П 96 Пьезоэлектрический датчик магнитного поля на основе планарной биморфной структуры с током / Ю. К. Фетисов [и др.] // Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 4. - С. 45-48 : рис. - Библиогр. : с. 48 (6 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ДАТЧИК МАГНИТНОГО ПОЛЯ -- СТРУКТУРА БИМОРФНАЯ -- ПЬЕЗОЭЛЕКТРИК -- ЦИРКОНАТ-ТИТАНАТ СВИНЦА Аннотация: Описан пьезоэлектрический датчик постоянных магнитных полей в виде планарной биморфной структуры из цирконата-титаната свинца с дополнительным токовым проводником. Принцип работы датчика основан на комбинации силы Ампера и пьезоэффекта. Чувствительность датчика на частоте резонанса изгибных колебаний структуры составляет 10 В / (А . кЭ), а напряженность минимального регистрируемого поля -0,1 Э |
Д 20 Датчик постоянного магнитного поля на основе пьезоэлектрического преобразователя и многовиткового контура с током / А. Г. Итальянцев, Ю. В. Шульга, Ю. К. Фетисов, Д. В. Чашин // Нано- и микросистемная техника . - 2012. - № 6. - С. 41-45 : рис. - Библиогр.: с. 45 (3 назв.) . -
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ЦТС-КЕРАМИКА -- СИЛА АМПЕРА -- СТРУКТУРА БИМОРФНАЯ -- ЭЛЕМЕНТ ПЬЕЗОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ -- ДАТЧИК МАГНИТНОГО ПОЛЯ -- КОНТУР МНОГОВИТКОВЫЙ Аннотация: Описана новая конструкция магниточувствительной MEMS, принцип действия которой основан на комбинации прямого пьезоэлектрического эффекта и силы Ампера. Теоретически и экспериментально обоснованы физические и конструкционные принципы увеличения чувствительности таких структур к постоянным магнитным полям. Выведено каноническое выражение для чувствительности первичных преобразователей на основе изгибного пьезоэлемента и многовиткового контура с током на резонансной частоте преобразователя. Экспериментально показано, что чувствительность предлагаемых MEMS многократно превышает чувствительность ближайших аналогов и достигает 104 В/(Тл-А) |