Б 79 Болометр с термочувствительным слоем из оксида ванадия VO x> // Российские нанотехнологии. - 2012. - Т. 7, № 5-6. - С. 44-52 : рис., табл. - Библиогр.: с. 52 (13 назв.) . - ISSN 1992-7223
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ ВОЛЬТОВАЯ -- СПОСОБНОСТЬ БОЛОМЕТРОВ ОБНАРУЖИТЕЛЬНАЯ -- БОЛОМЕТР -- ОКСИД ВАНАДИЯ Аннотация: Исследованы электрические параметры термочувствительного слоя болометра VO x и морфология его поверхности. Определена относительная погрешность измерения, вносимая оксидным слоем VO x. Представлены расчетные и экспериментальные данные нагрева слоя VO x на 1 и 200 °С в диапазонах длин волн 0.5—3.39 мкм и 5.0—12 мкм в зависимости от длительности импульса излучения в диапазоне 1 — 10 -9 с на различных подложках. Исследованы зависимости: постоянной времени, вольтовой чувствительности болометра от размера приемной площадки и материала подложки. Рассчитаны: постоянная времени болометра, вольтовая чувствительность и эквивалентные значения напряжений фундаментальных шумов в зависимости от размеров приемной площадки, материалов подложки и частоты регистрируемого излучения. Приведены значения удельного теплового потока и обнаружительной способности болометров на частотах 1, 10, 20 Гц, выполненных на различных диэлектрических подложках. Описана модульная конструкция болометра, включающая герметичный корпус с приемным окном и преобразователь сопротивление-напряжение. Приведены зависимости напряжения с выхода болометра от величины воздействующего постоянного и импульсного излучения |
О-75 Особенности технологии изготовления высокочувствительных неохлаждаемых микроболометрических матриц / С. А. Жукова, Д. Ю. Обижаев, В. Е. Турков, Д. Д. Рискин, П. Н. Кудрявцев, Ю. С. Четверов> // Нано- и микросистемная техника. - 2014. - № 5. - С. 41-47 : граф., табл., рис. - Библиогр.: с. 47 (4 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): НЕОХЛАЖДАЕМАЯ МИКРОБОЛОМЕТРИЧЕСКАЯ МАТРИЦА -- ТЕМПЕРАТУРНЫЙ КОЭФФИЦИЕНТ СОПРОТИВЛЕНИЯ -- МИКРОМОСТИКОВАЯ СТРУКТУРА -- НИТРИД КРЕМНИЯ -- ОКСИД ВАНАДИЯ -- ПОГЛОЩЕНИЕ ИНФРАКРАСНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ -- ТЕПЛОВАЯ ПОСТОЯННАЯ ВРЕМЕНИ Аннотация: Представлены результаты комплексных исследований основных характеристик микромостиковых структур, а также их зависимость от режимов изготовления и конструктивных особенностей. Изготовленные микромостиковые структуры обеспечивают оптическую плотность полосы поглощения ИК-излучения 1000 см -1 на уровне примерно 0,5, температурный коэффициент сопротивления термочувствительного слоя 1,7 %, тепловую постоянную времени в диапазоне 11,9...12,6 мс |