Г 87 Громов, Д. В. Влияние радиации на характеристики элементов на нитриде галлия / Д. В. Громов, Ю. А. Матвеев, Ю. В. Федоров // Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 5. - С. 39-48 : табл., рис. - Библиогр. : с. 48 (13 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): НИТРИД ГАЛЛИЯ -- РАДИАЦИЯ -- ИЗЛУЧЕНИЕ ИОНИРУЮЩЕЕ -- НАНОГЕТЕРОСТРУКТУРЫ Аннотация: Проведен анализ радиационных эффектов в СВЧ-полупроводниковых приборах на основе нитрида галлия воздействии ионизирующего излучения. Исследовались характеристики диодов с барьером Шоттки, а также полевых транзисторных структур. Установлены физические механизмы радиационного изменения характеристик рассматриваемых GaN элементов |
Т 48 Ткачева, А. А. Плазменное травление GaN и его твердых растворов: достижения и перспективы / А. А. Ткачева // Нано- и микросистемная техника . - 2012. - № 6. - С. 21-25 : табл. - Библиогр.: с. 25 (12 назв.) . -
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ТРАВЛЕНИЕ СУХОЕ -- НИТРИД ГАЛЛИЯ -- GAN -- ПЛАЗМА ИНДУКТИВНО-СВЯЗАННАЯ Аннотация: Представлен обзор материалов по плазменному травлению GaN и твердых растворов на его основе, включающий описание различных источников, режимов и газов, применяемых плазменном травлении материалов нитридной группы, вопросы качества травления, а также применение плазменного травления в технологии производства современных НЕМТ-транзисторов |