М 74 Моделирование зонной диаграммы и расчет эффективной массы электронов в составных квантовых ямах InGaAs с нанослоями GaAs/InAs / Д. С. Пономарев [и др.] // Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 12. - С. 16-19 : рис., табл. - Библиогр. : с. 19 (5 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): НАНОГЕТЕРОСТРУКТУРЫ -- НАНОЭЛЕКТРОНИКА -- СВЧ ТРАНЗИСТОРЫ -- ЭПИТАКСИЯ МОЛЕКУЛЯРНО-ЛУЧЕВАЯ -- ПОЛУПРОВОДНИКИ ТИПА А3В5 Аннотация: Теоретически и экспериментально изучены зонная структура и электрофизические свойства гетероструктур InAlAs/InGaAs/InAlAs/InР с составной квантовой ямой (КЯ) InGaAs с нановставками InAs и GaAs. С помощью эффекта Шубникова - де Гааза измерены и рассчитаны значения эффективной циклотронной массы m*с с учетом непараболичности энергетического спектра электронов. Впервые предложенная гетероструктура с двумя симметрично расположенными в КЯ нановставками InAs позволяет уменьшить m*с на 26 % по сравнению с КЯ In0,53Ga0,47As |