Т 38 Технология плазменного наноразмерного травления металлов и полупроводников в бинарных хлорсодержащих газовых смесях / А. М. Ефремов, В. И. Светцов, С. А. Пивоваренок, А. В. Дунаев // Нанотехника. - 2010. - № 2 . - С. 77-81 : рис. - Библиогр. : с. 81 (3 назв.) . - ISSN 1816-4498
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ТРАВЛЕНИЯ МЕТАЛЛОВ И ПОЛУПРОВОДНИКОВ -- СМЕСИ ГАЗОВЫЕ ХЛОРСОДЕРЖАЩИЕ -- ПРОИЗВОДСТВО ИМС Аннотация: Неравновесная низкотемпературная газоразрядная плазма (ННГП) в среде хлорсодержащих газов применяется при проведении процессов «сухого» травления и очистки поверхности полупроводниковых пластин и функциональных слоев ИМС в тех случаях, когда использование жидкостных методов ограничивается высокими требованиями к чистоте, разрешению и воспроизводимости процесса [1, 2]. В качестве плазмообразующих сред традиционно использовались СС14, BCl3 и SiCl4, существенным недостатком которых является полимеризация и/или высаживание ненасыщенных продуктов плазмохимических реакций на внутренней поверхности реактора и обрабатываемого материала. Молекулярный хлор свободен от этих недостатков, однако его применение также осложнено рядом причин. Во-первых, это высокая коррозионная активность по отношению к конструкционным материалам технологического оборудования, неудобства хранения и транспортировки [1, 3]. Во-вторых, при характерных режимах работы промышленных плазмохимических реакторов ННГП в хлоре характеризуется высокими степенями диссоциации молекул CI2, что не позволяет достигать высокой анизотропии процесса. В то же время, последний параметр является актуальным при переходе к субмикронным технологиям в производстве ИМС |
П 37 Плазменное наноразмерное травление GaAs в хлоре и хлороводороде / С. А. Пивоваренок [и др.] // Нанотехника. - 2011. - № 1. - С. 69-71 : рис. - Библиогр. : с. 71 (6 назв.) . - ISSN 1816-4498
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ТРАВЛЕНИЕ НАНОРАЗМЕРНОЕ GAAS -- ПЛАЗМА -- ХЛОР -- ХЛОРОВОДОРОД Аннотация: Неравновесная низкотемпературная плазма хлора и хлороводорода применяется в технологии микро- и наноэлектроники для очистки и «сухого» травления поверхности полупроводниковых пластин и функциональных слоев ИМС. Одним из важных процессов здесь является формирование топологического рельефа на поверхности GaAs, который является одним из самых перспективных материалов электроники будущего. Причины этого заключаются в сочетании большой ширины запрещенной зоны и высокой подвижности носителей заряда, что позволяет создавать на основе GaAs широкий спектр высокочастотных быстродействующих приборов. Кроме этого, GaAs является основным материалом квантовой наноэлектроники на основе гетеропереходов в системе AlGaAs [1] |