Б 43 Белозубов, Е. М. Тонкопленочные емкостные МЭМС-структуры с возможностью измерения температур электродов [Текст] / Е. М. Белозубов, Н. Е. Белозубова, Ю. А. Козлова // Нано- и микросистемная техника . - 2008. - № 9. - С. 33-36 : рис. - Библиогр.: с. 36 (2 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ТОНКОПЛЕНОЧНЫЕ ЕМКОСТНЫЕ МЭМС-СТРУКТУРЫ -- ТЕМПЕРАТУРА -- ВИБРОУСКОРЕНИЯ -- ВЫВОДНОЙ ПРОВОДНИК -- КОНТАКТНАЯ ПЛОЩАДКА -- ЭЛЕКТРОД -- ИЗМЕРЕНИЕ ТЕМПЕРАТУР ЭЛЕКТРОДОВ |
Д 37 Деспотули, А. Л. Модель, метод и формализм нового подхода к описанию процессов ионного транспорта на блокирующих гетеропереходах твердый электролит/электронный проводник / А. Л. Деспотули, А. В. Андреева // Нано- и микросистемная техника . - 2012. - № 9. - С. 16-21 : граф. - Библиогр.: с. 21 (29 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ЭЛЕКТРОЛИТЫ ТВЕРДЫЕ -- ПРИНЦИП ДЕТАЛЬНОГО РАВНОВЕСИЯ -- ПРОВОДНИКИ СУПЕРИОННЫЕ ПЕРЕДОВЫЕ -- ПОДХОД ДИНАМО-КИНЕТИЧЕСКИЙ В НАНОИОНИКЕ -- ГЕТЕРОПЕРЕХОД ИДЕАЛЬНО ПОПЯРИЗУЕМЫЙ -- СЛОЙ ЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ДВОЙНОЙ Аннотация: Предложен новый динамико-кинетический подход в наноионике для детального описания процессов быстрого ионного транспорта (БИТ) в области идеально поляризуемых гетеропереходов твердый электролит/электронный проводник (ТЭ/ЭП) - функциональных элементов перспективных приборов наноэлектроники и нано(микро)системной техники. Подход включает: структурно-динамическую модель, которая с единых позиций рассматривает быстрые и медленные процессы в области ТЭ/ЭП как движение ионов подвижного сорта в потенциальном рельефе, искаженном на гетерогранице; метод "скрытых" переменных, описывающий на субнанометровом масштабе процессы БИТ в терминах концентраций подвижных ионов на кристаллографических плоскостях в области тонкой структуры двойного электрического слоя; физико-математический формализм, который оперирует "скрытыми" переменными и базируется на принципе детального равновесия и кинетическом уравнении в форме закона сохранения частиц |
Д 37 Деспотули, А. Л. Компьютерное моделирование на субнанометровом масштабе ион-транспортных характеристик блокирующих гетеропереходов электронный проводник/твердый электролит / А. Л. Деспотули, А. В. Андреева // Нано- и микросистемная техника . - 2012. - № 11. - С. 15-23 : рис. - Библиогр.: с. 23 (16 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): МОДЕЛИРОВАНИЕ КОМПЬЮТЕРНОЕ -- НАНОИОНИКА -- ПРИБОРЫ НАНОИОННЫЕ -- ЭЛЕКТРОЛИТЫ ТВЕРДЫЕ -- ГЕТЕРОПЕРЕХОДЫ БЛОКИРУЮЩИЕ -- РАВНОВЕСИЕ ДЕТАЛЬНОЕ -- УРАВНЕНИЕ КИНЕТИЧЕСКОЕ Аннотация: На основе нового структурно-динамико-кинетического подхода наноионики выполнены вычислительные эксперименты, в которых процессы быстрого ионного транспорта (БИТ) в области идеально поляризуемых когерентных гетеропереходов электронный проводник/твердый электролит—передовой суперионный проводник (ПСИП) исследованы с субнанометровым разрешением. Ион-транспортные "скрытые" переменные и наблюдаемые физические величины рассчитаны на временных масштабах 10—10 -7 с. Предложенная компьютерная модель позволяет предсказывать БИТ-характеристики суперконденсаторов на основе ПСИП-приборов, которые необходимы для развития наноэлектроники и микросистемной техники |
В 93 Высокочувствительный магниторезистивный сенсор для современных приборов считывания информации / В. В. Амеличев, В. Г. Сницар, Д. В. Костюк, С. И. Касаткин // Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 4. - С. 38-39 : рис. - Библиогр.: с. 39 (3 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ТОК ЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ -- ПРИБОР СЧИТЫВАНИЯ ИНФОРМАЦИИ -- СЕНСОР -- СЕНСОР МАГНИТОРЕЗИСТИВНЫЙ ВЫСОКОЧУВСТВИТЕЛЬНЫЙ -- ПРОВОДНИК Аннотация: Представлены конструкция и принцип действия высокочувствительного магниторезистивного сенсора для применения в современных приборах считывания информации. Проведен анализ и сделан вывод о практической значимости разрабатываемого сенсора для бесконтактного контроля слабых магнитных полей от проводников с током, находящихся в составе плат и микросхем |
Д 37 Деспотули, А. Л. Ток смещения Максвелла в наноионике и собственные ион-транспортные свойства модельных 1D-наноструктур / А. Л. Деспотули, А. В. Андреева // Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 8. - С. 2-9 : рис. - Библиогр.: с. 9 (24 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): НАНОИОНИКА -- 1D-НАНОСТРУКТУРЫ МОДЕЛЬНЫЕ -- ТОК СМЕЩЕНИЯ МАКСВЕЛЛА -- СВОЙСТВА НАНОСТРУКТУР -- МОДЕЛИРОВАНИЕ КОМПЬЮТЕРНОЕ -- СУММА ИМПЕДАНСОВ -- НАНОСТРУКТУРЫ Аннотация: Структурно-динамический подход, предложенный ранее для описания процессов ионного транспорта в области идеально поляризуемых гетеропереходов твердый электролит/электронный проводник, обобщен на собственные ион-транспортные свойства модельных 1D-наноструктур, представляющих собой последовательность потенциальных барьеров разной высоты. Введено понятие тока смещения Максвелла на потенциальном барьере. В компьютерных экспериментах обнаружено: 1) выполнение закона Ома для наиболее высоких барьеров, дающих основной вклад в импеданс наноструктуры; 2) импеданс наноструктуры может быть представлен суммой импедансов отдельных барьеров (аналог закона Кирхгофа); 3) частотные зависимости отношения "ток смещения Максвелла ток ионной проводимости" для различных барьеров наноструктуры соответствуют экспериментальным данным по частотному поведению Re- и Im-компонент адмитанса разупорядоченных твердых тел, в том числе в режиме "near constant loss" |
М 12 Магниторезистивная микросистема контроля электрического тока в проводнике / В. В. Амеличев, Е. В. Благов, Д. В. Костюк, Д. В. Васильев, П. А. Беляков, Е. П. Орлов, И. Е. Абанин, В. С. Тахов, А. И. Руковишников, Н. М. Россуканый // Нано- и микросистемная техника. - 2014. - № 1. - С. 39-42. - Библиогр.: с. 42 (3 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): МАГНИТОРЕЗИСТИВНАЯ МИКРОСИСТЕМА -- КОНТРОЛЬ СИЛЫ ТОКА -- МАГНИТОРЕЗИСТИВНЫЙ ЭФФЕКТ Аннотация: Магниторезистивная микросистема контроля силы тока и его флуктуаций позволяет бесконтактным способом определять силу тока и частоту флуктуаций в проводнике с возможностью визуализации полученных результатов. В качестве чувствительного элемента микросистемы выступают магниторезисторы, соединенные в мостовую схему Уитстона. Проводник с током, являющийся источником внешнего магнитного поля, располагается на фиксированном расстоянии от чувствительного элемента магниторезистивного преобразователя (МП). В зависимости от подаваемой в проводник силы тока изменяется выходное напряжение в МП. С использованием закона Био— Савара—Лапласа определяется расчетное значение силы тока в проводнике. Отличительной особенностью микросистемы является возможность прецизионной регистрации импульсных и переменных изменений силы тока как с малой (2 мА), так и с высокой (50 А) амплитудой |
Д 37 Деспотули, А. Л. Ток смешения Максвелла и "универсальный" динамический отклик в наноионике / А. Л. Деспотули, А. В. Андреева // Нано- и микросистемная техника. - 2014. - № 5. - С. 3-10. - Библиогр.: с. 8-9 (45 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): НАНОИОНИКА -- СТРУКТУРНО-ДИНАМИЧЕСКИЙ ПОДХОД -- ТОК СМЕЩЕНИЯ МАКСВЕЛЛА НА ПОТЕНЦИАЛЬНОМ БАРЬЕРЕ -- УНИВЕРСАЛЬНЫЙ ДИНАМИЧЕСКИЙ ОТКЛИК Аннотация: Введение понятия тока смещения Максвелла на потенциальном барьере при использовании структурно-динамического подхода наноионики позволяет дать детальное описание коллективного явления - взаимосвязанных ион-транспортных и диэлектрик-поляризационных процессов, определяющих формирование и релаксацию пространственного ионного заряда в неоднородном на наномасштабе потенциальном рельефе. В компьютерных экспериментах исследовано распределение локальных токов смещения Максвелла в области идеально поляризуемого когерентного гетероперехода передовой суперионный проводник (ПСИП)/электронный проводник, заряжаемого в гальваностатическом режиме. Другим объектом исследования являлась модельная наноструктура, которая представляет собой прослойку твердого электролита (ТЭ) между двумя ПСИП, образующими с ТЭ когерентные границы. Для экспоненциального распределения высот потенциальных барьеров в этой наноструктуре обнаружен джоншеровский универсальный динамический отклик Res*(w) µ w n (n < 1) в поведении реальной части частотно-зависимой комплексной проводимости s*(w). Дана однозначная интерпретация природы динамического отклика |