М 35 Матюшкин, И. В. Оценка времени деградации заряда на нанокристаллах Si в элементах флэш-памяти / И. В. Матюшкин // Нано- и микросистемная техника . - 2012. - № 3. - С. 34-41 : рис. - Библиогр. : с. 41 (15 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ВРЕМЯ ДЕГРАДАЦИИ -- УРОВЕНЬ ФЕРМИ -- ПАМЯТЬ ЭНЕРГОЗАВИСИМАЯ -- НАНОКРИСТАЛЛЫ КРЕМНИЯ (NC-SI) Аннотация: В рамках (2n + 1)-уровневой (n = 4) модели зонной структуры нанокристалла Si, несущего заряд, рассмотрено положение уровня Ферми. Показано, что типичное время утечки заряда на подложку составляет: для электронов зоны проводимости менее 10 с (до микросекунд в зависимости от толщины туннельного SiO2), для электронов на ловушке около 10 лет и выше |