Инвентарный номер: нет.
   
   Т 35


   
    Термоэлектрический преобразователь из кремния [Текст] // Нанотехнологии: наука и производство. - 2008. - № 1. - С. 76-77. -
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
КРЕМНИЕВЫЕ НАНОСТРУНЫ -- ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА


Инвентарный номер: нет.
   
   А 23


    Агафонов, В. М.
    Моделирование физических процессов в молекулярно-электронном преобразователе, созданном на основе планарных технологий [] / В. М. Агафонов, А. А. Орел // Нано- и микросистемная техника . - 2008. - № 5. - С. 50-57 : рис. - Библиогр.: с. 57 (11 назв.) . -
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
МОЛЕКУЛЯРНО-ЭЛЕКТРОННЫЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ -- ПЛАНАРНЫЕ ТЕХНОЛОГИИ


Инвентарный номер: нет.
   
   Т 88


    Туркин , И. А.
    Эффекты отражения от краев экранирующих шин в однонаправленных ВШП фильтров на ПАВ [Текст] / И. А. Туркин // Нано- и микросистемная техника . - 2009. - № 2. - С. 26-29 : рис. - Библиогр. : с. 29 (4 назв.) . - ISSN 1813-8586
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ПОВЕРХНОСТНАЯ АКУСТИЧЕСКАЯ ВОЛНА -- ФИЛЬТР -- ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ ВСТРЕЧНО-ШТЫРЕВОЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ -- ПОЛОСА ПРОПУСКАНИЯ -- ПУЛЬСАЦИИ АМПЛИТУДЫ -- НЕРАВНОМЕРНОСТЬ ГРУППОВОГО ВРЕМЕНИ ЗАПАЗДЫВАНИЯ


Инвентарный номер: нет.
   
   Р 17


   
    Разработка и создание опытных образцов искусственных тактильных механорецепторов для эндоскопии [Текст] / В. В. Амеличев [и др.] // Нано- и микросистемная техника . - 2009. - № 2. - С. 30-33 : рис. - Библиогр. : с. 33 (4 назв.) . - ISSN 1813-8586
ББК 68
Рубрики: ТРАНСПОРТ
Кл.слова (ненормированные):
ТЕНЗОРЕЗИСТИВНЫЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ -- ИНТЕГРАЛЬНЫЙ ТАКТИЛЬНЫЙ ДАТЧИК


Инвентарный номер: нет.
   
   П 27


   
    Перспективы создания миниатюрного источника тока на бета-вольтаическом эффекте с использованием в качестве активного элемента изотопа никеля-63 / А. А. Резнев [и др.] // Нано- и микросистемная техника . - 2009. - № 3. - С. 14-15 : рис. - Библиогр. : с. 16 (6 назв.) . - ISSN 1813-8586
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ИЗОТОП НИКЕЛЯ-63 -- КРЕМНИЕВЫЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ -- БЕТА-ВОЛЬТАИЧЕСКИЙ ЭФФЕКТ


Инвентарный номер: нет.
   
   Д 25


   
    Двухканальный емкостной преобразователь ускорений / С. П. Тимошенков [и др.] // Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 1. - С. 46-48 : рис., табл. - Библиогр. : с. 48 (2 назв.) . - ISSN 1813-8586
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
СИСТЕМЫ МИКРОЭЛЕКТРОМЕХАНИЧЕСКИЕ -- АКСЕЛЕРОМЕТРЫ ЕМКОСТНЫЕ -- ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ УСКОРЕНИЙ


Инвентарный номер: нет.
   
   А 67


   
    Анизотропные магниторезистивные преобразователи на основе ферромагнитных нано- структур с различным содержанием кобальта / В. В. Амеличев [и др.] // Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 2. - С. 22-24 : рис. - Библиогр. : с. 24 (5 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ АНИЗАТРОПНЫЙ МАГНИТОРЕЗИСТИВНЫЙ -- НАНОСТРУКТУРА ТОНКОПЛЕНОЧНАЯ ФЕРРОМАГНИТНАЯ
Аннотация: Представлены результаты научных исследований и разработки анизотропных магниторезистивных преобразователей магнитного поля и тока на основе тонкопленочных металлических ферромагнитных наноструктур с различным содержанием кобальта


Инвентарный номер: нет.
   
   А 94


    Афонин, С. М.
    Абсолютная устойчивость системы управления деформацией электроупругого преобразователя нано-и микроперемещений / С. М. Афонин // Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 5. - С. 25-32 : рис. - Библиогр. : с. 32 (12 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ ЭЛЕКТРОУПРУГИЙ -- СИСТЕМА УПРАВЛЕНИЯ ДЕФОРМАЦИЕЙ -- НАНО- И МИКРОПЕРЕМЕЩЕНИЯ
Аннотация: Определено множество положений равновесия в системе управления деформацией электроупругого преобразователя нано- и микроперемещений. Получены условия абсолютной устойчивости системы управления деформацией электроупругого преобразователя для детерминированных и случайных воздействий


Инвентарный номер: нет.
   
   Д 72


    Драгунов, В. П.
    Электростатический микроэлектромеханический преобразователь с последовательной схемой включения компонентов / В. П. Драгунов, Д. И. Остертак // Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 6 . - С. 37-43 : рис. - Библиогр. : с. 43 (15 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
КОНДЕНСАТОР ПЕРЕМЕННЫЙ -- ГЕНЕРАТОР МИКРОМОЩНЫЙ -- ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ МИКРОЭЛЕКТРОМЕХАНИЧЕСКИЙ
Аннотация: Представлены результаты теоретических и экспериментальных исследований одноконденсаторных микроэлектромеханических преобразователей механической энергии в электрическую энергию с последовательным включением компонентов. Проанализирована работа преобразователя и получены аналитические выражения для расчета его характеристик. Рассчитаны и измерены зависимости напряжения, выделяемого на сопротивлении нагрузки, от времени и частоты модуляции емкости. Установлено, что зависимость выделяемой в нагрузке мощности от частоты и сопротивления нагрузки имеет максимум


Инвентарный номер: нет.
   
   Т 38


   
    Технологический вариант реализации конструкции бис преобразователя емкость-напряжение для микроэлектромеханических датчиков / А. И. Белоус, И. В. Гасенкова [и др.] // Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 8. - С. 2-6 : рис., табл. - Библиогр. : с. 6 (6 наим.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ДАТЧИКИ МИКРОЭЛЕКТРОМЕХАНИЧЕСКИЕ -- КОНСТРУКЦИЯ И ТЕХНОЛОГИЯ ПОСТРОЕНИЯ -- ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ ЕМКОСТЬ-НАПРЯЖЕНИЕ
Аннотация: Рассмотрен один из вариантов конструктивно-технологического построения и создания БИС преобразователя емкость-напряжение для электронной схемы миниатюрных микроэлектромеханических датчиков с емкостным выходом. Предлагаемая БИС может быть использована для построения широкой номенклатуры МЭМС с емкостным выходом от чувствительного элемента на основе анодного оксида алюминия


Инвентарный номер: нет.
   
   Р 24


   
    Расчет терморезистивного анемометрического преобразователя на мембране / А. А. Бобров, А. Ф. Попков [и др.] // Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 8. - С. 34-39 : рис. - Библиогр. : с. 39 (6 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ТЕХНИКА НАНО- И МИКРОСИСТЕМНАЯ -- ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ РАСХОДА ГАЗА -- ТЕРМОРЕЗИСТОРЫ
Аннотация: Дан теоретический анализ температурного режима работы в стационарном режиме терморезистивного анемометра на основе кремниевой мембраны в качестве сенсора, регистрирующего значение скорости и расхода газового потока. Описана конструкция разрабатываемого анемометрического преобразователя, его термодинамическая модель и обсуждается связь его конструктивных параметров с выходными характеристиками сенсора. Приведены результаты экспериментальной проверки обсуждаемой модели


Инвентарный номер: нет.
   
   И 88


   
    Исследование выходного отклика резистивного анемометрического преобразователя расхода газа мембранного типа в стационарном и импульсном режимах нагрева / А. А. Бобров, Н. А. Дюжев [и др.] // Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 9. - С. 23-27 : рис. - Библиогр. : с. 27 (6 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ РАСХОДА ГАЗА -- МЕМБРАНА ТЕРМОКОМПЕНСИРОВАННАЯ -- ТЕРМОРЕЗИСТОРЫ
Аннотация: Описаны конструкция и принцип работы разработанного терморезистивного анемометричного преобразователя для газовых сред мембранного типа. Приводятся результаты измерений выходного разностного сигнала преобразователя в стационарном и импульсном режимах. Приведены оценки динамического диапазона измерений преобразователя и оценка ресурса его работы в автономном режиме


Инвентарный номер: нет.
   
   Г 59


    Годовицын, И. В.
    Перспективная конструкция миниатюрного тензорезистивного преобразователя давления / И. В. Годовицын // Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 10. - С. 2-8 : рис., табл. - Библиогр. : с. 8 (32 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ПРЕОбРАЗОВАТЕЛИ ДАВЛЕНИЯ МИНИАТЮРНЫЕ -- ТЕХНОЛОГИЯ ПОВЕРХНОСТНОЙ МИКРООБРАБОТКИ
Аннотация: Предлагается конструкция миниатюрного тензорезистивного преобразователя давления на КНИ-структуре. Преобразователь имеет тензорезисторы из монокристаллического кремния и мембрану из полиметаллического кремния, что позволяет совместить в конструкции достоинства традиционных и миниатюрных преобразователей давления - высокую чувствительность и маленькие габаритные размеры. Доведен расчет основных параметров преобразователя с помощью конечно-элементного моделирования. Доведен анализ параметров предложенного преобразователя в сравнении с преобразователями других типов


Инвентарный номер: нет.
   
   Б 43


    Белкин, Л. М.
    Применение оптоэлектронного подхода для преобразования и размножения частот сигналов сверхвысокочастотного диапазона / Л. М. Белкин, М. Е. Белкин // Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 11. - С. 4-10 : рис. - Библиогр. : с. 10 (17 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ОПТОЭЛЕКТРОНИКА СВЕРХВЫСОКОЧАСТОТНАЯ -- ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ ЧАСТОТЫ ОПТОЭЛЕКТРОННЫЙ -- ЛАЗЕР ПОВЕРХНОСТНО ИЗЛУЧАЮЩИЙ -- ЛАЗЕР С ВЕРТИКАЛЬНЫМ РЕЗОНАТОРОМ (VCSEL) -- СИСТЕМА ВОЛОКОННО-ЭФИРНАЯ ТЕЛЕКОММУНИКАЦИОННАЯ (ROF)
Аннотация: Теоретически и экспериментально исследуется экономичная схема построения оптоэлектронного преобразователя частоты на базе поверхностно излучающего лазера с вертикальным резонатором (VCSEL). Приводятся результаты разработки моделей, описывающих его работу в режимах преобразования (ОЭПЧ) и размножения (ОЭРЧ) частот СВЧ диапазона, и расчета ключевого параметра преобразователя частоты - потерь преобразования. Согласно результатам расчетов и близким к ним экспериментальным данным, полученным с помощью разработанных макетов S-диапазона, потери повышающего преобразования ОЭПЧ составляют около 36 дБ, а ОЭРЧ - около 45 дБ. Рассматривается пример построения на базе ОЭРЧ экономичной схемы обратного канала базовой станции перспективной телекоммуникационной системы волоконно-эфирной структуры


Инвентарный номер: нет.
   
   Т 33


   
    Тензорезистивный кремниевый МЭМС-преобразователь давления мембранного типа / В. С. Суханов [и др.] // Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 12. - С. 36-37 : рис., табл. - Библиогр. : с. 37 (4 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ ДАВЛЕНИЯ -- ДАТЧИК ДАВЛЕНИЯ -- ТИП МЕМБРАННЫЙ
Аннотация: Описана конструкция кремниевого интегрального преобразователя давления мембранного типа с тремя жесткими центрами, изготовленного по групповой интегральной технологии размером 6,2 x 6,2 мм. Проведено моделирование чувствительного элемента (ЧЭ) давления с помощью ПО ANSYS методом конечных элементов. Представлена трехмерная модель чувствительного элемента давления с иллюстрацией механических напряжений и деформации мембраны чувствительного элемента. ЧЭ реализован в макетном образце первичного преобразователя давления, представлены характеристики макетного образца


Инвентарный номер: нет.
   
   П 84


   
    Профилированный магниторезистивный микрочип биосенсорного устройства регистрации магнитных меток / В. В. Амеличев [и др.] // Нано- и микросистемная техника . - 2011. - С. 52-54 : рис. - Библиогр. : с. 54 (5 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
УСТРОЙСТВО БИОСЕНСОРНОЕ -- БИОМАТЕРИАЛ -- ТЕХНОЛОГИЯ ИНТЕГРАЛЬНАЯ -- ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ МАГНИТОРЕЗИСТИВНЫЙ -- МЕТКА МАГНИТНАЯ -- СТРУКТУРА ТОНКОПЛЕНОЧНАЯ
Аннотация: Разработана конструкция профилированного магниторезистивного микрочипа биосенсорного устройства регистрации магнитных меток, представляющая собой массив чувствительных элементов, размещенных на кремниевом кристалле. Показан способ организации выборки массива, позволяющий минимизировать необходимое число выводов микрочипа. Разработана сложносовмещенная технология, обеспечивающая формирование на одном кристалле тонких мембран, полупроводниковых активных элементов и тонкопленочных магниторезистивных наноструктур


Инвентарный номер: нет.
   
   И 73


   
    Интегрированная наноэлектромеханическая система параметров движения / Е. В. Благов [и др.] // Нано- и микросистемная техника . - 2012. - № 2. - С. 46-48 : рис. - Библиогр. : с. 48 (4 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ПЛЕНКА ТОНКАЯ -- ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ МАГНИТОРЕЗИСТИВНЫЙ -- ДИПОЛЬ МАГНИТНЫЙ МИНИАТЮРНЫЙ -- СИСТЕМА ИНТЕГРИРОВАННАЯ НАНОЭЛЕКТРОМЕХАНИЧЕСКАЯ
Аннотация: Представлены результаты исследования конструктивно-технологических узлов для реализации интегрированных наноэлектромеханических систем. Рассмотрены методы создания миниатюрного магнитного диполя на основе магнитожестких пленок Co80Ni20 и Fe19Ni81 Исследована зависимость чувствительности тонкопленочного магниторезистивного преобразователя от тока в управляющем проводнике


Инвентарный номер: нет.
   
   М 61


   
    Миниатюрный тензорезистивный преобразоватеаь давления с высокой чувствительностью / И. В. Головицын, В. В. Амеличев, В. В. Панков, А. Н. Сауров // Нано- и микросистемная техника . - 2012. - № 6. - С. 26-29 : рис., табл. - Библиогр.: с. 29 (19 назв.) . -
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ТЕНЗОРЕЗИСТОРЫ -- ТЕХНОЛОГИЯ ПОВЕРХНОСТНОЙ МИКРООБРАБОТКИ -- ПРЕОБРАЗОВАТЕЛИ ДАВЛЕНИЯ МИНИАТЮРНЫЕ
Аннотация: Описана разработка технологического маршрута и изготовление миниатюрного преобразователя давления на КНИ-структуре, предложенного ранее. Преобразователь имеет тензорезисторы из монокристаллического кремния и мембрану из поликристаллического кремния. Структура преобразователя формируется с помощью технологии поверхностной микрообработки с применением односторонней обработки пластины. Изготовлены два варианта преобразователя - с кольцевым концентратором напряжений на мембране, сформированным из пассивирующего слоя толщиной 1,2 мкм, и без концентратора. Проведены измерения основных параметров преобразователя при температуре +20, -50 и +60 °С. Оба варианта демонстрируют чувствительность около 24 мВ-(В•атм)-1. Проведен анализ параметров преобразователей с точки зрения влияния технологических факторов


Инвентарный номер: нет.
   
   Л 88


    Лысенко, И. Е.
    Устройства обработки сигналов емкостных преобразователей микромеханических компонентов / И. Е. Лысенко, Е. А. Рындин, Н. К. Дудин // Нано- и микросистемная техника . - 2012. - № 7. - С. 48-51 : рис. - Библиогр.: с. 51 (13 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
СХЕМЫ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ -- КОМПОНЕНТЫ МИКРОМЕХАНИЧЕСКИЕ -- ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ ЕМКОСТЬ-ЧАСТОТА
Аннотация: Предложен метод построения устройств обработки сигналов емкостных преобразователей микромеханических компонентов. Описаны результаты моделирования и экспериментального исследования устройств


Инвентарный номер: нет.
   
   Б 79


   
    Болометр с термочувствительным слоем из оксида ванадия VO x // Российские нанотехнологии. - 2012. - Т. 7, № 5-6. - С. 44-52 : рис., табл. - Библиогр.: с. 52 (13 назв.) . - ISSN 1992-7223
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ ВОЛЬТОВАЯ -- СПОСОБНОСТЬ БОЛОМЕТРОВ ОБНАРУЖИТЕЛЬНАЯ -- БОЛОМЕТР -- ОКСИД ВАНАДИЯ
Аннотация: Исследованы электрические параметры термочувствительного слоя болометра VO x и морфология его поверхности. Определена относительная погрешность измерения, вносимая оксидным слоем VO x. Представлены расчетные и экспериментальные данные нагрева слоя VO x на 1 и 200 °С в диапазонах длин волн 0.5—3.39 мкм и 5.0—12 мкм в зависимости от длительности импульса излучения в диапазоне 1 — 10 -9 с на различных подложках. Исследованы зависимости: постоянной времени, вольтовой чувствительности болометра от размера приемной площадки и материала подложки. Рассчитаны: постоянная времени болометра, вольтовая чувствительность и эквивалентные значения напряжений фундаментальных шумов в зависимости от размеров приемной площадки, материалов подложки и частоты регистрируемого излучения. Приведены значения удельного теплового потока и обнаружительной способности болометров на частотах 1, 10, 20 Гц, выполненных на различных диэлектрических подложках. Описана модульная конструкция болометра, включающая герметичный корпус с приемным окном и преобразователь сопротивление-напряжение. Приведены зависимости напряжения с выхода болометра от величины воздействующего постоянного и импульсного излучения