кремния / Г. А. Тарнавский // Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 6 . - С. 20-24. - Библиогр. : с. 24 (17 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): МОДЕЛИРОВАНИЕ КОМПЬЮТЕРНОЕ -- ЛЕГИРОВАНИЕ КРЕМНИЯ -- ИМПЛАНТАЦИЯ Аннотация: На основе компьютерного моделирования проведено исследование технологического процесса имплантации легирующих примесей акцепторного и донорного типов (бора, фосфора и мышьяка) в кремниевую пластину со сложным поверхностным нанорельефом |
Т 21 Тарнавский, Г. А. Проектирование дислокаций примесей в выступающем элементе нанорельефа поверхности кремниевой пластины / Г. А. Тарнавский, С. С. Чесноков // Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 1. - С. 7-11 : рис. - Библиогр. : с. 11 (11 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): МОДЕЛИРОВАНИЕ КОМПЬЮТЕРНОЕ -- ЛЕГИРОВАНИЕ КРЕМНИЯ -- ИМПЛАНТАЦИЯ -- ПРИМЕСИ ДОНОРНЫЕ И АКЦЕПТОРНЫЕ -- НАНОКОЛОННЫ РЕЛЬЕФА Аннотация: На основе компьютерного моделирования проведено исследование технологического процесса имплантации легирующих примесей акцепторного и донорного типов (бора, фосфора и мышьяка) в кремниевую пластину с выступающим нанорельефом поверхности |
А 62 Аммон, Л. Ю. Компьютерное моделирование процесса образования наночастиц при золь-гель синтезе / Л. Ю. Аммон // Нанотехника. - 2011. - № 2. - С. 93-96 : рис. - Библиогр. : с. 96 (10 назв.) . - ISSN 1816-4498
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): МОДЕЛИРОВАНИЕ КОМПЬЮТЕРНОЕ -- НАНОЧАСТИЦЫ -- СИНТЕЗ ЗОЛЬ-ГЕЛЬ Аннотация: Развитие нанотехнологий предлагает два подхода к созданию наноструктурированных материалов: «сверху-вниз» и «снизу-вверх». Первый из них рассматривает ультрадиспергирование вещества и последующее формирование материала. Второй - синтез наночастиц путем химических реакций из атомов и молекул как основы формирования материала. В обоих подходах наночастица является центральной фигурой в понимании процессов формирования наноматериала. Целью данной работы является моделирование процессов образования наночастиц в золь-гель технологии при гидролизе тетраэтоксисилана или кремнезема |
К 48 Клевлеев, В. М. Использование компьютерного моделирования в решении задач компактирования наноразмерных материалов / В. М. Клевлеев, В. В. Колтунов, И. А. Кузнецова // Нанотехника. - 2011. - № 3. - С. 21-23 : табл., рис. - Библиогр. : с. 23 (4 назв.) . - ISSN 1816-4498
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ПОЛУЧЕНИЕ НАНОМАТЕРИАЛОВ -- АЛГОРИТМ -- МОДЕЛИРОВАНИЕ КОМПЬЮТЕРНОЕ -- ПРЕССОВАНИЕ -- МЕТОД КРИОХИМИЧЕСКИЙ Аннотация: В работе представлены результаты уплотнения ультрадисперсных и наноразмерных порошков различных веществ. Полученные данные применены для компьютерного моделирования процесса волочения |
Д 37 Деспотули, А. Л. Компьютерное моделирование на субнанометровом масштабе ион-транспортных характеристик блокирующих гетеропереходов электронный проводник/твердый электролит / А. Л. Деспотули, А. В. Андреева // Нано- и микросистемная техника . - 2012. - № 11. - С. 15-23 : рис. - Библиогр.: с. 23 (16 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): МОДЕЛИРОВАНИЕ КОМПЬЮТЕРНОЕ -- НАНОИОНИКА -- ПРИБОРЫ НАНОИОННЫЕ -- ЭЛЕКТРОЛИТЫ ТВЕРДЫЕ -- ГЕТЕРОПЕРЕХОДЫ БЛОКИРУЮЩИЕ -- РАВНОВЕСИЕ ДЕТАЛЬНОЕ -- УРАВНЕНИЕ КИНЕТИЧЕСКОЕ Аннотация: На основе нового структурно-динамико-кинетического подхода наноионики выполнены вычислительные эксперименты, в которых процессы быстрого ионного транспорта (БИТ) в области идеально поляризуемых когерентных гетеропереходов электронный проводник/твердый электролит—передовой суперионный проводник (ПСИП) исследованы с субнанометровым разрешением. Ион-транспортные "скрытые" переменные и наблюдаемые физические величины рассчитаны на временных масштабах 10—10 -7 с. Предложенная компьютерная модель позволяет предсказывать БИТ-характеристики суперконденсаторов на основе ПСИП-приборов, которые необходимы для развития наноэлектроники и микросистемной техники |
Д 37 Деспотули, А. Л. Ток смещения Максвелла в наноионике и собственные ион-транспортные свойства модельных 1D-наноструктур / А. Л. Деспотули, А. В. Андреева // Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 8. - С. 2-9 : рис. - Библиогр.: с. 9 (24 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): НАНОИОНИКА -- 1D-НАНОСТРУКТУРЫ МОДЕЛЬНЫЕ -- ТОК СМЕЩЕНИЯ МАКСВЕЛЛА -- СВОЙСТВА НАНОСТРУКТУР -- МОДЕЛИРОВАНИЕ КОМПЬЮТЕРНОЕ -- СУММА ИМПЕДАНСОВ -- НАНОСТРУКТУРЫ Аннотация: Структурно-динамический подход, предложенный ранее для описания процессов ионного транспорта в области идеально поляризуемых гетеропереходов твердый электролит/электронный проводник, обобщен на собственные ион-транспортные свойства модельных 1D-наноструктур, представляющих собой последовательность потенциальных барьеров разной высоты. Введено понятие тока смещения Максвелла на потенциальном барьере. В компьютерных экспериментах обнаружено: 1) выполнение закона Ома для наиболее высоких барьеров, дающих основной вклад в импеданс наноструктуры; 2) импеданс наноструктуры может быть представлен суммой импедансов отдельных барьеров (аналог закона Кирхгофа); 3) частотные зависимости отношения "ток смещения Максвелла ток ионной проводимости" для различных барьеров наноструктуры соответствуют экспериментальным данным по частотному поведению Re- и Im-компонент адмитанса разупорядоченных твердых тел, в том числе в режиме "near constant loss" |