К 77 Кравчик, В. Д. Метод контролируемого роста квантовых точек из коллоидного золота в системе СТМ / АСМ [Текст] / В. Д. Кравчик, М. Б. Семенов, Н. Ю. Черепанова // Нанотехника. - 2008. - № 2. - С. 87-93 : рис. - Библиогр.: с. 93 (10 назв.) . - ISSN 1816-4498
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): НАНОДИАПАЗОН -- ТУННЕЛИРОВАНИЕ ЧАСТИЦ |
А 16 Абрамов, И. И. Моделирование резонансно-туннельных диодов на основе GaAs/AlAs с использованием комбинированной двухзонной модели / И. И. Абрамов, И. А. Гончаренко // Нано- и микросистемная техника . - 2009. - № 3. - С. 10-13 : рис. - Библиогр. : с. 13 (21 назв.) . - ISSN 1813-8586 Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): МЕЖЗОННОЕ ТУННЕЛИРОВАНИЕ -- ДИОД -- ДВУХЗОННАЯ МОДЕЛЬ |
Э 45 Электропроводность в дисперсных металлических пленках / А. А. Агасиев, Э. М. Маггеррамов, Ч. Г. Ахундов, М. З. Мамедов, С. Н. Сармасов // Нано- и микросистемная техника . - 2012. - № 10. - С. 24-26 : рис. - Библиогр.: с. 26 (3 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ПЛЕНКА ТОНКАЯ -- ТУННЕЛИРОВАНИЕ -- ДЕФЕКТ СТРУКТУРНЫЙ -- ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТЬ Аннотация: Рассмотрена зависимость электропроводности платиновых и никелевых пленок различной толщины от температуры и напряженности электрического поля. Зависимость электропроводности от температуры и напряженности электрического поля можно объяснить как термоэлектронной эмиссией, так и моделью Нейгебауэра и Вебба |
С 72 Спин-поляризованная токовая эмиссия в вакуум и переключение магнитного состояния тонких наноостровковых пленок / Г. Д. Демин, Н. А. Дюжев, А. Ф. Попков, М. Ю. Чиненков // Нано- и микросистемная техника. - 2014. - № 4. - С. 24-30. - Библиогр.: с. 30 (15 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): СПИН-ПОЛЯРИЗОВАННОЕ ТУННЕЛИРОВАНИЕ -- ВАКУУМНЫЙ ЗАЗОР -- ТОКОВОЕ ПЕРЕМАГНИЧИВАНИЕ -- МАГНИТНАЯ НАНООСТРОВКОВАЯ СТРУКТУРА -- ТУННЕЛЬНОЕ МАГНИТОСОПРОТИВЛЕНИЕ -- ТУННЕЛЬНАЯ СПИНОВАЯ ПОЛЯРИЗАЦИЯ Аннотация: Исследуются особенности спин-поляризованного туннелирования через вакуумный зазор при инжекции электронов с магнитного покрытия катода на поверхность магнитных наноостровковых структур в режимах слабой и сильной полевой эмиссии. Обнаружено сильное влияние работы выхода и спинового расщепления магнитного катода на плотность протекающего туннельного тока, а также установлено существенное изменение характера спин-зависимого туннелирования при высоких напряжениях. Полученные теоретические оценки могут быть в дальнейшем использованы для реализации перемагничивания током спинового состояния магнитных наноостровковых пленок и разработки нового поколения высокоплотных запоминающих устройств, основанных на токовом переносе спина |