Р 17 Разработка сверхвысокочастотной наноэаектроники / П. П. Мальцев, Ю. В. Федоров [и др.] // Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 11. - С. 14-16 : рис., табл. - Библиогр. : с. 16 (1 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): НАНОЭЛЕКТРОНИКА СВЕРХВЫСОКОЧАСТОТНАЯ -- НАНОТЕХНОЛОГИЯ -- НАНОГЕТЕРОСТРУКТУРЫ Аннотация: Рассматриваются вопросы создания транзисторов и монолитных интегральных схем сверхвысокочастотного диапазона на основе наногетероструктур |
648.5 Н 25 Наногетероструктуры в сверхвысокочастотной полупроводниковой электронике [] : сборник / Учреждение РАН, Ин-т полупроводниковой электроники РАН. - М. : Техносфера, 2010. - 430, [1] с. : граф. - Библиогр. в конце глав. - ISBN 978-5-94836-255-7 : 550.00 р. Посвящ. 70-летию со дня рождения чл.-корр. РАН Владимира Григорьевича Мокерова
Рубрики: РАДИОЭЛЕКТРОНИКА--ЭЛЕКТРОНИКА--СБОРНИКИ |
Г 87 Громов, Д. В. Влияние радиации на характеристики элементов на нитриде галлия / Д. В. Громов, Ю. А. Матвеев, Ю. В. Федоров // Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 5. - С. 39-48 : табл., рис. - Библиогр. : с. 48 (13 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): НИТРИД ГАЛЛИЯ -- РАДИАЦИЯ -- ИЗЛУЧЕНИЕ ИОНИРУЮЩЕЕ -- НАНОГЕТЕРОСТРУКТУРЫ Аннотация: Проведен анализ радиационных эффектов в СВЧ-полупроводниковых приборах на основе нитрида галлия воздействии ионизирующего излучения. Исследовались характеристики диодов с барьером Шоттки, а также полевых транзисторных структур. Установлены физические механизмы радиационного изменения характеристик рассматриваемых GaN элементов |
И 88 Использование метаморфной технологии для получения hemt-наногетероструктур InAlAs/InGaAs на подложках GaAs и InP с различным содержанием InAs в активной области / Г. Б. Галиев [и др.] // Нано- и микросистемная техника для лазерной индустрии . - 2011. - № 12. - С. 8-11 : рис., табл. - Библиогр. : с. 11 (23 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): НАНОГЕТЕРОСТРУКТУРЫ МЕТАМОРФНЫЕ -- БУФЕР МЕТАМОРФНЫЙ -- ЭПИТАКСИЯ МОЛЕКУЛЯРНО-ЛУЧЕВАЯ -- СВЕРХРЕШЕТКИ РАССОГЛАСОВАННЫЕ -- СВЕРХРЕШЕТКИ НАПРЯЖЕННЫЕ Аннотация: Методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) выращены MHEMT-наногетероструктуры InyAl1-yAs/InyGa1-yAs с различным содержанием InAs в активной области (около 40 % и более 70 %) на подложках GaAs и InР. Метаморфный буфер InxAl1-xAs варьировался по толщине и по составу с неизменным линейным законом возрастания x по толщине, а также был подвергнут модификации с помощью введения в него напряженных сверхрешеток. Показано, что путем выбора конструкции метаморфного буфера можно в наногетероструктурах на подложках GaAs добиться значений подвижности и концентрации двумерного электронного газа в квантовой яме InGaAAs, сравнимых со значениями в наногетероструктурах на подложках InР |
М 74 Моделирование зонной диаграммы и расчет эффективной массы электронов в составных квантовых ямах InGaAs с нанослоями GaAs/InAs / Д. С. Пономарев [и др.] // Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 12. - С. 16-19 : рис., табл. - Библиогр. : с. 19 (5 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): НАНОГЕТЕРОСТРУКТУРЫ -- НАНОЭЛЕКТРОНИКА -- СВЧ ТРАНЗИСТОРЫ -- ЭПИТАКСИЯ МОЛЕКУЛЯРНО-ЛУЧЕВАЯ -- ПОЛУПРОВОДНИКИ ТИПА А3В5 Аннотация: Теоретически и экспериментально изучены зонная структура и электрофизические свойства гетероструктур InAlAs/InGaAs/InAlAs/InР с составной квантовой ямой (КЯ) InGaAs с нановставками InAs и GaAs. С помощью эффекта Шубникова - де Гааза измерены и рассчитаны значения эффективной циклотронной массы m*с с учетом непараболичности энергетического спектра электронов. Впервые предложенная гетероструктура с двумя симметрично расположенными в КЯ нановставками InAs позволяет уменьшить m*с на 26 % по сравнению с КЯ In0,53Ga0,47As |
П 44 Подвижность электронов в комбинированно-легированных транзисторных наногетероструктурах AlGaAs/GaAs/InGaAs/GaAs/AlGaAs с высокой концентрацией электронов: моделирование и эксперимент / Р. А. Хабибуллин [и др.] // Нано- и микросистемная техника . - 2011. - С. 21-24 : рис., табл. - Библиогр. : с. 24 (6 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): НАНОГЕТЕРОСТРУКТУРЫ -- СВЧ ЭЛЕКТРОНИКА -- ЭПИТАКСИЯ МОЛЕКУЛЯРНО-ЛУЧЕВАЯ Аннотация: Теоретически и экспериментально исследовалась подвижность электронов в гетероструктурах с высокой электронной плотностью в составной квантовой яме AlGaAs/GaAs/InGaAs/GaAs/AlGaAs. Предложен новый тип структуры с двусторонним дельта-легированием кремнием переходных слоев GaAs, расположенных на границах квантовой ямы. При таком легировании одновременно с высокой концентрацией электронов ns = 1,37-1013 см-2 получено наибольшее значение электронной подвижности иН= 1520 см2/В. с при 300 К |
Р 25 Раткин , Л. С. Современные технологии проектирования, конструирования и производства нано-и микроэлектромеханических систем / Л. С. Раткин // Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 3. - С. 2-5. - Библиогр.: с. 5 (6 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): СПЕКТР ШИРОКИЙ АСПЕКТНЫХ ОТНОШЕНИЙ -- СВЧ СИСТЕМЫ НА КРИСТАЛЛЕ С ЭЛЕМЕНТАМИ МЭМС НА НАНОГЕТЕРОСТРУКТУРАХ -- СИСТЕМЫ ВИБРОАКУСТИЧЕСКИЕ МИКРОМЕХАНИЧЕСКИЕ -- КАНАЛ ВОЛОКОННО-ОПТИЧЕСКИЙ ИНФОРМАЦИОННЫЙ -- ИНФОРМАТИКА КВАНТОВАЯ -- НАНОГЕТЕРОСТРУКТУРЫ -- НЭМС -- РАН Аннотация: На состоявшейся 29 февраля 2012 г. научной сессии Отделения нанотехнологий и информационных технологий (ОНИТ) Российской академии наук (РАН) рассматривалась проблематика проектирования, конструирования и производства наноэлектромеханических и микроэлектромеханических систем (НЭМС и МЭМС). Особое внимание уделялось технологиям глубокого плазменного травления структур МЭМС с широким спектром аспектных отношений, созданию виброакустических микромеханических систем с волоконно-оптическим информационным каналом, квантовой информатике НЭМС, сверхвысокочастотным (СВЧ) системам на кристалле с элементами МЭМС на наногетероструктурах в арсениде галлия и технологическим основам создания микропреобразователей параметров движения на принципах переноса массы и заряда в электрохимических микросистемах |
П 56 Пономарев, Д. С. Разработка наногетероструктур InAlAs/InGaAS/InAlAs на подложках фосфида индия / Д. С. Пономарев // Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 3. - С. 14-17 : рис. - Библиогр.: с. 17 (12 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): НАНОГЕТЕРОСТРУКТУРЫ -- ТРАНЗИСТОР ПОЛЕВОЙ С ЗАТВОРОМ ШОТТКИ -- ЭПИТАКСИЯ МОЛЕ-КУЛЯРНО-ЛУЧЕВАЯ -- А3В5 -- ДИАГРАММЫ НАНОГЕТЕРОСТРУКТУР Аннотация: Теоретически и экспериментально изучены зонные диаграммы наногетероструктур InAlAs/InGaAs/InP с однородной и составной квантовой ямой (КЯ). Разработан полевой транзистор с частотой усиления по току 110 ГГц |
М 54 Метаморфные наногетероструктуры InGaAs/InAlAs на подложках GaAs для приборов терагерцовой электроники / О. А. Рубан, С. С. Пушкарев, Г. Б. Галиев, Е. А. Климов, Д. С. Пономарев, Р. А. Хабибуллин, П. П. Мальцев // Нано- и микросистемная техника. - 2013. - № 10. - С. 12-15. - Библиогр.: с. 15 (9 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ТЕРАГЕРЦОВОЕ ИЗЛУЧЕНИЕ -- МЕТАМОРФНЫЙ БУФЕР -- НАНОГЕТЕРОСТРУКТУРЫ -- МОЛЕКУЛЯРНО-ЛУЧЕВАЯ ЭПИТАКСИЯ Аннотация: Исследованы электрофизические и структурные свойства метаморфных наногетероструктур InGaAs/InAlAs/GaAs с различным дизайном метаморфного буфера. Установлено, что его использование с введенными внутрь 30-периодными сверхрешетками (CP) InGaAs/InAlAs позволяет увеличить подвижность электронов на 36 % в активном слое гетероструктуры по сравнению с образцом без CP и при этом сохранить высокое структурное качество. Для оценки структурного качества исследуемых образцов определены средние квадратичные значения шероховатости поверхности RMS с помощью измерений атомно-силовой микроскопии |
С 31 Сеничкин, А. П. Оптимизация технологии получения pHEMT-структур на подложках GaAs с профилем легирования в виде нанонитей из атомов олова / А. П. Сеничкин, А. С. Бугаев, А. Э. Ячменев // Нано- и микросистемная техника. - 2014. - № 5. - С. 15-17 : табл., граф. - Библиогр.: с. 17 (3 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Аннотация: Разработана конструкция и опробована технология изготовления pHEMT-наногетероструктур на вицинальных подложках GaAs с профилем легирования в виде нанонитей из атомов олова. Предложены способы улучшения этой технологии применительно к легированию оловом для получения заданного профиля. Изготовлен тестовый образец наногетероструктуры AlGaAs/lnGaAs с квазиодномерными каналами проводимости в квантовой яме с плотностью тока до 350мА/мм, достаточной для изготовления тестовых полевых транзисторов |
539.2 Ч-34 Чеботарев, Сергей Николаевич. Полупроводниковые наногетероструктуры с промежуточной подзоной [] : монография / С. Н. Чеботарев, В. В. Калинчук, Л. С. Лунин. - Москва : Физматлит, 2016. - 191 с. - Библиогр.: с. 174-191. - ISBN 978-5-9221-1694-7 : 506.00 р.
Рубрики: ФИЗИКА--ФИЗИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ И ДИЭЛЕКТРИКОВ Оглавление |