И 75 Ионно-лучевое травление как промежуточная стадия при удалении пассивируюших слоев микросхем в рамках технологии анализа отказов / Д. А. Абдуллаев, А. А. Зайцев, Е. А. Кельм, Р. А. Милованов // Нано- и микросистемная техника. - 2013. - № 11. - С. 35-39. - Библиогр.: с. 39 (3 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ИОННО-ЛУЧЕВОЕ ТРАВЛЕНИЕ -- РЕАКТИВНО-ИОННОЕ ПЛАЗМЕННОЕ ТРАВЛЕНИЕ -- ПЛАНАРИЗАЦИЯ МИКРОМЕТРОВОГО РЕЛЬЕФА СБИС -- ТЕХНОЛОГИЯ АНАЛИЗА ОТКАЗОВ Аннотация: Представлены результаты серии экспериментов по удалению пассивации СБИС с промежуточной планаризацией субмикрометрового рельефа методами ионно-лучевого травления в рамках технологии анализа отказов. Определены оптимальные параметры планаризации микрометрового рельефа |
Э 45 Электрохимическое восстановаение поврежденных контактных площадок кристаллов при анализе отказов современных интегральных схем / Д. Н. Зубов, Е. А. Кельм, Р. А. Милованов, Г. В. Молодцова // Нано- и микросистемная техника. - 2014. - № 5. - С. 38-40 : рис. - Библиогр.: с. 40 (5 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): АНАЛИЗ ОТКАЗОВ -- ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА -- КОНТАКТНАЯ ПЛОЩАДКА -- ЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКОЕ ОСАЖДЕНИЕ -- ТЕРМОКОМПРЕССИОННАЯ СВАРКА Аннотация: При анализе отказов современных интегральных схем, может возникнуть необходимость в проведении исследований, включающих одновременный анализ топологии кристалла и подачу электрических сигналов на его контактные площадки. Однако при осуществлении доступа к кристаллу контактные площадки могут быть повреждены по различным причинам. Рассмотрены несколько типов повреждений контактных площадок, а также экспериментальные исследования по их восстановлению электрохимическим осаждением серебра и меди |