В 58 Влияние контаминации в РЭМ на профиль рельефных элементов нанометрового диапазона / В. П. Гавриленко [и др.] // Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 2. - С. 2-6 : рис. - Библиогр. : с. 6 (10 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ЭЛЕМЕНТЫ РЕЛЬЕФНЫЕ -- ДИАПАЗОН НАНОМЕТРОВЫЙ -- МИКРОСКОП РАСТРОВЫЙ ЭЛЕКТРОННЫЙ -- КОНТАМИНАЦИЯ Аннотация: Представлены результаты исследований влияния контаминации в РЭМ S-4800 на профиль рельефных элементов меры нанометрового диапазона МШПС-2.0К. Показано, что в результате электронного облучения изменяется форма профиля рельефных элементов, представлены зависимости их параметров от дозы электронного облучения для разных режимов облучения |
В 58 Влияние контаминации в низковольтном растровом электронном микроскопе на профиль рельефных элементов нанометрового диапазона / В. П. Гавриленко, А. Ю. Кузин, В. Б. Митюхляев, А. В. Раков, П. А. Тодуа, М. Н. Филиппов, В. А. Шаронов // Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 1. - С. 2-5 : рис. - Библиогр.: с. 5 (8 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ДОЗА ЭЛЕКТРОННОГО ОБЛУЧЕНИЯ -- ЭЛЕМЕНТЫ РЕЛЬЕФНЫЕ -- КОНТАМИНАЦИЯ -- МИКРОСКОП НИЗКОВОЛЬТНЫЙ РАСТРОВЫЙ ЭЛЕКТРОННЫЙ Аннотация: Представлены результаты исследований влияния контаминации в РЭМ S-4800 при энергии электронов 1 кэВ на профиль рельефных элементов меры МШПС-2.0К. Показано, что в результате электронного облучения увеличивается ширина нижнего основания рельефных элементов и получены зависимости ширины нижнего основания от дозы электронного облучения при разных режимах облучения. Приведены результаты влияния режима облучения на толщину контаминационной пленки |