В 58 Влияние облучения на характеристики фотодетекторов из HgCdTe / А. В. Войцеховский, А. П. Коханенко [и др.] // Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 9. - С. 48-52 : рис., табл. - Библиогр. : с. 52 (27 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ФОТОДЕТЕКТОР -- ДЕФЕКТЫ РАДИАЦИОННЫЕ -- ТЕЛЛУРИД КАДМИЯ-РТУТИ Аннотация: Приведен обзор имеющихся данных по влиянию облучения на характеристики фотодетекторов из HgCdTe. Рассмотрено влияние облучения ?-квантами и электронами. Показано, что фотоприемники с пассивацией CdTe имеют высокую радиационную стойкость |
Ф 81 Фотоприемники и фотоприемные устройства для спектрального диапазона 0,19...1,1 мкм на фотодиодах из кремния и твердых растворов InGaN / А. В. Войцеховский, Н. А. Кульчицкий, А. А. Мельников, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух // Нано- и микросистемная техника . - 2012. - № 6. - С. 30-40 : табл., рис. - Библиогр.: с. 40 (19 назв.) . -
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): РАСТВОРЫ ТВЕРДЫЕ INGAN -- ФОТОДИОДЫ КРЕМНИЕВЫЕ -- ФОТОПРИЕМНИКИ -- P-I-N-ФОТОДИОДЫ Аннотация: Проведен анализ современного состояния и тенденций развития фотоприемников и фотоприемных устройств для спектрального диапазона 0,19...1,1 мкм на основе кремниевыхp-n- и p-i-n-фотодиодов и фотодиодов на основе твердых растворов InGa |
Л 13 Лавинные диоды, диоды с барьером шоттки и приборы с зарядовой связью на основе кремния для фотоприемников и фотоприемных устройств видимого и ближнего инфракрасного диапазонов / А. В. Войцеховский, Н. А. Кульчицкий, А. А. Мельников, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух // Нано- и микросистемная техника . - 2012. - № 7. - С. 29-37 : рис., табл., граф. - Библиогр.: с. 37 (19 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ДИОДЫ С БАРЬЕРОМ ШОТТКИ -- ПРИБОРЫ С ЗАРЯДОВОЙ СВЯЗЬЮ -- ФОТОПРИЕМНИКИ -- УСТРОЙСТВА ФОТОПРИЕМНЫЕ -- ДИОДЫ КРЕМНИЕВЫЕ ЛАВИННЫЕ Аннотация: Проведен анализ современного состояния и тенденций развития фотоприемников и фотоприемных устройств на основе кремниевых лавинных диодов, диодов с барьером Шоттки и приборов с зарядовой связью для видимого и ближнего ПК-диапазонов |
А 43 Активный координатно-чувствительный фотоприемник с комбинированным фотоэффектом / С. Г. Новиков, Н. Т. Гурин, А. В. Беринцев, В. А. Родионов, А. А. Штанько // Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 5. - С. 42-44 : рис. - Библиогр.: с. 44 (8 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ФОТОЭФФЕКТ -- ФОТОПРИЕМНИКИ КООРДИНАТНО-ЧУВСТВИТЕЛЬНЫЕ -- ФОТОЭДС -- ФОТОПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ Аннотация: Рассмотрены активные кремниевые координатно-чувствительные фотоприемники с продольным фотоэффектом. Предложен метод повышения уровня фотоЭДС таких фотоприемников. В исследуемых координатно-чувствительных фотоприемниках наблюдается повышение значения комбинированной фотоЭДС по сравнению со значением продольной фотоЭДС в той же структуре. Исследуемые фотоприемники имеют линейную зависимость выходного сигнала от координаты светового зонда |
Ф 81 Фотоприемники и фотоприемные устройства для спектрального диапазона 8...14 мкм на твердых растворах теллуридов кадмия — ртути / А. В. Войцеховский, Н. А. Кульчицкий, А. А. Мельников, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух // Нано- и микросистемная техника. - 2013. - № 10. - С. 29-37. - Библиогр.: с. 37 (36 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ФОТОПРИЕМНИКИ -- ФОТОПРИЕМНЫЕ УСТРОЙСТВА -- ТВЕРДЫЕ РАСТВОРЫ HgCdTe Аннотация: Проведен анализ современного состояния и тенденций развития фотоприемников и фотоприемных устройств для спектрального диапазона 8...14 мкм на основе твердых растворов HgCdTe |