Э 47 Эллипсометрическая характеризация структур Si-SiO2 / В. П. Гавриленко [и др.] // Нано- и микросистемная техника . - 2012. - № 2. - С. 42-45 : рис., табл. - Библиогр. : с. 45 (5 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ЭЛИПСОМЕТРИЯ -- ПОГРЕШНОСТЬ ИЗМЕРЕНИЙ -- СЛОЙ ПЕРЕХОДНОЙ В СИСТЕМЕ "ПЛЕНКА - ПОДЛОЖКА" Аннотация: Рассмотрены диагностические возможности метода эллипсометрии в применении к системе, представляющей собой пленку оксида кремния на кремнии, широко используемой в наноэлектронике. Для конкретных образцов, содержащих пленку оксида кремния на поверхности кремниевой подложки, определены с высокой точностью все основные параметры пленки и подложки: толщина пленки, показатели преломления пленки и подложки, коэффициент поглощения подложки. Экспериментально показано, что с помощью метода эллипсометрии можно контролировать наличие (или отсутствие) дополнительного переходного слоя между пленкой и подложкой |