Т 36 Тест-объекты с прямоугольным и трапециевидным профилями рельефа для растровой электронной и атомно-силовой микроскопии [Текст] / В. Гавриленко [и др.] // Наноиндустрия. - 2008. - № 4. - С. 24-30 : рис., табл. - Библиогр.: с. 30 (14 назв.) . - ISSN 1993-8578
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ЭЛЕКТРОННЫЙ ЗОНД -- АНИЗОТРОПНОЕ ТРАВЛЕНИЕ Аннотация: В конце XX и начале XXI века экономику высокоразвитых стран характеризует освоение высоких технологий, главная из которых - нанотехнология. Она оперирует с размерами, лежащими в диапазоне 1-100 нм, что требует обеспечения единства линейных измерений в нанометровом диапазоне. В мировой практике линейные измерения в нанометрической области осуществляются на растровых электронных (РЭМ) [2-4] и атомно-силовых (АСМ) [5-7] микроскопах. Для калибровки РЭМ и АСМ в качестве тест-объектов используются периодические [3], шаговые [2, 8] и одиночные [4] рельефные структуры на поверхности твердого тела |
М 91 Мустафаев, Г. А. Разработка процесса формирования глубокой изоляции структур кремний на изоляторе [Текст] / Г. А. Мустафаев, А. Г. Мустафаев // Нано- и микросистемная техника . - 2009. - № 1. - С. 30-32 : рис. - Библиогр.: с. 32 (6 назв.) . - ISSN 1813-8586 Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): КАНАВКА -- ТРАВЛЕНИЕ |
О-42 Одиноков, В. Специальное оборудование для нанесения пленок и отжига материалов / В. Одиноков, Ю. Бараник, В. Рагузин // Наноиндустрия. - 2009. - № 3. - С. 4-8 : ил. - . - ISSN 1993-8578 Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ВАКУУМНОЕ ОБОРУДОВАНИЕ -- ТОНКИЕ ПЛЕНКИ -- ПЛАЗМОХИМИЧЕСКОЕ ТРАВЛЕНИЕ |
К 89 Кузнецова, М. А. Физико-технологические основы применения наноразмерной ионно-лучевой технологии при создании изделий микро- и наносистемной техники / М. А. Кузнецова, В. В. Лучинин, А. Ю. Савенко // Нано- и микросистемная техника . - 2009. - № 8. - С. 24-32 : рис. - Библиогр. : с. 32 (8 назв.) . - ISSN 1813-8586 Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ИОННО-ЛУЧЕВОЕ ТРАВЛЕНИЕ -- ОСАЖДЕНИЕ -- ИОННЫЙ ПУЧОК |
М 59 Микроэлектромеханические коммутаторы для радиочастотных устройств / В. А. Власенко [и др.] // Нано- и микросистемная техника . - 2009. - № 10. - С. 30-34 : рис., табл. - Библиогр. : с. 34 (8 назв.) . - ISSN 1813-8586 Рубрики: ЭЛЕКТРОТЕХНИКА Кл.слова (ненормированные): ФАЗОВРАЩАТЕЛИ -- ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬ МИКРОЭЛЕКТРОМЕХАНИЧЕСКИЙ -- ПЛЕНКИ АЛМАЗОПОДОБНЫЕ -- ПЛЕНКИ УГЛЕРОДНЫЕ -- ТРАВЛЕНИЕ ПЛАЗМОХИМИЧЕСКОЕ -- СИСТЕМА РАЗНОЧАСТОТНАЯ МИКРОЭЛЕКТРОМЕХАНИЧЕСКАЯ |
Л 87 Лучинин, В. В. Процессы препарирования при реинжиниринге изделий микротехники / В. В. Лучинин, М. А. Усикова // Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 3. - С. 31-43 : табл., рис. - Библиогр. : с. 43 ( 8 наим.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): СХЕМА ИНТЕГРАЛЬНАЯ -- ПРЕПАРИРОВАНИЕ -- ТРАВЛЕНИЕ -- КРИСТАЛЛ Аннотация: Внедрение процесса реинжиниринга в современную электронную промышленность предполагает разработку новых методик исследования объектов микротехники, а значит, применения новых технологических и аналитических методов препарирования в целях контроля топологии исследуемых систем. В работе наряду с разрушающими методами препарирования, такими как механическое вскрытие изделий микротехники с последующим удалением структурообразующих слоев, рассмотрены неразрушающие методы исследования с возможностью сохранения работоспособности системы для дальнейшего электрического анализа |
Ф 79 Формирование интегрированных наноразмерных графеновых структур при фокусированном ионном травлении / И. И. Бобринецкий, К. В. Горшков, В. К. Неволин, К. А. Царик // Российские нанотехнологии. - 2010. - Т. 5 , № 5-6 . - С. 66-70 : рис. - Библиогр. : с. 70 (15 назв.) . - ISSN 1992-7223
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): СТРУКТУРЫ НАНОРАЗМЕРНЫЕ ГРАФЕНОВЫЕ ИНТЕГРИРОВАННЫЕ -- ТРАВЛЕНИЕ ИОННОЕ ФОКУСИРОВАННОЕ -- ТЕХНОЛОГИИ МИКРОЭЛЕКТРОННЫЕ -- СУЖЕНИЯ КВАЗИОДНОМЕРНЫЕ Аннотация: Разработаны ионно-пучковые методы формирования наноструктур в мультиграфеновых слоях, интегрированных с системой токоподводящих электродов в процессе групповых микроэлектронных технологий. Результаты демонстрируют возможность утонения структур до единиц графеновых слоев и формирования квазиодномерных сужений в них |
648.4 Г 16 Галперин, Вячеслав Александрович. Процессы плазменного травления в микро-и нанотехнологиях [] : учеб. пособие для вузов / В. А. Галперин, Е. В. Данилкин, А. И. Мочалов ; под ред. С. П. Тимошенкова. - М. : БИНОМ. Лаборатория знаний, 2010. - 283 с. - (Нанотехнологии). - Библиогр.: с. 275-280. - ISBN 978-5-9963-0032-7 : 330.00 р.
Рубрики: РАДИОЭЛЕКТРОНИКА--ОБЩАЯ РАДИОТЕХНИКА--УЧЕБНИКИ ДЛЯ ВУЗОВ |
П 37 Плазменное наноразмерное травление GaAs в хлоре и хлороводороде / С. А. Пивоваренок [и др.] // Нанотехника. - 2011. - № 1. - С. 69-71 : рис. - Библиогр. : с. 71 (6 назв.) . - ISSN 1816-4498
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ТРАВЛЕНИЕ НАНОРАЗМЕРНОЕ GAAS -- ПЛАЗМА -- ХЛОР -- ХЛОРОВОДОРОД Аннотация: Неравновесная низкотемпературная плазма хлора и хлороводорода применяется в технологии микро- и наноэлектроники для очистки и «сухого» травления поверхности полупроводниковых пластин и функциональных слоев ИМС. Одним из важных процессов здесь является формирование топологического рельефа на поверхности GaAs, который является одним из самых перспективных материалов электроники будущего. Причины этого заключаются в сочетании большой ширины запрещенной зоны и высокой подвижности носителей заряда, что позволяет создавать на основе GaAs широкий спектр высокочастотных быстродействующих приборов. Кроме этого, GaAs является основным материалом квантовой наноэлектроники на основе гетеропереходов в системе AlGaAs [1] |
О-75 ОСобенности формирования маски пористого анодного оксида алюминия для плазменного локального травления кремния / А. Н. Белов [и др.] // Российские нанотехнологии. - 2011. - Т. 6, № 11-12. - С. 48-52 : рис. - Библиогр. : с. 52 (12 назв.) . - ISSN 1992-7223
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): КРЕМНИЙ -- ТРАВЛЕНИЕ -- ТРАВЛЕНИЕ ПЛАЗМЕННОЕ ЛОКАЛЬНОЕ -- ОКСИД АЛЮМИНИЯ -- ОКСИД АЛЮМИНИЯ АНОИДНЫЙ ПОРИСТЫЙ -- МАСКА ПОРИСТОГО АНОДНОГО ОКСИДА АЛЮМИНИЯ Аннотация: Исследованы особенности формирования маски пористого оксида алюминия для нанопрофилирования кремния. Показано влияние микроморфологии на границе раздела в анодированной двухслойной структуре Al - Ti на характер локального травления кремния. Выявлена корреляция аспектного отношения пор оксида алюминия с геометрическими параметрами формируемых плазменным травлением в кремнии локальных углублений |
М 91 Мустафаев, А. Г. Управление технологическим процессом формирования структур интегральных элементов / А. Г. Мустафаев, А. М. Савинова, П. М. Мирзаева // Нано- и микросистемная техника . - 2012. - № 3. - С. 20-23 : рис. - Библиогр. : с. 23 (4 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): УПРАВЛЕНИЕ ПРОЦЕССОМ -- ЭЛЕМЕНТЫ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ -- ПРОЦЕСС ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЙ -- МОДЕЛЬ ТЕХНОЛОГИЧЕСКОГО ПРОЦЕССА Аннотация: Современные технологические процессы формирования структур интегральных элементов обеспечиваются использованием низкотемпературных неравновесных импульсных и радиационно-стимулированных технологических операций. Решение задачи управления технологическими процессами основывается на понимании взаимосвязи между свойствами изделий, особенностями технологии их изготовления и характеристиками оборудования, с помощью которого реализуется эта технология. Разработанные подходы управления технологическими процессами позволяют исключить субъективный фактор и повысить эффективность систем управления. Показано, что основными технологическими операциями, существенно влияющими на выходные характеристики интегральных элементов при их производстве, являются ионная имплантация, отжиг, травление. Исследование и моделирование процессов на этих операциях позволяют выработать рекомендации по управлению и разработать алгоритмы эффективного управления технологическими процессами формирования структур интегральных элементов |
Т 48 Ткачева, А. А. Плазменное травление GaN и его твердых растворов: достижения и перспективы / А. А. Ткачева // Нано- и микросистемная техника . - 2012. - № 6. - С. 21-25 : табл. - Библиогр.: с. 25 (12 назв.) . -
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ТРАВЛЕНИЕ СУХОЕ -- НИТРИД ГАЛЛИЯ -- GAN -- ПЛАЗМА ИНДУКТИВНО-СВЯЗАННАЯ Аннотация: Представлен обзор материалов по плазменному травлению GaN и твердых растворов на его основе, включающий описание различных источников, режимов и газов, применяемых плазменном травлении материалов нитридной группы, вопросы качества травления, а также применение плазменного травления в технологии производства современных НЕМТ-транзисторов |
С 71 Спектральный контроль процесса травления арсенида галлия в хлороводороде / А. В. Дунаев, С. А. Пивоваренок, С. П. Капинос, А. М. Ефремов, В. И. Светцов // Нанотехника. - 2012. - № 1. - С. 93-95 : рис. - Библиогр.: с. 95 (5 назв.) . - ISSN 1816-4498
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ТРАВЛЕНИЕ -- КОНТРОЛЬ -- СПЕКТР -- ХЛОРОВОДОРОД -- ТРАВЛЕНИЕ ПЛАЗМОХИМИЧЕСКОЕ -- АРСЕНИД ГАЛЛИЯ Аннотация: Было выполнено исследование спектров плазмохимического травления GaAs в HCl. На обзорных спектрах выбраны контрольные линии и полосы. На временных зависимостях интенсивности излучения продуктов травления (в частности, линии атомарного Ga) в начале процесса обработки наблюдается нестационарный участок продолжительностью около 1 мин. Соотношение интенсивности излучения продуктов и скорости травления носит прямопропорциональный характер. Это свидетельствует о возможности спектрального контроля процесса травления в реальном времени |
Т 38 Технологии формирования и применение нанослоев и нанопористых композиций Аl 2О 3 для микро-и нанотехники / Т. М. Зимина, Е. Н. Муратова, Ю. М. Спивак, В. Е. Дрозд, А. А. Романов // Нано- и микросистемная техника . - 2012. - № 12. - С. 15-24 : рис., табл. - Библиогр.: с. 24 (52 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): БИОСЕНСОРЫ -- ЛАБОРАТОРИИ НА ЧИПЕ -- АНОДИРОВАНИЕ ЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКРЕ -- СБОРКА АТОМНО-МОЛЕКУЛЯРНАЯ ХИМИЧЕСКАЯ -- НАНОСЛОИ ОКСИДА АЛЮМИНИЯ -- ОКСИД АЛЮМИНИЯ ПОРИСТЫЙ Аннотация: Рассмотрены основные технологические подходы формирования нанослоев и композиций с различными характеристиками на основе оксида алюминия, а именно, атомно-молекулярное наслаивание и электрохимическое травление. Приведен краткий обзор основных современных областей применения оксида алюминия в форме нанослоевых композиций, нанопористых композиций, модифицированных металлом, и макропористых систем |
К 89 Кузнецова, М. А. Формирование карбидокремниевых автоэмиссионных острий методом остросфокусированного ионного пучка / М. А. Кузнецова, В. В. Лучинин // Нано- и микросистемная техника . - 2012. - № 12. - С. 35-40 : рис., табл. - Библиогр.: с. 40 (5 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ПУЧОК ИОННЫЙ -- ДИОД -- ТРАВЛЕНИЕ ИОННО-СТИМУЛИРОВАННОЕ -- ОСАЖДЕНИЕ ИОННО-СТИМУЛИРОВАННОЕ -- ЭМИССИЯ АВТОЭЛЕКТРОННАЯ -- КАРБИД КРЕМНИЯ Аннотация: Представлены результаты комплексного анализа возможностей и ограничений на применение остросфокусированного ионного пучка для объектов микросистемной техники (МСТ) и различных методов исследований. Детально проанализированы особенности применения данной технологии на примере создания карбидокремниевых автоэмиссионных острий и диодных структур на их основе |
У 18 Уваров, И. В. Особенности изготовления металлических кантилеверов наноразмерной толщины / И. В. Уваров, В. В. Наумов, И. И. Амиров // Нано- и микросистемная техника. - 2013. - № 11. - С. 5-9. - Библиогр.: с. 9 (17 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): НАНОЭЛЕКТРОМЕХАНИЧЕСКИЕ СИСТЕМЫ -- НАНОКОНТИЛЕВЕР -- ПЛАЗМЕННОЕ ТРАВЛЕНИЕ -- ОСТАТОЧНЫЕ НАПРЯЖЕНИЯ -- ТЕРМИЧЕСКИЙ ОТЖИГ -- ПОВЕРХНОСТЬ Аннотация: Представлена методика изготовления металлических нанокантилеверов. Кантилеверы имели трехслойную структуру и изготавливались в двух вариантах: Cr/Al/Cr и Ti/Al/Ti. Толщина кантилеверов составляла 40, 80 и 120 нм. Отношение длины кантилевера к толщине достигало 2500. Освобождение кантилеверов выполнялось путем травления жертвенного слоя в плазме SFfi. При изготовлении кантилеверов Cr/Al/Cr применялся вакуумный термический отжиг. Для кантилеверов Ti/Al/Ti важным моментом являлся подбор режима освобождения |
С 29 Селективное травление меди в технологии анализа отказов ИМС с проводниками на основе меди / Р. А. Милованов, Е. А. Кельм, О. А. Косичкин, Н. А. Ляпунов // Нано- и микросистемная техника. - 2013. - № 11. - С. 30-32. - Библиогр.: с. 32 (8 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): АНАЛИЗ ОТКАЗОВ -- СИСТЕМА МЕЖСОЕДИНЕНИЙ -- МЕДЬ -- ЖИДКОХИМИЧЕСКОЕ ТРАВЛЕНИЕ -- СУХОЕ ТРАВЛЕНИЕ -- ДИФФУЗИОННО-БАРЬЕРНЫЙ СЛОЙ Аннотация: Одним из этапов анализа отказов микросхем с системой межсоединений на основе меди является удаление слоя проводников. При этом основным требованием, которое предъявляется к процедуре травления, является селективность к диффузионно-барьерному слою, обеспечивающая полное удаление слоя проводников без повреждения нижележащего слоя. В работе рассмотрены подходы по селективному травлению медных проводников на основе использования методов жидкого и сухого травления. Результаты исследований показаны на примере кристаллов ПЛИС Virtex-4 фирмы Xilinx |
И 75 Ионно-лучевое травление как промежуточная стадия при удалении пассивируюших слоев микросхем в рамках технологии анализа отказов / Д. А. Абдуллаев, А. А. Зайцев, Е. А. Кельм, Р. А. Милованов // Нано- и микросистемная техника. - 2013. - № 11. - С. 35-39. - Библиогр.: с. 39 (3 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ИОННО-ЛУЧЕВОЕ ТРАВЛЕНИЕ -- РЕАКТИВНО-ИОННОЕ ПЛАЗМЕННОЕ ТРАВЛЕНИЕ -- ПЛАНАРИЗАЦИЯ МИКРОМЕТРОВОГО РЕЛЬЕФА СБИС -- ТЕХНОЛОГИЯ АНАЛИЗА ОТКАЗОВ Аннотация: Представлены результаты серии экспериментов по удалению пассивации СБИС с промежуточной планаризацией субмикрометрового рельефа методами ионно-лучевого травления в рамках технологии анализа отказов. Определены оптимальные параметры планаризации микрометрового рельефа |
А 13 Абдуллаев, Д. А. Селективное плазмохимическое травление нитрида кремния относительно оксида кремния / Д. А. Абдуллаев, А. А. Зайцев, Е. А. Кельм // Нано- и микросистемная техника. - 2014. - № 2. - С. 17-19. - Библиогр.: с. 17 (3 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ПЛАЗОХИМИЧЕСКОЕ ТРАВЛЕНИЕ (ПХТ) -- СЕЛЕКТИВНОЕ ТРАВЛЕНИЕ -- НИТРИД КРЕМНИЯ -- ОКСИД КРЕМНИЯ -- ПАССИВАЦИОННЫЕ СЛОИ -- ИНТЕГРАЛЬНАЯ МИКРОСХЕМА (ИМС) Аннотация: Представлены результаты серии экспериментов по определению параметров селективного плазмохимического травления нитрида кремния относительно оксида кремния |
Т 56 Томош, К. Н. Характеристики и использование вч и свч разрядов при создании твердотельных полупроводниковых приборов / К. Н. Томош // Нано- и микросистемная техника. - 2014. - № 5. - С. 47-52 : рис. - Библиогр.: с. 52 (8 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ПЛАЗМА -- СВЧ РАЗРЯД -- ВЧ РАЗРЯД -- РЕАКТОР -- МАГНИТНОЕ ПОЛЕ -- ТРАВЛЕНИЕ Аннотация: Представлена информация обзорного характера о применении плазмы ВЧ и СВЧ разряда в технологических процессах производства изделий электронной техники. Указаны области технического применения СВЧ разрядов и основные характеристики структур, формируемых под их воздействием |