Инвентарный номер: 198407 - кх.
   539.2
   Б 78


    Бокштейн, Б. С.
    Диффузия атомов и ионов в твердых телах [] : научное издание / Б. С. Бокштейн, А. Б. Ярославцев. - М. : МИСИС, 2005. - 362 с. - (Металлургия и материаловедение XXI века). - Библиогр. в конце глав. - ISBN 5-87623-130-4 : 310.00 р.
К 75-летию Моск. гос. ин-та стали и сплавов (Технологического ун-та)
ГРНТИ
ББК 539.256
Рубрики: ФИЗИКА--ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА--КРИСТАЛЛОГРАФИЯ
Кл.слова (ненормированные):
ДИФФУЗИЯ В ТВЕРДЫХ ТЕЛАХ -- ТВЕРДОЕ ТЕЛО (ДИФФУЗИЯ) -- АТОМЫ (ДИФФУЗИЯ ТВЕРДОГО ТЕЛА) -- ПРОВОДИМОСТЬ ИОННАЯ -- НАНОМАТЕРИАЛЫ (ДИФФУЗИЯ) -- СПЛАВЫ МЕТАЛЛИЧЕСКИЕ (АМОРФНЫЕ)


Инвентарный номер: нет.
   
   Т 19


    Тарнавский , А. Г.
    Влияние защитных масок при отжиге кремниевой пластины на формирование наноразмерных примесей фосфора [Текст] / Г. А. Тарановский , В. С. Анищик, А. Г. Тарнавский // Нано- и микросистемная техника . - 2008. - № 3. - С. 57-65 : граф. - Библиогр.: с. 65 (15 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
МОДЕЛИРОВАНИЕ -- ПРОВОДИМОСТЬ -- ЗАЩИТНЫЕ МАСКИ -- ПРИМЕСИ ФОСФОРА


Инвентарный номер: нет.
   
   Н 25


   
    Наноструктурированные полимерные материалы и устройства на их основе // Российские нанотехнологии. - 2009. - Т. 4, № 1-2. - С. 52-69 : рис., табл. - Библиогр. : с. 69 (43 назв.) . - ISSN 1992-7223
ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ПОЛИМЕРНЫЕ МАТЕРИАЛЫ -- ЭЛЕКТРОННАЯ ПРОВОДИМОСТЬ -- СВЕТОДИОДЫ -- СУПРАМОЛЕКУЛЯРНЫЕ УСТРОЙСТВА


Инвентарный номер: нет.
   
   В 58


   
    Влияние адсорбции на емкостные свойства нанопористого кремния / Д. И. Биленко [и др.] // Нано- и микросистемная техника . - 2009. - № 10. - С. 15-18 : рис. - Библиогр. : с. 18 (15 назв.) . - ISSN 1813-8586
ББК 623.7
Рубрики: ЭЛЕКТРОТЕХНИКА
Кл.слова (ненормированные):
НАНОСТРУКТУРЫ -- КРЕМНИЙ ПОРИСТЫЙ ЧАСТИЧНО ОКИСЛЕННЫЙ -- ЕМКОСТЬ -- ПРОВОДИМОСТЬ -- АДСОРБЦИЯ -- ЗАВИСИМОСТЬ ЧАСТОТНАЯ -- СЕНСОР


Инвентарный номер: нет.
   
   П 78


   
    Проводимость структур с кремниевыми нанокристаллами в оксидной матрице / П. А. Форш [и др.] // Российские нанотехнологии. - 2011. - Т. 6, № 1-2. - С. 118-121 : рис., табл. - Библиогр. : с. 121 (19 назв.) . - ISSN 1992-7223
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
МАТРИЦА ОКСИДНАЯ -- НАНОКРИСТАЛЫ КРЕМНИЕВЫЕ -- ПРОВОДИМОСТЬ
Аннотация: В работе измерены вольт-амперные характеристики и температурные зависимости электропроводности (в области температур T = 210-330 *К) структур, содержащих слои кремниевых нанокристаллов в оксидной матрице. Были исследованы образцы с различным числом слоев и размером нанокристаллов. На основании полученных результатов проанализированы возможные механизмы переноса носителей заряда в исследованных структурах при различных температурах


Инвентарный номер: нет.
   
   В 40


   
    Взаимодействие азота с единичными наноразмерными кластерами титана / Б. А. Буданов [и др.] // Российские нанотехнологии. - 2011. - Т. 6, № 3-4. - С. 39-42 : рис. - Библиогр. : с. 42 (14 назв.) . - ISSN 1992-7223
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
АЗОТ -- КЛАСТЕРЫ ТИТАНА -- КЛАСТЕРЫ ТИТАНА НАНОРАЗМЕРНЫЕ -- МЕТОД МИКРОСКОПИИ И СПЕКТРОСКОПИИ
Аннотация: Методом сканирующей туннельной микроскопии и спектроскопии с использованием "обращенной" схемы спектроскопических измерений исследована адсорбция молекулярного азота на единичных нанокластерах титана. Установлено, что образующиеся при диссоциативной адсорбции нитридоподобные структуры могут проявлять как полупроводниковую (при низких заполнениях), так и металлическую проводимость (при больших заполнениях). Выявлены дефекты нитридоподобной структуры - вакансии азота. Обнаружена зависимость строения нитридоподобной структуры, образующейся на поверхности нанокластера титана, от знака и величины заряда


Инвентарный номер: нет.
   
   В 58


   
    Влияние размерного эффекта на механизм взаимодействия Al2O3 с Bi2O3 и проводимость композита на их основе / А. Я. Нейман [и др.] // Российские нанотехнологии. - 2011. - Т. 6, № 3-4. - С. 66-72 : рис., табл. - Библиогр. : с. 72 (16 назв.) . - ISSN 1992-7223
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
МЕХАНИЗМ ВЗАИМОДЕЙСТВИЯ AL2O3 СI2O3 -- ПРОВОДИМОСТЬ КОМПОЗИТА -- ЭФФЕКТ РАЗМЕРНЫЙ
Аннотация: Показаны принципиальные различия механизма взаимодействия нано- Al2O3 (Al2O3n) и микроразмерного (Аl2O3M) с Вi2O3M и маршрутов переноса заряда в образовавшемся композите, состоящем из Вi2O3M, продуктов реакции и Al2O3n. Размерный эффект проявляется в сильной адгезии зерен Al2O3n к микроразмерным зернам Вi2O3M и высокой реакционной способности Al2O3n. Оба фактора приводят к инкапсулировнию зерен Вi2O3M в оболочку из низкопроводящих зерен Al2O3n и продуктов взаимодействия. Фазовый переход а-б¦- Вi2O3 при 730*С регистрируется методами ВТРФА и ДСК, но не проявляется на температурной зависимости проводимости, поскольку происходит внутри взаимно изолированных зерен Вi2O3M. При нагревании до 780*С происходит твердофазный распад продуктов с выделением фазы б-Вi2O3 и образуется связная матрица из высокопроводящих зерен б-Вi2O3. Благодаря этому в интервале 770-800*С наблюдаем 2.5-порядковый скачок проводимости. Описанная модель подтверждена измерением о(Т) четырех модельных ячеек и наличием трех концентрационных интервалов соотношения [Al2O3n]/[Вi2O3M], различающихся формой зависимости о(Т) и локализацией скачка о в интервале 730-805*С


Инвентарный номер: нет.
   
   И 88


   
    Исследование чувствительности нанокристаллического оксида индия с различными размерами нанокристаллов к диоксиду азота / Е. А. Форш [и др.] // Российские нанотехнологии. - 2012. - № 3-4. - С. 87-90 : табл., рис. - Библиогр. : с. 90 (10 назв.) . - ISSN 1992-7223
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
НАНОКРИСТАЛЛЫ -- ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ -- ДИОКСИД АЗОТА -- ОКСИД ИНДИЯ НАНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ -- ПОВЕДЕНИЕ НЕМОНОТОННОЕ
Аннотация: Исследовано влияние адсорбции NO 2 на электрическую проводимость нанокристаллического оксида индия с различным размером нанокристаллов. Чувствительность (отношение проводимостей In 2O 3 до и после адсорбции NO 2) с уменьшением размеров нанокристаллов сначала возрастает, а затем уменьшается. Предложено объяснение наблюдаемого немонотонного поведения чувствительности


Инвентарный номер: нет.
   
   М 14


    Майорова, Т. Л.
    Релаксация фотовозбужденной проводимости в неоднородных пиролитических пленках CdS / Т. Л. Майорова, В. Г. Клюев, М. Фам Тхи Хан // Российские нанотехнологии. - 2012. - Т. 7, № 5-6. - С. 103-106 : рис., табл. - Библиогр.: с. 106 (8 назв.) . - ISSN 1992-7223
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ПРОВОДИМОСТЬ -- ПЛЕНКИ CDS -- РЕЛАКСАЦИЯ -- ХАРАКТЕР НЕМОНОЭКСПОНЕНЦИАЛЬНЫЙ -- ЭНЕРГИЯ АКТИВАЦИИ -- ЭЛЕКТРОНЫ ФОТОВОЗБУЖДЕННЫЕ НЕРАВНОВЕСНЫЕ
Аннотация: Кинетика релаксации фотовозбужденной проводимости в пиролитических пленках CdS, как чистых, так и легированных щелочными металлами, носит сложный немоноэкспоненциальный характер и характеризуется набором значений энергий активации, принимающих значения в интервале E a = 0.2—0.4 эВ. При этом в таких сложных и неоднородных системах энергия активации, измеряемая экспериментально, представляет собой сложную функцию, зависящую от времени фотовозбуждения образца и от времени релаксации фототока: E a = E a(t ex, t !ax). Показано, что в процессе рекомбинации неравновесных фотовозбужденных электронов и дырок принимают участие как минимум четыре типа потенциальных барьеров высотой 0.2, 0.28, 0.35 и 0.39 эВ


Инвентарный номер: нет.
   
   Я 76


    Ярославцев, А. Б.
    Взаимосвязь свойств гибридных ионообменных мембран с размерами и природой частиц допанта / А. Б. Ярославцев // Российские нанотехнологии. - 2012. - Т. 7, № 9-10. - С. 8-18 : рис. - Библиогр.: с. 18 (110 назв.) . - ISSN 1992-7223
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
МЕМБРАНЫ ИОНООБМЕННЫЕ ГИБРИДНЫЕ -- НАНОЧАСТИЦЫ -- ВЛАЖНОСТЬ -- ПРОВОДИМОСТЬ ИОННАЯ -- ПРОЧНОСТЬ
Аннотация: Данный обзор посвящен описанию свойств гибридных мембран, состоящих из высокомолекулярных катионообменников и наночастиц неорганических соединений. Рассмотрены методы получения гибридных мембран, их проводящие свойства при высокой и низкой влажности, селективность транспортных процессов и механические свойства. Перечисленные свойства рассматриваются на основании недавно разработанной нами модели ограниченной эластичности стенок пор мембран, предложенной для объяснения изменения их ионной проводимости. В данном обзоре модель получила свое развитие для описания ряда других свойств мембран, включая их селективность и механическую прочность


Инвентарный номер: нет.
   
   Э 45


   
    Электрические и фотовольтаические свойства наноструктурированных серебро-палладиевых резистивных пленок / Г. М. Михеев, Р. Г. Зонов, А. С. Саушин, Г. А. Дорофеев // Нанотехника. - 2012. - № 4. - С. 28-32 : рис., табл. - Библиогр.: с. 32 (17 назв.) . - ISSN 1816-4498
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ПЛЕНКИ НАНОСТРУКТУРИРОВАННЫЕ СЕРЕБРО-ПАЛЛАДИЕВЫЕ -- ТЕМПЕРАТУРА ВЖИГАНИЯ -- ПРОВОДИМОСТЬ -- МАТЕРИАЛ НАНОСТРУКТУРИРОВАННЫЙ ПОРИСТЫЙ -- СИГНАЛ ФОТОВОЛЬТАИЧЕСКИЙ -- ПЛЕНКИ РЕЗИСТИВНЫЕ -- СВОЙСТВА ФОТОВОЛЬТАИЧЕСКИЕ
Аннотация: Представлены результаты исследований морфологии, фазового состава, электрических и фотовольтаических свойств наноструктурированных серебро-палладиевых пленок, изготовленных из резистивных паст ЛПР-5 Ом и ЛПР-50 Ом при трех различных температурах вжигания 878, 1013 и 1113 K по толстопленочной технологии. Показано, что изготовленные пленки представляют собой наноструктурированный пористый материал и состоят из AgPd, PdO, Ag 3O и Ag 2O, весовые соотношения которых существенно зависят от температуры вжигания. Установлено, что пленки, изготовленные из паст ЛПР-5 Ом и ЛПР-50 Ом, обладают проводимостью n- и p-типа соответственно, и имеют существенно различающиеся значения концентрации носителей заряда, их подвижности, а также удельного сопротивления. Наибольший коэффициент преобразования лазерной мощности в амплитуду фотовольтаического сигнала наблюдается для пленок, изготовленных из резистивной пасты ЛПР-50 Ом при температуре вжигания 878 K


Инвентарный номер: нет.
   
   В 58


   
    Влияние добавок поливинилового спирта на электрохимические и электрофизические свойства компактированных нанопорошков протонированного полититаната калия / А. В. Гороховский, В. Г. Гоффман, Э. Э. Орозалиев, А. В. Ковнев, Н. В. Архипова // Нанотехника. - 2012. - № 4. - С. 73-76 : табл., рис. - Библиогр.: с. 76 (11 назв.) . - ISSN 1816-4498
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
НАНОПОРОШКИ -- СВОЙСТВА ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ -- НАНОПОРОШКИ КОМПАКТИРОВАННЫЕ -- СПИРТ ПОЛИВИНИЛОВЫЙ -- ПРОВОДИМОСТЬ -- ЭЛЕКТРОЛИТЫ
Аннотация: Исследовано влияние пластифицирующих добавок поливинилового спирта (ПВС) на электрофизические свойства компактированных нанопорошков протонированного полититаната калия (ПТКП) при комнатной температуре в частотном диапазоне 1 Гц-1 МГц. Показано, что добавки 1-10% поливинилового спирта не оказывают существенного влияния на проводимость, диэлектрическую проницаемость и диэлектрические потери компактов только при низких (1-10) Гц или высоких (5 • 10 5-2 • 10 6 Гц) частотах. В промежуточной области частот введение даже малых добавок ПВС на порядок снижает модуль проводимости и диэлектрическую проницаемость компактированных нанопорошков протонпроводящих твердых электролитов. Наблюдаемый эффект объясняется возникновением интенсивных диэлектрических потерь, связанных с блокировкой транспортных каналов перемещения зарядов в частицах ПТКП и смещением максимума диэлектрических потерь в область более низких частот. Обнаружено существенное увеличение высокочастотной диэлектрической проницаемости при росте содержания ПВС в компактированном материале. Анализируются пределы использования добавок ПВС для получения активных сред приборов ионики твердого тела


Инвентарный номер: нет.
   
   К 58


    Кожушнер, М. А.
    Молекулярный холодильник и термоэлектрические явления в условиях туннельно-резонансной проводимости / М. А. Кожушнер // Российские нанотехнологии. - 2013. - Т. 8, № 1-2. - С. 46-51. - Библиогр.: с. 51 (33 назв.) . - ISSN 1992-7223
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ХОЛОДИЛЬНИК МОЛЕКУЛЯРНЫЙ -- ПРОВОДИМОСТЬ ТУНЕНЕЛЬНО-РЕЗОНАНСНАЯ -- ЯВЛЕНИЯ ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ -- МЕТАЛЛ-МОЛЕКУЛА-МЕТАЛЛ -- ТОК РЕЗОНАНСНЫЙ -- КОЭФФИЦИЕНТ ПЕЛЬТЬЕ -- НАПРЯЖЕНИЕ -- ЭЛЕКТРОД -- КОЭФФИЦИЕНТ ЗЕЕБЕКА
Аннотация: Развита теория термоэлектрических явлений в цепи металл-молекула-металл в случае осуществления резонансной проводимости через молекулу. Показано, что резонансный ток может охлаждать один из электродов при напряжениях, когда резонансный уровень несколько не доходит до уровня Ферми: при электронном резонансе электронный уровень выше уровня Ферми охлаждающегося катода, а при дырочном резонансе дырочный уровень ниже уровня Ферми охлаждающегося анода. Охлаждающий электрод поток энергии пропорционален резонансному току, и каждый электрон тока уносит из соответствующего электрода энергию несколько больше kT. Такой молекулярный холодильник эффективен, пока kT больше, чем полная ширина резонансного уровня. Найдены коэффициенты Пельтье и Зеебека для случая, когда резонансный уровень близок к уровню Ферми уже при нулевом напряжении


Инвентарный номер: нет.
   
   П 53


   
    Полупроводниковые фотопреобразователи координат и углов с отрицательной дифференциальной проводимостью / С. Г. Новиков, Н. Т. Гурин, А. В. Беринцев, В. А. Родионов, А. А. Штанько // Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 3. - С. 33-36 : рис. - Библиогр.: с. 36 (8 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ФОТОПРЕОБРАЗОВАТЕЛИ -- ПРОВОДИМОСТЬ ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНАЯ ОТРИЦАТЕЛЬНАЯ -- ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ
Аннотация: Рассмотрены полупроводниковые функциональные фотопреобразователи координат и углов с отрицательной дифференциальной проводимостью (ОДП), реализованные на основе комбинированного прибора с ОДП и двух типов полупроводниковых координатно-чувствительных фотоприемников — линейной и дуговой геометрической формы. Приведены результаты сравнительных экспериментальных исследований. Указаны возможные области применения


Инвентарный номер: нет.
   
   Э 45


   
    Электропроводящие слои композиционных наноматериалов с многослойными углеродными нанотрубками / Л. П. Ичкитидзе, В. М. Подгаецкий, Б. М. Путря, С. В. Селищев, Е. В. Благов, В. А. Галперин, Ю. П. Шаман, Е. П. Кицюк // Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 4. - С. 2-4 : рис., табл. - Библиогр.: с. 4 (7 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
НАНОМАТЕРИАЛЫ -- ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТЬ -- МЕТОД ШЕЛКОГРАФИИ -- НАНОТРУБКИ -- НАНОТРУБКИ УГЛЕРОДНЫЕ МНОГОСЛОЙНЫЕ -- СУСПЕНЗИЯ УЛЬТРАДИСПЕРСНАЯ ВОДНАЯ -- КРЕМНИЙ -- ИЗЛУЧЕНИЕ ЛАЗЕРНОЕ -- СЛОИ -- КАРБОКСИМЕТИЛЦЕЛЛЮЛОЗА
Аннотация: Исследована удельная электропроводность слоев композиционных наноматериалов микрометровых размеров, состоящих из карбоксиметилцеллюлозы и многослойных углеродных нанотрубок с различными аспектными отношениями. Ультрадисперсная водная суспензия наносилась методом шелкографии на подложки из покровного стекла и кремния со слоем оксида кремния. Электропроводность измерялась четырехзондовым методом. Для слоев в интервале толщин 0,5...10 мкм наибольшая удельная объемная проводимость составила -350 См/м. Описаны некоторые аспекты увеличения электропроводности под действием лазерного излучения


Инвентарный номер: нет.
   
   И 88


   
    Исследование размерной зависимости электрического сопротивления металлических микро-контактов кластерного типа / А. А. Антипов, С. М. Аракелян, С. В. Кутровская, А. О. Кучерик // Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 8. - С. 41-46. - Библиогр.: с. 46 (10 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
НАНОЧАСТИЦЫ МЕТАЛЛИЧЕСКИЕ -- РАЗМЕРНОСТЬ ФРАКТАЛЬНАЯ -- ПРОВОДИМОСТЬ МИКРОКОНТАКТА -- СОПРОТИВЛЕНИЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКОЕ
Аннотация: Исследовано электрическое сопротивление металлических микроконтактов кластерного типа, полученных на твердой диэлектрической подложке с использованием метода лазерного осаждения металлических наночастиц из коллоидных систем. Показано, что сопротивление такого микроконтакта существенно зависит от его морфологических характеристик/фрактальной размерности, которые определяются особенностями лазерного эксперимента


Инвентарный номер: нет.
   
   И 88


   
    Исследование фото-, авто-электронной эмиссии в нанозернах антимонида и арсенида индия / Н. Д. Жуков, Е. Г. Глуховской, Д. Н. Браташов // Нанотехника. - 2013. - № 1. - С. 51-56 : рис., табл. - Библиогр.: с. 56 (9 назв.) . - ISSN 1816-4498
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
НАНОЗЕРНА АНТИМОНИДА И АРСЕНИДА ИНДИЯ -- МЕТОД ТУННЕЛЬНОЙ МИКРОСКОПИИ -- ПОЛУПРОВОДНИКИ -- ПОЛУПРОВОДНИКИ АНТИМОНИДА И АРСЕНИДА ИНДИЯ -- ЭМИССИЯ НИЗКОПОЛЕВАЯ -- ЯВЛЕНИЯ КУЛОНОВСКОЙ БЛОКАДЫ -- ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ -- ПРОВОДИМОСТЬ
Аннотация: Характеристики поля (автоэлектронной) эмиссии от нанозерен антимонида индия и арсенида узкозонных полупроводников были изучены методом туннельной микроскопии. Кулоновской блокады и низкий полевые явления выбросов были обнаружены и объяснены. Повышенная чувствительность фото было замечено для собственных полупроводников проводимости. Это делает их перспективным с точки зрения использования их в качестве ИК фото autocathodes


Инвентарный номер: нет.
   
   Г 16


    Галушка, В. В.
    Исследование управляемого массопереноса в наноструктурах AgL-Ag методом туннельной микроскопии / В. В. Галушка, Д. И. Биленко, Д. В. Терин // Нано- и микросистемная техника. - 2014. - № 8. - С. 37-42 : граф. - Библиогр.: с. 42 (16 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
МАССОПЕРЕНОС -- ИОННАЯ ПРОВОДИМОСТЬ -- ТУННЕЛЬНАЯ СТРУКТУРА -- AGI-AG -- РЕЗИСТИВНАЯ ПАМЯТЬ
Аннотация: Приведены результаты исследования методом туннельной микроскопии массопереноса в структуре, содержащей нанометровый слой AgI. Показана возможность использования интерфейса Ag-AgI-диэлектрик-металл в качестве резистивной памяти с зарядом переключения Q » 5 пКл и кратностью сопротивления HRS/LRS > 10 4