М 33 Матвеенко , О. С. Интегрированные антенны на наногетероструктурах арсенида галлия / О. С. Матвеенко , Д. Л. Гнатюк, Р. Р. Галиев // Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 12. - С. 50-51 : рис. - Библиогр. : с. 51 (4 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): РНЕМТ -- ЯМА КВАНТОВАЯ -- АНТЕННА -- УСИЛИТЕЛЬ МАЛОШУМЯЩИЙ Аннотация: В настоящее время наблюдается ускоренное развитие исследований и разработок с технологическим освоением производства малогабаритных СВЧ приборов на основе интегральных активных антенных элементов. Данные устройства лежат в основе систем передачи данных, навигации, связи, а также позволяют создавать разнообразные миниатюрные сенсоры и датчики для систем охранной сигнализации, определения положения и скорости перемещения объектов и т. д. Настоящая работа посвящена разработке активных антенных элементов со встроенными малошумящими усилителями для частот 5 ГГц и 10...12 ГГц на основе РНЕМТ гетероструктуры с квантовой ямой типа АlGаА/InGаАs/GаА |
М 21 Мальцев, П. П. Перспективы создания систем на кристалле для СВЧ и КВЧ диапазонов / П. П. Мальцев // Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 4. - С. 40-48 : рис., табл. - Библиогр.: с. 48 (8 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): АНТЕННА -- СИСТЕМЫ НА КРИСТАЛЛЕ (СНК) -- АНТЕННЫ ИНТЕГРИРОВАННЫЕ -- УСИЛИТЕЛЬ -- мэмс-КОММУТАТОРЫ -- АРСЕНИД ГАЛЛИЯ -- ГЕТЕРОСТРУКТУРА -- МОНОЛИТНЫЕ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ СХЕМЫ Аннотация: Показана возможность создания российских систем на кристалле (СнК) для СВЧ и КВЧ диапазонов частот, включающих интегрированные антенны, усилители, МЭМС-коммутаторы, преобразователи частоты и генераторы, управляемые напряжением. Все микросхемы производятся на основе единой базовой технологии изготовления монолитных интегральных схем с использованием РНЕМТ и МНЕМТ гетероструктур арсенида галлия, что позволяет интегрировать их в единую СнК, обеспечивающую малые потери в тракте между элементами системы, низкий уровень шумов и большую передаваемую мощность. Приведены измеренные характеристики полученных в ИСВЧПЭ РАН МИС в сравнении с зарубежными аналогами для диапазона от 5 до 60 ГГц |
И 88 Исследование малосигнальных и шумовых характеристик метаморфных транзисторов для монолитных интегральных схем в крайневысокочастотном диапазоне / П. П. Мальцев, Д. Л. Гнатюк, Ю. В. Федоров , А. В. Зуев, Р. Р. Галиев, Н. В. Побойкина // Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 6. - С. 29-31 : рис. - Библиогр.: с. 31 (5 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): МОНОЛИТНАЯ ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА -- ГЕТЕРОСТРУКТУРА МЕТАМОРФНАЯ -- УСИЛИТЕЛЬ МАЛОШУМЯЩИЙ -- УСИЛИТЕЛЬ МОЩНОСТИ Аннотация: Описаны результаты научно-исследовательской работы, проведенной ИСВЧПЭ РАН, в которой созданы экспериментальные образцы метаморфных гетероструктур для изготовления на их основе монолитных интегральных схем усилителя мощности и малошумящего усилителя диапазона рабочих частот 57...64 ГГц и исследованы характеристики изготовленных тестовых транзисторов |
С 66 Сосредоточенный выходной резонатор микроклистрона миллиметрового диапазона / А. С. Батурин, М. В. Спиридонов, Д. В. Негров, А. А. Кузин // Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 7. - С. 39-43 : рис. - Библиогр.: с. 43 (12 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): РЕЗОНАТОР -- КЛИСТРОН -- УСИЛИТЕЛЬ -- ИЗЛУЧЕНИЕ МИЛЛИМИТРОВОЕ -- МЕТОД КОНЕЧНЫХ РАЗНОСТЕЙ ВО ВРЕМЕННОЙ ОБЛАСТИ Аннотация: Предложена структура сосредоточенного резонатора, работающего в миллиметровой области длин волн, пригодного для использования в качестве выходного резонатора клистрона. Приведены данные моделирования такой структуры и предложен подход к ее формированию |
В 26 Векшин, М. М. Полосно-заграждающий фильтр на основе четырехслойного оптического волновода / М. М. Векшин, О. А. Кулиш, Н. А. Яковенко // Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 9. - С. 50-54 : рис. - Библиогр.: с. 54 (5 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ВОЛНОВОД ЧЕТЫРЕХСЛОЙНЫЙ ИОНООБМЕННЫЙ -- ФИЛЬТР ПОЛОСНО-ЗАГРАЖДАЮЩИЙ -- УСИЛИТЕЛЬ ЭРБИЕВЫЙ -- ПОЛЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ -- ОПТИКА ИНТЕГРАЛЬНАЯ -- ИЗЛУЧЕНИЯ ОПТИЧЕСКИЕ Аннотация: Предложена новая простая схема оптического узкополосного заграждающего спектрального фильтра на основе четырехслойного ионообменного волновода с локально нанесенной высокопреломляющей пленкой. Расчетный коэффициент пропускания фильтра для подавления излучения лазера накачки эрбиевого усилителя с длиной волны 0,98 мкм составляет —15 дБ при вносимых потерях 0,6 дБ на рабочей длине 1,55 мкм. Представлены пространственные распределения электрических полей волноводных мод фильтра |