Инвентарный номер: 193785 - кх.    541.1    Ф 94     "Фундаментальные проблемы ионики твердого тела", совещание (6 ; 2002 ; Черноголовка).     6-е совещание "Фундаментальные проблемы ионики твердого тела", 18-20 июня, 2002 г., Черноголовка [] : программа и тез. докл. / РАН. Ин-т проблем хим. физики и др. - Черноголовка : [б. и.], 2002. - 119 с. - Библиогр. в конце докл. - ISBN 5-901675-12-6 : 20.00 р. Памяти проф. Укше Евгения АлександровичаББК 541.136я431(2) + 541.171я431(2) + 539.231.3я431(2) РУБ 541.1 Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ--ХИМИЯ ТВЕРДОГО ТЕЛА--ЭЛЕКТРОХИМИЯ--КОНФЕРЕНЦИИ    ФИЗИКА--КРИСТАЛЛОГРАФИЯ--ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА Кл.слова (ненормированные): ИОНИЗАЦИЯ (ХИМИЯ) -- ИОНИЗАЦИЯ (ЭЛЕКТРОХИМИЯ) -- ИОНИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА -- МАТЕРИАЛЫ КОМПОЗИЦИОННЫЕ (ПОЛУЧЕНИЕ) -- МАТЕРИАЛЫ КОМПОЗИЦИОННЫЕ (СВОЙСТВА) -- МАТЕРИАЛЫ НАНОСТРУКТУРНЫЕ (ИССЛЕДОВАНИЯ) -- НАНОСТРУКТУРЫ (ПРИМЕНЕНИЕ) -- НАНОСТРУКТУРЫ (ХИМИЯ) -- ПРОВОДНИКИ СУПЕРИОННЫЕ (ЭЛЕКТРОХИМИЯ) -- ТВЕРДОЕ ТЕЛО (ИССЛЕДОВАНИЯ) -- ЭЛЕКТРОЛИТЫ ТВЕРДЫЕ (СВОЙСТВА) -- ЭЛЕКТРОЛИТЫ ТВЕРДЫЕ (ФИЗИКА) -- ЭЛЕКТРОЛИТЫ ТВЕРДЫЕ (ХИМИЯ) -- ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА (ИССЛЕДОВАНИЯ) -- ХИМИЯ НАНОСТРУКТУР -- ХИМИЯ ТВЕРДОГО ТЕЛА (ИССЛЕДОВАНИЯ)

Инвентарный номер: нет.        К 59     Козлов, А. Г.     Тепловые микросенсоры: конструктивные особенности [Текст] / А. Г. Козлов // Нано- и микросистемная техника . - 2008. - № 1. - С. 16-28 : рис. - Библиогр.: с. 26-28 (80 назв.) . - ISSN 1813-8586 УДК 620.3 ББК 623.7 Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ТЕПЛОВЫЕ МИКРОСЕНСОРЫ -- ТЕПЛОГЕНЕРИРУЮЩИЕ ЭЛЕМЕНТЫ -- ПЛЕНОЧНЫЕ ПРОВОДНИКИ

Инвентарный номер: 204768 - кх.    541.1    У 18     Уваров, Николай Фавстович.     Композиционные твердые электролиты [] : монография / Н. Ф. Уваров ; Ин-т химии твердого тела и механохимии СО РАН, Новосибирский гос. ун-т. - Новосибирск : Изд-во СО РАН, 2008. - 254, [3] с. : ил. - Библиогр. в конце глав. - ISBN 978-5-7692-1016-7 : 350.00 р. ГРНТИ 31.15.33 ББК 541.136.2 Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ--ЭЛЕКТРОХИМИЯ

Инвентарный номер: нет.        Д 37     Деспотули, А. Л.     Модель, метод и формализм нового подхода к описанию процессов ионного транспорта на блокирующих гетеропереходах твердый электролит/электронный проводник / А. Л. Деспотули, А. В. Андреева // Нано- и микросистемная техника . - 2012. - № 9. - С. 16-21 : граф. - Библиогр.: с. 21 (29 назв.) . - ISSN 1813-8586 УДК 620.3 ББК 623.7 Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ЭЛЕКТРОЛИТЫ ТВЕРДЫЕ -- ПРИНЦИП ДЕТАЛЬНОГО РАВНОВЕСИЯ -- ПРОВОДНИКИ СУПЕРИОННЫЕ ПЕРЕДОВЫЕ -- ПОДХОД ДИНАМО-КИНЕТИЧЕСКИЙ В НАНОИОНИКЕ -- ГЕТЕРОПЕРЕХОД ИДЕАЛЬНО ПОПЯРИЗУЕМЫЙ -- СЛОЙ ЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ДВОЙНОЙ Аннотация: Предложен новый динамико-кинетический подход в наноионике для детального описания процессов быстрого ионного транспорта (БИТ) в области идеально поляризуемых гетеропереходов твердый электролит/электронный проводник (ТЭ/ЭП) - функциональных элементов перспективных приборов наноэлектроники и нано(микро)системной техники. Подход включает: структурно-динамическую модель, которая с единых позиций рассматривает быстрые и медленные процессы в области ТЭ/ЭП как движение ионов подвижного сорта в потенциальном рельефе, искаженном на гетерогранице; метод "скрытых" переменных, описывающий на субнанометровом масштабе процессы БИТ в терминах концентраций подвижных ионов на кристаллографических плоскостях в области тонкой структуры двойного электрического слоя; физико-математический формализм, который оперирует "скрытыми" переменными и базируется на принципе детального равновесия и кинетическом уравнении в форме закона сохранения частиц

Инвентарный номер: нет.        Л 27     Латохин, Д. В.     Численное моделирование микроплазменного пробоя в полупроводниковых структурах / Д. В. Латохин, Э. Н. Воронков // Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 3. - С. 26-29 : рис. - Библиогр.: с. 29 (6 назв.) . - ISSN 1813-8586 УДК 620.3 ББК 623.7 Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): МОДЕЛИРОВАНИЕ ЧИСЛЕННОЕ -- СТРУКТУРЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ -- МИКРОПЛАЗМА -- ПРОБОЙ -- ПРОВОДНИКИ -- ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТЬ -- ПЛЕНКИ АМОРФНЫЕ Аннотация: Сообщается о численном моделировании микроплазм в неупорядоченных полупроводниковых структурах при условиях, аналогичных условиям возникновения микроплазменного пробоя в пленках As 2 Se 3 — одного из широкозонных халькогенидных стеклообразных полупроводников. Предложена модель, позволяющая описать процесс микроплазменного пробоя в аморфных пленках