Инвентарный номер: нет.
   
   П 12


    Павлов, С. В.
    Модель фазовых переходов в тонкой эпитаксиальной пленке сегнетоэлектрика на подложке / С. В. Павлов // Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 3. - С. 6-9 : рис. - Библиогр. : с. 9 (2 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
МОДЕЛЬ ФЕНОМЕНОЛОГИЧЕСКАЯ -- ПЛЕНКА ТОНКАЯ -- ПОЛЯРИЗАЦИЯ СПОНТАННАЯ
Аннотация: Pассмотpена феноменологическая модель фазовых переходов в тонких пленках сегнетоэлектриков с учетом пространственной неоднородности поляризации и неоднородности деформации, а также пьезоэлектрических и электрострикционных взаимодействий пленки с подложкой. Получены теоретические температурные зависимости спонтанной поляризации, поляризационного профиля и теплоемкости в пленке, а также зависимость температуры фазового перехода от толщины пленки на подложке. Показано, что теоретические зависимости удовлетворительно согласуются с экспериментальными результатами для тонких пленок титаната бария на подложке из оксида магния


Инвентарный номер: нет.
   
   О-62


   
    Оптимизация условий формирования тонких пленок ZnO для использования в интегральных МЭМС-устройствах / Д. Г. Громов [и др.] // Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 12. - С. 27-30 : рис. - Библиогр. : с. 30 (17 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ZNO -- СОПРОТИВЛЕНИЕ УДЕЛЬНОЕ -- ПЛЕНКА ТОНКАЯ -- ПЬЕЗОЭФФЕКТ -- РАСПЫЛЕНИЕ МАГНЕТРОННОЕ -- МЭМС-УСТРОЙСТВА
Аннотация: Представлены результаты исследований тонких пленок ZnO для использования в составе интегральных МЭМС-устройствах. Пленки ZnO:Ga получены в процессе магнетронного распыления соответствующей мишени в среде аргона без нагрева подложки. Показано, что удельное сопротивление и стабильность во времени пленок ZnO:Ga существенно зависит от их толщины, воздействия солнечного излучения, внешней окружающей среды. Комплекс доведенных исследований указывает на то, что ужиной нестабильности тонких пленок ZnO являются процессы генерации и залечивания кислородных вакансий, создающие донорные уровни в запрещенной зоне ZnO. Для формирования пленок ZnO с пьезоэлектрическими свойствами требуется осаждение в среде кислорода или последующий отжиг в аналогичной среде, а повышения стабильности пленок во времени можно достигнуть с помощью покрытия, защищающего от воздействия внешней газовой среды


Инвентарный номер: нет.
   
   И 73


   
    Интегрированная наноэлектромеханическая система параметров движения / Е. В. Благов [и др.] // Нано- и микросистемная техника . - 2012. - № 2. - С. 46-48 : рис. - Библиогр. : с. 48 (4 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ПЛЕНКА ТОНКАЯ -- ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ МАГНИТОРЕЗИСТИВНЫЙ -- ДИПОЛЬ МАГНИТНЫЙ МИНИАТЮРНЫЙ -- СИСТЕМА ИНТЕГРИРОВАННАЯ НАНОЭЛЕКТРОМЕХАНИЧЕСКАЯ
Аннотация: Представлены результаты исследования конструктивно-технологических узлов для реализации интегрированных наноэлектромеханических систем. Рассмотрены методы создания миниатюрного магнитного диполя на основе магнитожестких пленок Co80Ni20 и Fe19Ni81 Исследована зависимость чувствительности тонкопленочного магниторезистивного преобразователя от тока в управляющем проводнике


Инвентарный номер: нет.
   
   Э 45


   
    Электропроводность в дисперсных металлических пленках / А. А. Агасиев, Э. М. Маггеррамов, Ч. Г. Ахундов, М. З. Мамедов, С. Н. Сармасов // Нано- и микросистемная техника . - 2012. - № 10. - С. 24-26 : рис. - Библиогр.: с. 26 (3 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ПЛЕНКА ТОНКАЯ -- ТУННЕЛИРОВАНИЕ -- ДЕФЕКТ СТРУКТУРНЫЙ -- ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТЬ
Аннотация: Рассмотрена зависимость электропроводности платиновых и никелевых пленок различной толщины от температуры и напряженности электрического поля. Зависимость электропроводности от температуры и напряженности электрического поля можно объяснить как термоэлектронной эмиссией, так и моделью Нейгебауэра и Вебба


Инвентарный номер: нет.
   
   С 58


   
    Создание интегральных компонентов усиления магнитного сигнала в беспроводной МЭМС на основе магниторезистивных элементов / В. В. Амеличев, В. В. Аравин, А. Н. Белов, А. Ю. Красюков, А. А. Резнев, А. Н. Сауров // Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 3. - С. 29-33 : рис. - Библиогр.: с. 33 (6 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
МЭМС БЕСПРОВОДНАЯ -- ПОЛЕ МАГНИТНОЕ -- ОСАЖДЕНИЕ ЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКОЕ -- ПЛЕНКА ТОНКАЯ -- ЭЛЕМЕНТЫ МАГНИТОРЕЗИСТИВНЫЕ -- ПРИНЦИП ПОСТРОЕНИЯ -- ПЕРМАЛЛОЙ
Аннотация: Представлены результаты создания интегральных компонентов усиления магнитного сигнала на основе пленок пермаллоя. Рассмотрены способы повышения чувствительности магниторезистивных преобразователей и построения на их основе беспроводных МЭМС с магнитной связью для передачи информации на малые расстояния. Приведены результаты моделирования распределения магнитного поля в полосках пермаллоя. Представлены результаты формирования концентраторов магнитного поля толщиной 10...11 мкм с помощью электрохимического осаждения


Инвентарный номер: нет.
   
   А 61


    Амеличев, В. А.
    Технологические особенности создания беспроводной магниторезистивной МЭМС контроля параметров движения / В. А. Амеличев, Е. В. Благов, Р. О. Гаврилов // Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 7. - С. 13-15 : рис. - Библиогр.: с. 15 (15 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
БАЛКА -- МЭМС МАГНИТОРЕЗИСТИВНАЯ -- СПОСОБ БЕСПРОВОДНОЙ -- ТЕХНОЛОГИЯ ИНТЕГРАЛЬНАЯ -- РАДИОКАНАЛ -- МИКРОМАГНИТ -- УСКОРЕНИЕ -- ПЛЕНКА ТОНКАЯ
Аннотация: Представлены результаты экспериментальных работ по созданию совмещенной технологии изготовления магниторезистивной МЭМС контроля параметров движения. Приведены результаты исследования совместимости технологических процессов объемной обработки кремния и формирования тонкопленочных магниторезистивных структур на одном кристалле. Рассмотрены возможности передачи по радиоканалу информационного сигнала магниторезистивной МЭМС контроля параметров движения