В 58 Влияние углеродных нанотрубок на параметры флуоресценции хлорофилла зеленой водоросли chlamydomonas reinhardtii / Д. Н. Маторин, А. В. Каратеева [и др.] // Российские нанотехнологии. - 2010. - Т. 5, № 5-6 . - С. 71-76 : табл., рис. - Библиогр. : с. 76 (34 назв.) . - ISSN 1992-7223
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): НАНОТРУБКИ УГЛЕРОДНЫЕ -- ВОДОРОСЛИ ЗЕЛЕНЫЕ -- ПАРАМЕТРЫ ФЛУОРЕСЦЕНЦИИ ХЛОРОФИЛЛА Аннотация: Показано, что углеродные нанотрубки могут снижать скорость развития культуры водорослей Chlamydomonas reinhardtiia существенно изменять параметры флуоресценции хлорофилла, отражающие первичные процессы запасания световой энергии в фотосинтезе. Наблюдалось снижение квантового выхода фотохимического превращения световой энергии в фотосинтезе и относительной скорости нециклического электронного транспорта, рассчитанного по параметрам флуоресценции. С использованием метода замедленной флуоресценции показано ингибирование электрохимического градиента протонов, участвующего в синтезе АТФ. Делается вывод о перспективности использования высокочувствительных флуоресцентных методов для оценки токсикологического действия современных наноматериалов на водные объекты. Аббревиатура: ФС 2 - фотосистема 2; Е (ФАР) - фотосинтетически активная радиация, освещенность (мкЕ/(м2с); Fo, Fm - фоновая и максимальная флуоресценция адаптированных к темноте клеток; Fv/Fm - максимальный квантовый выход ФС 2, где Fv = Fm-Fo; Fm' - максимальная флуоресценция клеток на свету; Y (ФфС2) - эффективный квантовый выход ФС 2, где Y = (Fm'-Ft)/Fm'; Ft - амплитуда флуоресценции на свету перед интенсивной вспышкой; rETR - относительная скорость электронного транспорта при данной интенсивности света; а - параметр, характеризующий максимальную утилизацию световой энергии в зависимости от ФАР; ЗФ - замедленная флуоресценция; SW, MW - одностенные и многостенные углеродные трубки |
Г 87 Громов, Д. В. Влияние радиации на характеристики элементов на нитриде галлия / Д. В. Громов, Ю. А. Матвеев, Ю. В. Федоров // Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 5. - С. 39-48 : табл., рис. - Библиогр. : с. 48 (13 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): НИТРИД ГАЛЛИЯ -- РАДИАЦИЯ -- ИЗЛУЧЕНИЕ ИОНИРУЮЩЕЕ -- НАНОГЕТЕРОСТРУКТУРЫ Аннотация: Проведен анализ радиационных эффектов в СВЧ-полупроводниковых приборах на основе нитрида галлия воздействии ионизирующего излучения. Исследовались характеристики диодов с барьером Шоттки, а также полевых транзисторных структур. Установлены физические механизмы радиационного изменения характеристик рассматриваемых GaN элементов |
Д 20 Датчики внешних воздействий с частотным выходом на основе полевого МДПДМ-транзистора со встроенным каналом / М. Л. Бараночников, А. В. Леонов, А. А. Малых, В. Н. Мордкович, В. Н. Мурашев, Д. М. Пажин // Нано- и микросистемная техника. - 2013. - № 10. - С. 8-11. - Библиогр.: с. 11 (8 назв.) . -
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ДАТЧИК -- ПРЕОБРАЗОВАНИЕ ВОЗДЕЙСТВИЕ-ЧАСТОТА -- КРЕМНИЙ-НА-ИЗОЛЯТОРЕ Аннотация: Показано, что полевой транзистор со встроенным каналом и управляющей системой типа металл — диэлектрик — полупроводник — диэлектрик — металл может функционировать как чувствительный элемент датчиков внешних воздействий (таких как магнитное поле, температура, радиация), преобразующих воздействия в цифровой сигнал. Датчик основан на принципе изменения частоты автогенератора, в схему которого в качестве нагрузки, изменяющейся при внешних воздействиях, включен упомянутый транзистор. В качестве основы автогенератора может быть использована как специальная ИС, так и эффект самовозбуждения в чувствительном элементе, благодаря особенностям его ВАХ на участке лавинного умножения. Датчики изготовлены по технологии кремний-на-изоляторе |