Инвентарный номер: нет.
   
   У 25


   
    Углеродные нанотрубные автоэмиттеры с большой плотностью эмиссионного тока: синтез и эмиссионные характеристики / Е. Ф. Куковицкий [и др.] // Нано- и микросистемная техника . - 2009. - № 10. - С. 5-9 : рис., табл. - Библиогр. : с. 9 (13 назв.) . - ISSN 1813-8586
ББК 623.7
Рубрики: ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
Кл.слова (ненормированные):
НАНОТРУБКИ УГЛЕРОДНЫЕ -- ПОДЛОЖКИ КРЕМНЕВЫЕ -- СИЛИЦИД КРЕМНИЯ -- АВТОЭМИССИЯ


Инвентарный номер: нет.
   
   С 29


    Селезнев, В. А.
    Чипы с полупроводниковыми трубками-зондами для сканирующей туннельной микроскопии / В. А. Селезнев, В. Я. Принц, И. А. // Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 4. - С. 5-8 : рис. - Библиогр. : с. 8 (36 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
МИКРОСКОПИЯ СКАНИРУЮЩАЯ ТУННЕЛЬНАЯ -- ТРУБКИ-ЗОНДЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ -- ГЕТЕРОПЛЕНКИ НАПРЯЖЕННЫЕ
Аннотация: Описан метод массового изготовления чипов с трубчатыми зондами для сканирующей туннельной микроскопии из гетероструктур InP/InxGa1- xAs/InyGaj-yAs. Технология базируется на методах самосворачивания тонких напряженных гетеропленок в трубки, анизотропном и селективном травлении подложки InP и методах, используемых в технологии изготовления интегральных схем. Впервые изготовлены микротрубки из гетеропленок InxGa 1-xAs/InyGa 1-yAs с использованием селективного анизотропного травления подложки InP. Созданные чипы с полупроводниковыми трубками-зондами перспективны для применений в высоковакуумной сканирующей туннельной микроскопии и спектроскопии, спиновой туннельной микроскопии и микроскопии ближнего поля


Инвентарный номер: нет.
   
   Н 25


   
    Нанослои полипиромеллитимидных ориентантов жидких кристаллов для устройств органической электроники / Е. С. Кузьменко, А. А. Жуков, Е. П. Пожидаев, И. Н. Компанец // Российские нанотехнологии. - 2010. - Т. 5, № 1-2 . - С. 112-116 : рис., табл. - Библиогр. : с. 116 (11 назв.) . - ISSN 1992-7223
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
НАНОСЛОИ ПОЛИПИРОМЕЛЛИТИМИДНЫЕ -- ОРИЕНТАНТЫ ДЛЯ ЖИДКИХ КРИСТАЛЛОВ -- УСТРОЙСТВА ОРГАНИЧЕСКОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ
Аннотация: Исследована структура, термодинамические и оптические свойства полипиромеллитимидных нанослоев толщиной 8-23 нм, полученных на поверхности полупроводника путем нанесения на центрифуге из растворов преполимеров, и их последующей имидизации при температурах до 453 К. Обнаружено, что с уменьшением толщины нанослоев температура и время их имидизации резко понижаются. Показано, что слои полиимида толщиной менее 10 нм на поверхности полупроводника являются не сплошными, а самоорганизующимися разрывными покрытиями с характерными размерами полимерных островков в плоскости подложки порядка сотен нанометров. Доказана возможность использования указанных сплошных и разрывных нанослоев поверхности полупроводника в качестве ориентантов для жидких кристаллов, используемых при изготовлении гибких дисплеев


Инвентарный номер: нет.
   
   М 80


   
    Морфология и структура углеродных нанотрубок, синтезированных на железном катализаторе в присутствии монооксида углерода / А. Г. Насибулин, С. Д. Шандаков, П. Р. Мудимела, Е. И. Кауппинен // Российские нанотехнологии. - 2010. - Т. 5 , № 3-4. - С. 29-35 : рис. - Библиогр. : с. 35 (47 назв.) . - ISSN 1992-7223
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
НАНОТРУБКИ УГЛЕРОДНЫЕ -- КАТАЛИЗАТОР ЖЕЛЕЗНЫЙ -- МОНООКСИД УГЛЕРОДА
Аннотация: Данная статья посвящена обзору результатов, полученных нами при изучении процессов роста углеродных нанотрубок (УНТ) на различных подложках, используя железо в качестве катализатора и СО как источник углерода. В работе обсуждается три различных подхода для нанесения катализатора: металлизация распылением и синтез частиц, используя генератор раскаленной проволочки, и их ex situ и in situ осаждение. Показана возможность роста ультрадлинных, толстых одно- и двухслойных нанотрубок, а также упорядочивание УНТ по потоку. Изучено влияние диаметра однослойных УНТ на их деформацию на поверхности подложки. Кроме того, показана возможность управления количеством стенок УНТ в зависимости от экспериментальных условий. Обсуждается роль травящих агентов в ходе синтеза УНТ


Инвентарный номер: нет.
   
   С 17


   
    Самосборка упорядоченных слоев микросфер диоксида кремния на вертикальной пластинке / С. П. Молчанов, П. В. Лебедев-Степанов [и др.] // Российские нанотехнологии. - 2010. - Т. 5 , № 5-6 . - С. 54-58 : рис. - Библиогр. : с.58 (15 назв.) . - ISSN 1992-7223
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
МИКРОСФЕРЫ ДИОКСИДА КРЕМНИЯ -- ПЛАСТИНКА ВЕРТИКАЛЬНАЯ СТЕКЛЯННАЯ -- САМОСБОРКА
Аннотация: Исследуются особенности формирования упорядоченной твердой фазы микросфер диоксида кремния из коллоидного раствора на поверхности стеклянной вертикальной пластинки. Изучены механизмы формирования твердой фазы при автоколебательном режиме движения контактной линии раствора и подложки, когда формируется структура переменной толщины. Установлена закономерность получения решетки гексагонального и кубического типа в такой системе частиц


Инвентарный номер: нет.
   
   Ш 75


    Шмырева, А. Н.
    Электронные сенсоры на основе наноструктурных пленок оксида церия / А. Н. Шмырева, А. В. Борисов, Н. В. Максимчук // Российские нанотехнологии. - 2010. - Т. 5, № 5-6 . - С. 99-104 : рис., табл. - Библиогр. : с.104 (24 назв.) . - ISSN 1992-7223
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
СЕНСЕРЫ ЭЛЕКТРОННЫЕ -- ПЛЕНКИ НАНОСТРУКТУРНЫЕ -- МЕТОД РЕНТГЕНОВСКОЙ ФОТОЭЛЕКТРОННОЙ СПЕКТРОСКОПИИ
Аннотация: Изучено влияние технологических параметров получения наноструктурных пленок СеОх на электронные, структурные, оптические и фотоэлектрические характеристики с целью их применения в качестве активного элемента различных микроэлектронных сенсоров: высокоэффективных фоторезисторов и МДП-фотодиодов для регистрации биолюминесценции, ион-селективных полевых транзисторов (ИСПТ) и МДП-варакторов, реагирующих на изменение рН в результате биохимических процессов. Анализ методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии РФЭС показал, что в зависимости от технологических режимов, прежде всего от температуры подложки, изменяется соотношение концентраций ионов Се3+ и Се4+ в пленках СеОх, что приводит к изменению ширины запрещенной зоны. Установлена корреляция этих изменений с оптическими и фотоэлектрическими характеристиками. На основе разработанных высокочувствительных фотоприемников и живых организмов (дафнии и биолюминесцентные бактерии) создан портативный электронный биолюменометрический комплекс для определения общей токсичности среды, вызванной патулином, бифентрином и хлорпирофосом. Минимальный порог чувствительности составил для патулина 0.1 мг/л за 2 ч и 0.01 мг/л за 6 и 24 ч эксперимента, бифентрина - 0.01 мг/л за 3 ч и 0.0001 мг/л за 24 ч эксперимента. Показано, что применение нанокристаллических пленок оксида церия СеОх в качестве диэлектрика МДП-структур повышает чувствительность и стабильность сенсоров этого типа благодаря высокой плотности поверхностных чувствительных центров CeOх (до 1020 м-2), большому значению диэлектрической проницаемости (? = 26) и ширине запрещенной зоны (3.6 эВ), низким значениям токов утечек. Приведены результаты применения ИСПТ и МДП-варакторов с нанокристаллической пленкой CeOх для создания иммунных и ферментных биосенсоров. Порог чувствительности ферментного сенсора на основе холинэстеразы к фосфорорганическим пестицидам составляет 10-9 М, ионам тяжелых металлов - 10-7 М. рН-чувствительность ИСПТ - 58 мВ/рН, что близко к максимально возможной чувствительности для структуры полупроводник-диэлектрик-раствор, т.н. Нернстовской чувствительности - 59 мВ/рН


Инвентарный номер: нет.
   
   Е 30


    Егоров, Г. П.
    Измерение внутренних напряжений в нанопленках in-situ / Г. П. Егоров, А. А. Волков, А. Л. Устюжанинов // Российские нанотехнологии. - 2010. - Т. 5, № 7-8 . - С. 74-78 : табл., рис. - Библиогр. : с. 78 (11 назв.) . - ISSN 1992-7223
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
НАНОПЛЕНКИ IN-SITU -- МЕТОД ИЗМЕРЕНИЯ ВНУТРЕННИХ НАПРЯЖЕНИЙ -- ПЛАСТИНА КОНСОЛЬНО ЗАКРЕПЛЕННАЯ
Аннотация: Описан метод измерения внутренних напряжений в нанопленках in-situ. Внутренние механические напряжения непосредственно влияют на работоспособность пленочных структур в микроэлектронных приборах. Метод основан на измерении прогибов консольно закрепленной пластины во время осаждения нанопленок в вакууме. В работе использован магнетронный способ нанесения покрытий в вакууме. Для определения прогиба консоли измерялась емкость конденсатора, образованного неподвижной обкладкой, закрепленной на стойке, и обкладкой, прикрепленной к свободному концу тонкой пластины. Для измерения малой емкости конденсатор включен в цепь мультивибратора. Проведены эксперименты по измерению напряжений in-situ при нанесении пленок Ti и Си на медные подложки. Установлено, что напряжения, возникающие в титановой пленке, - растягивающие, а в медной пленке - сжимающие, а их величина существенно меняется при напуске воздуха в вакуумную камеру. Полученные результаты показывают перспективность данного метода исследования механических напряжений в нанопленках не только для прямого измерения возникающих напряжений, но и эффектов взаимодействия газов с наноструктурными пленками in-situ


Инвентарный номер: нет.
   
   М 76


    Молчанов, С. П.
    Влияние температуры подложки на самосборку частиц в испаряющейся капле коллоидного раствора / С. П. Молчанов, П. В. Лебедев-Степанов, М. В. Алфимов // Российские нанотехнологии. - 2010. - Т. 5, № 9-10. - С. 61-66 : рис., табл. - Библиогр. : с. 66 (18 назв.) . - ISSN 1992-7223
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
КАПЛЯ КОЛЛОИДНОГО РАСТВОРА -- СИЛЫ САМОСБОРКИ -- ВЛИЯНИЕ ТЕМПЕРАТУРЫ
Аннотация: Показано, что морфологией ансамбля коллоидных частиц, осажденных на подложку из испаряющейся капли коллоидного раствора, можно управлять, изменяя температуру подложки относительно температуры наносимого раствора и окружающей среды. Обсуждаются основные движущие силы самосборки при наличии градиента температуры внутри капли


Инвентарный номер: нет.
   
   И 88


   
    Исследование структуры однослойных покрытий TiN и многослойных покрытий TiN/ZrN / П. Л. Журавлева, И. А. Тренинков [и др.] // Российские нанотехнологии. - 2010. - Т. 5, № 9-10. - С. 112-116 : рис., табл. - Библиогр. : с. 116 (4 назв.) . - ISSN 1992-7223
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ПОКРЫТИЯ ОДНОСЛОЙНЫЕ TIN -- ПОКРЫТИЯ МНОГОСЛОЙНЫЕ TIN/ZRN -- МЕТОД ПРОСВЕЧИВАЮЩЕЙ ЭЛЕКТРОННОЙ МИКРОСКОПИИ (пэм) -- МЕТОД РЕНТГЕНОСТРУКТУРНОГО АНАЛИЗА (РСА)
Аннотация: B работе исследована структура ионоплазменных покрытий (однослойное - TiN и многослойное - TiN/ZrN), нанесенных на подложки из сплава ЭИ961, и определены величины остаточных напряжений в основных фазах покрытий. Исследование методом растровой электронной микроскопии (РЭМ) показало, что покрытие TiN/ZrN имеет периодичную слоистую структуру. Измерены толщины покрытий (~ 17 мкм) и толщины отдельных слоев (~ 75 нм). Результаты темнопольных исследований методом просвечивающей электронной микроскопии (ПЭМ) показали, что слои TiN и ZrN являются поликристаллическими, размеры зерен сопоставимы с размерами слоев. Методом рентгеноструктурного анализа (РСА) определен фазовый состав покрытий, выбраны рентгеновские линии для определения остаточных напряжений (ОН), установлена однородность химического состава по глубине покрытия. В результате анализа остаточных напряжений показано, что в многослойном покрытии величина ОН на 40 % меньше, чем в однослойном. Напряжения в покрытиях являются сжимающими. Образцы с покрытием находятся в объемном напряженном состоянии, следовательно, напряжения в подложках обратны по знаку напряжениям в покрытиях. В многослойном покрытии величина ОН в фазе TiN на порядок меньше, чем в фазе ZrN


Инвентарный номер: нет.
   
   В 58


   
    Влияние компонентов дисперсионной среды на структуру и свойства металл-полимерных композиций на основе наночастиц серебра и золота / А. И. Лоскутов, О. Я. Урюпина, В. В. Высоцкий, М. Р. Киселев // Нанотехника. - 2010. - № 1. - С. 39-45 : табл., рис. - Библиогр. : с. 45 (8 назв.) . - ISSN 1816-4498
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
НАНОЧАСТИЦЫ СЕРЕБРА И ЗОЛОТА -- СВОЙСТВА МЕТАЛЛ-ПОЛИМЕРНЫХ КОМПОЗИЦИЙ -- СРЕДА ДИСПЕРСИОННАЯ
Аннотация: Методами зондовой микроскопии, оптической спектроскопии, динамического рассеяния света и термогравиметрии исследованы процессы образования наночастиц (НЧ) серебра и золота в коллоидных растворах и формирования новых металл-биополимерных нанокомпозитных материалов на твердых поверхностях. Установлена связь между химической активностью функциональных групп в макромолекулах оксицеллюлозы и средними размерами НЧ золота в коллоидных растворах. Размеры НЧ золота в коллоидных растворах практически совпадают с размерами НЧ золота в нанокомпозитных слоях. Наличие НЧ золота увеличивает термическую прочность металл-полимерных композиций. Существенную роль в повышении термической прочности играет и взаимодействие НЧ с подложкой. Замена восстановителей золота (формальдегид, танин) на производные целлюлозы приводит к изменению структуры полимерной матрицы: от глобулярной к фибриллярной вследствие уменьшения числа межмолекулярных связей целлюлозы. Этот же эффект наблюдается и при взаимодействии дисперсионной среды со свежеприготовленной поверхностью подложки. Локальные туннельные вольтамперные характеристики (ЛТВАХ) нанокомпозитных слоев имеют нелинейный вид. Нелинейность ЛТВАХ и, в частности, их S-образная форма, обусловлены механизмом переноса заряда через полимерную матрицу. Ширина запрещенной зоны композитов на основе НЧ серебра составляет 0,5-0,7 эВ, а золота - близка к нулю. Основными механизмами проводимости нанокомпозитных слоев являются: токи, ограниченные пространственным зарядом, и механизм Пула-Френкеля. Предложена модель формирования нанокомпозитных слоев и рассмотрены области их практического применения


Инвентарный номер: нет.
   
   К 17


    Калюжный, Д. Г.
    Использование сканирующего устройства для напыления углеродных нанопленок методом лазерной абляции / Д. Г. Калюжный, Р. Г. Зонов, Г. М. Михеев // Нанотехника. - 2010. - № 2. - С. 52-54 : рис. - Библиогр. : с. 54 (14 назв.) . - ISSN 1816-4498
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
МЕТОД ЛАЗЕРНОЙ АБЛЯЦИИ -- ПЛЕНКИ УГЛЕРОДНЫЕ -- УСТРОЙСТВА СКАНИРУЮЩИЕ
Аннотация: Показана возможность получения углеродных пленок на поверхности поддерживающих подложек методом лазерного испарения в вакууме, путем сканирования лазерного луча по поверхности неподвижной мишени. Пленки углерода наносились на кварцевые и стеклянные подложки. Скорость роста пленки 5,5 нм/мин. Были получены пленки толщиной от 20 нм до 3 мкм


Инвентарный номер: нет.
   
   П 76


   
    Применение нанокристаллического бемита в технологии подложек микросхем / Е. С. Лукин, Ю. А. Мазалов, Н. А. Попова, А. В. Федоров // Нанотехника. - 2010. - № 2 . - С. 63-66 : рис. - Библиогр. : с. 66 (6 назв.) . - ISSN 1816-4498
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
БЕМИТ НАНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ -- ПОДЛОЖКИ МИКРОСХЕМ -- СВОЙСТВА ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ
Аннотация: Приведены результаты экспериментальных исследований порошка нанокристаллического бемита, процесса уплотнения, микроструктуры и свойств корундовой керамики с пониженной температурой спекания. Керамические материалы, полученные из нанокристаллического бемита с подобранными добавками, спекаются до нулевой плотности при пониженных температурах, не выше 1400 - 1550°С. Керамика характеризуется мелкокристаллической структурой, имеет высокие диэлектрические свойства. Материалы являются перспективными в качестве подложек микросхем и спаев с металлами


Инвентарный номер: нет.
   
   Х 20


   
    Характеристики нанотолщинного композита на гибкой подложке при деформациях изгиба / Д. А. Мудрецов, А. А. Жуков , Е. С. Кузьменко, И. Н. Компанец // Нанотехника. - 2010. - № 2 . - С. 72-77 : табл., рис. - Библиогр. : с. 77 (4 назв.) . - ISSN 1816-4498
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
КОМПОЗИТ НАНОТОЛЩИННЫЙ -- ПОДЛОЖКИ ГИБКИЕ ИЗ PES и PETF -- ПЛЕНКА ПОЛИМЕРНАЯ PMDA-ODA -- МИКРОШЕРОХОВАТОСТЬ
Аннотация: Исследованы до и после деформации на изгиб характеристики изготовленного на гибких подложках из PES и PETF нанотолщинного композитного покрытия из слоев прозрачного проводящего ITO и полимерной пленки PMDA-ODA. Показано, что минимальный радиус, еще не приводящий к разрушениям композиционного покрытия, при деформации сжатия (на внутренней стороне изгиба) на 14% меньше, чем при деформации растяжения (на внешней стороне изгиба). Микрошероховатость, вызываемая деформацией сжатия, больше при деформации растяжения на 80%. Образец на основе PETF с изотропным ориентантом показал на 1 мм меньший предельный радиус кривизны, чем образец на основе PES. При нанесении анизотропного ориентанта удельное поверхностное сопротивление слоя ITO возрастало приблизительно на 70%


Инвентарный номер: нет.
   
   П 32


    Пивоненков, Б. И.
    Трехкомпонентный пьезорезистивный мэм-акселерометр / Б. И. Пивоненков, В. М. Школьников // Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 11. - С. 43-47 : рис., табл., граф. - Библиогр. : с. 47 (4 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
АКСЕЛЕРОМЕТР ПЬЕЗОРЕЗИСТИВНЫЙ -- АКСЕЛЕРОМЕТР ТРЕХКОМПОНЕНТНЫЙ -- МЭМС
Аннотация: Описан трехкомпонентный пьезорезистивный МЭМ-акселерометр с одним упругим элементом, с воздушным демпфированием и ограничителями перемещения груза. Обоснованы и рассчитаны оптимальные параметры акселерометра: внутренний размер чувствительного элемента для разных толщин пластины, длина и ширина перемычек, уточнены требования к тензорезисторам. Приведены оптимальные параметры акселерометра на диапазон 10 g двух толщинах подложки: 450 и 600 мкм. Даны предложения по параметрам акселерометра для серийного освоения и по модификациям, в которых его целесообразно выпускат


Инвентарный номер: 208039 - ИМЕТ.
   539.2
   И 30


    Иевлев, Валентин Михайлович.
    Тонкие пленки неорганических материалов: механизм роста и структура [] : учеб. пособие / В. М. Иевлев. - Воронеж : Издательско-полиграфический центр Воронежский государственный университет, 2008. - 496 с. : фото, рис., граф. - ISBN 978-5-9273-1258-0 : 20.00 р.
Пометки автора: Дорогому Николаю Анатольевичу с благодарностью и пожеланиями всего самого доброго. 23.04.08
ГРНТИ
ББК 539.212.6я73
Рубрики: ФИЗИКА--ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА--КРИСТАЛЛОГРАФИЯ--УЧЕБНИКИ ДЛЯ ВУЗОВ


Инвентарный номер: нет.
   
   С 60


    Соловьев, В. В.
    Модель прецизионной обработки твердых хрупких кристаллических материалов с получением нанометрового рельефа поверхности [] / В. В. Соловьев // Нано- и микросистемная техника . - 2010. - №12. - С. 10-14 : рис. - Библиогр. : с. 14 (5 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ЛЕЙКОСАПФИР -- МИКРОЭЛЕКТРОНИКА -- КВАЗИПЛАС ОБРАБОТКА КВАЗИПЛАСТИЧНАЯ ПОВЕРХНОСТНАЯ -- ПОДЛОЖКИ
Аннотация: Все большее применение алмазы и другие алмазоподобные твердые материалы находят в промышленности. Монокристаллы лейкосапфира благодаря своим свойствам находят широкое применение при производстве высокотехнологичных изделий в области нанотехнологий. Шероховатость поверхности подложки является важным параметром при изготовлении высокочастотных приборов. Наличие дислокаций, микротрещин приводит к образованию дефектов в эпитаксиальных слоях, ухудшая эксплуатационные свойства микросхем. Для изготовления указанных изделий необходима прецизионная обработка поверхности с получением нанометрового рельефа. Традиционная обработка представляет собой сложную технологическую схему с финишным полированием в агрессивных средах. Перспективный метод квазипластичной обработки позволяет получать на этапе алмазного шлифования высококачественную поверхность


Инвентарный номер: нет.
   
   С 38


   
    Синтез электрокатализаторов для топливных элементов в среде сверхкритического диоксида углерода / Т. Е. Григорьев [и др.] // Российские нанотехнологии. - 2011. - Т. 6, № 5-6. - С. 69-78 : табл., рис. - Библиогр. : с. 78 (33 назв.) . - ISSN 1992-7223
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
УГЛЕРОД -- СИНТЕЗ ЭЛЕКТРОКАТАЛИЗАТОРОВ -- ЭЛЕМЕНТЫ ТОПЛИВНЫЕ -- ДИОКСИД УГЛЕРОДА
Аннотация: Mы использовали метод прямого осаждения металлоорганического прекурсора из раствора в сверхкритическом диоксиде углерода на поверхность дисперсной углеродной подложки с последующим восстановлением для получения ряда электрокаталитических материалов в форме частиц наноразмерной платины на дисперсном углеродном носителе (углеродная сажа Vulcan XC72r, ацетиленовая сажа, нанотрубки). Синтезированные материалы стабильно характеризовались монодисперсным распределением платиновых частиц по размерам со средним диаметром 2-3 нм, независимо от природы подложки, а также однородным распределением по поверхности носителя. Полученные электрокатализаторы были протестированы в составе работающего катодного электрода фосфорнокислотного топливного элемента с полибензимидазольной матрицей. При этом мембранно-электродный блок, собранный с таким катодом, показал вольтамперные характеристики, не уступающие реперным характеристикам, достигаемым с электродами производства компании BASF


Инвентарный номер: нет.
   
   П 53


   
    Получение монокристаллов натрий-ванадиевых бронз и исследование их физико-химических и эмиссионно-геттерных характеристик / Л. И. Ивлева [и др.] // Российские нанотехнологии. - 2011. - Т. 6, № 5-6. - С. 115-119 : рис., табл. - Библиогр. : с. 119 (17 назв.) . - ISSN 1992-7223
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
МОНОКРИСТАЛЛЫ -- ПОЛУЧЕНИЕ МОНОКРИСТАЛЛОВ -- МОНОКРИСТАЛЛЫ НАТРИЙ-ВАНАДИЕВЫХ БРОНЗ -- ХАРАКТЕРИСТИКИ ЭМИССИОННО-ГЕТТЕРНЫЕ
Аннотация: Исследованы физико-химические характеристики кристаллов оксидной натрий-ванадиевой бронзы, выращенных из собственных расплавов методом Чохральского, как перспективного материала для разработки активных зондов сканирующей туннельной микроскопии. В работе рассмотрены примеры использования активных зондов, изготовленных из монокристалла натрий-ванадиевой бронзы, для создания поверхностных наноструктур за счет эмиссии активных ионов из структурных каналов оксидной ванадиевой бронзы на подложку (эмиттер) и для очистки поверхностей на атомарном уровне путем геттерирования примесных ионов из подложки в канальную структуру кристалла (наногеттер)


Инвентарный номер: нет.
   
   В 19


    Васильев , В. А.
    Диффузионная модель роста и морфология поверхностей тонких пленок материалов / В. А. Васильев , П. С. Чернов // Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 11. - С. 11-16 : рис. - Библиогр. : с. 16 (15 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ПЛЕНКИ ТОНКИЕ -- МОРФОЛОГИЯ ПОВЕРХНОСТЕЙ -- АВТОМАТ КЛЕТОЧНЫЙ СТОХАСТИЧЕСКИЙ
Аннотация: Дан обзор моделей роста поверхностей материалов. Предложена оригинальная модель роста поверхности тонких пленок, представляющая собой стохастический клеточный автомат и учитывающая диффузию частиц. Она позволяет исследовать влияние температуры подложки, скорости и времени осаждения на параметры, характеризующие морфологию поверхности. Представлены результаты сравнения экспериментальных данных, полученных с помощью атомно-силовой микроскопии, и теоретических, полученных путем моделирования с использованием предложенной диффузионной модели


Инвентарный номер: нет.
   
   Н 16


    Нагель, М. Ю.
    Моделирование роста осаждаемых пленок / М. Ю. Нагель, Ю. В. Мартыненко // Российские нанотехнологии. - 2011. - Т. 6, № 9-10. - С. 104-108 : рис., табл. - Библиогр. : с. 108 (15 назв.) . - ISSN 1992-7223
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ПЛЕНКИ -- МОДЕЛИРОВАНИЕ -- КОНЦЕНТРАЦИЯ КЛАСТЕРОВ -- ПОЛИКРИСТАЛЛ -- АДАТОМЫ
Аннотация: Описан численный код, позволяющий моделировать процесс образования осаждаемых пленок, а также приведены результаты расчета размера зерна поликристаллической пленки в зависимости от параметров осаждения. Рассмотрены процессы, происходящие на поверхности подложки: движение адсорбированных атомов (адатомов) по поверхности, их объединение в кластеры, рост кластеров, приводящий к образованию поликристалла. Показано, что со временем осаждения концентрация кластеров достигает насыщения С, а размер зерен образующегося в последующем поликристалла равен d = C-1/2. Концентрация кластеров растет при увеличении потока атомов на подложку и при уменьшении коэффициента диффузии атомов по поверхности D. Причем размер зерна поликристалла зависит от безразмерного параметра ф = qa4/D (а - атомный размер, q - поток атомов на подложку), как d=ф -1/4-ф -1/6. Концентрация кластеров растет (а размер зерен убывает) при затрудненном образовании кластеров: при убывании сечения захвата атомов кластерами и атомами, при наличии силы отталкивания атомов друг от друга и от кластеров