Т 36 Тест-объекты с прямоугольным и трапециевидным профилями рельефа для растровой электронной и атомно-силовой микроскопии [Текст] / В. Гавриленко [и др.] // Наноиндустрия. - 2008. - № 4. - С. 24-30 : рис., табл. - Библиогр.: с. 30 (14 назв.) . - ISSN 1993-8578
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ЭЛЕКТРОННЫЙ ЗОНД -- АНИЗОТРОПНОЕ ТРАВЛЕНИЕ Аннотация: В конце XX и начале XXI века экономику высокоразвитых стран характеризует освоение высоких технологий, главная из которых - нанотехнология. Она оперирует с размерами, лежащими в диапазоне 1-100 нм, что требует обеспечения единства линейных измерений в нанометровом диапазоне. В мировой практике линейные измерения в нанометрической области осуществляются на растровых электронных (РЭМ) [2-4] и атомно-силовых (АСМ) [5-7] микроскопах. Для калибровки РЭМ и АСМ в качестве тест-объектов используются периодические [3], шаговые [2, 8] и одиночные [4] рельефные структуры на поверхности твердого тела |
Р 76 Российский прототип международного тест-объекта нанорельефа для РЭМ и АСМ [] / В. Гавриленко [и др.] // Наноиндустрия. - 2008. - № 6. - С. 22-26 : рис. - Библиогр. : с. 26 (10 назв.) . - ISSN 1993-8578
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ |
К 63 Компьютерное моделирование средств измерений в нанометрологии / А. В. Заблоцкий [и др.] // Нано- и микросистемная техника . - 2009. - № 8. - С. 2-6 : рис. - Библиогр. : с. 6 (6 назв.) . - ISSN 1813-8586 Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): АСМ -- РЭМ -- НАНОМЕТРОЛОГИЯ |
П 76 Применение виртуального растрового электронного микроскопа для определения диаметра проецирующей микролинзы атомного нанолитографа / А. В. Заболоцкий [и др.] // Нано- и микросистемная техника . - 2009. - № 11. - С. 2-7 : рис. - Библиогр. : с. 7 (15 назв.) . - ISSN 1813-8586 Рубрики: ФИЗИКА Кл.слова (ненормированные): РЭМ -- НАНОМЕТРОЛОГИЯ -- ОПТИКА АТОМНАЯ -- НАНОЛИТОГРАФИЯ |
И 88 Исследование структуры однослойных покрытий TiN и многослойных покрытий TiN/ZrN / П. Л. Журавлева, И. А. Тренинков [и др.] // Российские нанотехнологии. - 2010. - Т. 5, № 9-10. - С. 112-116 : рис., табл. - Библиогр. : с. 116 (4 назв.) . - ISSN 1992-7223
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ПОКРЫТИЯ ОДНОСЛОЙНЫЕ TIN -- ПОКРЫТИЯ МНОГОСЛОЙНЫЕ TIN/ZRN -- МЕТОД ПРОСВЕЧИВАЮЩЕЙ ЭЛЕКТРОННОЙ МИКРОСКОПИИ (пэм) -- МЕТОД РЕНТГЕНОСТРУКТУРНОГО АНАЛИЗА (РСА) Аннотация: B работе исследована структура ионоплазменных покрытий (однослойное - TiN и многослойное - TiN/ZrN), нанесенных на подложки из сплава ЭИ961, и определены величины остаточных напряжений в основных фазах покрытий. Исследование методом растровой электронной микроскопии (РЭМ) показало, что покрытие TiN/ZrN имеет периодичную слоистую структуру. Измерены толщины покрытий (~ 17 мкм) и толщины отдельных слоев (~ 75 нм). Результаты темнопольных исследований методом просвечивающей электронной микроскопии (ПЭМ) показали, что слои TiN и ZrN являются поликристаллическими, размеры зерен сопоставимы с размерами слоев. Методом рентгеноструктурного анализа (РСА) определен фазовый состав покрытий, выбраны рентгеновские линии для определения остаточных напряжений (ОН), установлена однородность химического состава по глубине покрытия. В результате анализа остаточных напряжений показано, что в многослойном покрытии величина ОН на 40 % меньше, чем в однослойном. Напряжения в покрытиях являются сжимающими. Образцы с покрытием находятся в объемном напряженном состоянии, следовательно, напряжения в подложках обратны по знаку напряжениям в покрытиях. В многослойном покрытии величина ОН в фазе TiN на порядок меньше, чем в фазе ZrN |
В 58 Влияние контаминации в РЭМ на профиль рельефных элементов нанометрового диапазона / В. П. Гавриленко [и др.] // Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 2. - С. 2-6 : рис. - Библиогр. : с. 6 (10 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ЭЛЕМЕНТЫ РЕЛЬЕФНЫЕ -- ДИАПАЗОН НАНОМЕТРОВЫЙ -- МИКРОСКОП РАСТРОВЫЙ ЭЛЕКТРОННЫЙ -- КОНТАМИНАЦИЯ Аннотация: Представлены результаты исследований влияния контаминации в РЭМ S-4800 на профиль рельефных элементов меры нанометрового диапазона МШПС-2.0К. Показано, что в результате электронного облучения изменяется форма профиля рельефных элементов, представлены зависимости их параметров от дозы электронного облучения для разных режимов облучения |
Р 25 Раткин , Л. С. Перспективы развития размерной метрологии в сфере нанотехнологий и микроэлектроники / Л. С. Раткин // Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 5. - С. 2-6. - Библиогр. : с. 6 (18 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): МИКРОЭЛЕКТРОНИКА -- НАНОТЕХНОЛОГИИ -- МЕТРОЛОГИЯ -- МЕТРОЛОГИЯ РАЗМЕРНАЯ -- АСМ -- РЭМ Аннотация: Научная сессия Отделения нанотехнологий и информационных технологий (ОНИТ) Российской академии наук (РАН), доведенная в Москве в 2010 году под председательством директора Физико-технологического института РАН академика Орликовского А. А., была посвящена перспективам развития размерной метрологии в сфере нанотехнологий и микроэлектроники. На сессии, в частности, обсуждались вопросы стандартизации и метрологического обеспечения в микро- и нанотехнологиях, нанометрологии при измерениях геометрических параметров изделий, калибровки растровых электронных микроскопов (РЭМ) и атомно-силовых микроскопов (АСМ), прецизионных измерений в нанометровом диапазоне, нейтронно-синхротронного исследования наноматериалов, сканирующей зондовой микроскопии для изучения наносистем и наноматериалов |
В 58 Влияние контаминации в низковольтном растровом электронном микроскопе на профиль рельефных элементов нанометрового диапазона / В. П. Гавриленко, А. Ю. Кузин, В. Б. Митюхляев, А. В. Раков, П. А. Тодуа, М. Н. Филиппов, В. А. Шаронов // Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 1. - С. 2-5 : рис. - Библиогр.: с. 5 (8 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ДОЗА ЭЛЕКТРОННОГО ОБЛУЧЕНИЯ -- ЭЛЕМЕНТЫ РЕЛЬЕФНЫЕ -- КОНТАМИНАЦИЯ -- МИКРОСКОП НИЗКОВОЛЬТНЫЙ РАСТРОВЫЙ ЭЛЕКТРОННЫЙ Аннотация: Представлены результаты исследований влияния контаминации в РЭМ S-4800 при энергии электронов 1 кэВ на профиль рельефных элементов меры МШПС-2.0К. Показано, что в результате электронного облучения увеличивается ширина нижнего основания рельефных элементов и получены зависимости ширины нижнего основания от дозы электронного облучения при разных режимах облучения. Приведены результаты влияния режима облучения на толщину контаминационной пленки |