Инвентарный номер: нет.        Э 94         Эффект резистивного переключения в оксидных пленках HfxAl 1 - xOy с переменным составом, выращенных методом атомно-слоевого осаждения / А. С. Батурин, К. В. Булах, И. П. Григал, К. В. Егоров, А. В. Заблоцкий, А. М. Маркеев, Ю. Ю. Лебединский, Е. С. Горнев, О. М. Орлов, А. А. Чуприк // Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 6. - С. 13-18 : рис. - Библиогр.: с. 18 (13 назв.) . - ISSN 1813-8586 УДК 620.3 ББК 623.7 Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): МЕТОД АТОМНО-СЛОЕВОГО ОСАЖДЕНИЯ -- ЭФФЕКТ РЕЗИСТИВНОГО ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ -- ПЛЕНКИ ОКСИДНЫЕ -- ПЛЕНКИ ТОНКИЕ -- МЕТОДИКА РЕНТГЕНО-ФОТОЭЛЕКТРОННОЙ СПЕКТРОСКОПИИ Аннотация: В качестве функционального диэлектрического слоя ячейки резистивной памяти ReRAMразработаны и выращены методом атомно-слоевого осаждения тонкие пленки трехкомпонентного оксида Hf xAl 1- xlO y с переменным (по глубине) содержанием Al. Выполнено неразрушающее профилирование оксидной пленки по глубине с использованием методики рентгено-фотоэлектронной спектроскопии с угловым разрешением. В структурах металл—диэлектрик—металл TiN/Hf xAl 1- xO y/Pt и Pt/Hf xAl 1- xO y/TiN исследован эффект резистивного переключения

Инвентарный номер: нет.        Э 94         Эффект резистивного переключения в тонких пленках оксида гафния в наноструктурах TiN/HfxAl1-xOy/HfO2/TiN / С. А. Зайцев, О. М. Орлов, Е. С. Горнев, К. В. Егоров, Р. В. Киртаев, А. М. Маркеев, А. В. Заблоцкий // Наноматериалы и наноструктуры. - 2014. - Т. 5, № 2. - С. 10-15. - Библиогр.: с. 15 (15 назв.) ББК 623.7 Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ЭФФЕКТ РЕЗИСТИВНОГО ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ -- АТОМНО-СЛОЕВОЕ ОСАЖДЕНИЕ -- ЭНЕРГОНЕЗАВИСИМАЯ ПАМЯТЬ -- ОКСИД ГАФНИЯ Аннотация: Изучен эффект резистивного переключения наноструктур типа металл-оксид-металл TiN/HfxAl1-xOy/HfO2/TiN на основе тонкой пленки двухслойного оксида, включающей в себя слой стехиометрического оксида гафния и нестехиометрического оксида гафния, допированного алюминием. Слои оксидов нанесены методом атомно-слоевого осаждения. Определены параметры резистивного переключения полученных наноструктур, в том числе время хранения записанного состояния в изготовленных структурах.