Ф 81 Фотоприемники и фотоприемные устройства для спектрального диапазона 8...14 мкм на твердых растворах теллуридов кадмия — ртути / А. В. Войцеховский, Н. А. Кульчицкий, А. А. Мельников, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух // Нано- и микросистемная техника. - 2013. - № 10. - С. 29-37. - Библиогр.: с. 37 (36 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ФОТОПРИЕМНИКИ -- ФОТОПРИЕМНЫЕ УСТРОЙСТВА -- ТВЕРДЫЕ РАСТВОРЫ HgCdTe Аннотация: Проведен анализ современного состояния и тенденций развития фотоприемников и фотоприемных устройств для спектрального диапазона 8...14 мкм на основе твердых растворов HgCdTe |
О-80 От молекулярного наслаивания к эпитаксии органических веществ метолом ленгмюра-блоджетт / С. И. Голоудина, П. П. Карагеоргиев, В. В. Лучинин, В. М. Пасюта // Нано- и микросистемная техника. - 2013. - № 12. - С. 34-38. - Библиогр.: с. 38 (8 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): МЕТОД ЛЕНГМЮРА-БЛОДЖЕТТ -- ЭПИТАКСИЯ -- ФОСОФОЛИПИДЫ -- СТЕАРИНОВАЯ КИСЛОТА Аннотация: Пленки органического вещества гексадецилфосфатидилхолина — аналога фосфолипида, входящего в оболочку клеточных мембран, наследуют структуру пленки Ленгмюра—Блоджетт стеариновой кислоты, что свидетельствует о возможности эпитаксии органических молекул на поверхности твердого субстрата. |
С 31 Сеничкин, А. П. Исследование токовой нестабильности в образцах, содержащих нанонити из атомов олова, встроенные в кристалл арсенида галлия / А. П. Сеничкин, А. С. Бугаев, А. Э. Ячменев // Нано- и микросистемная техника. - 2014. - № 3. - С. 32-34. - Библиогр.: с. 34 (6 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): НАНОНИТИ -- КВАЗИОДНОМЕРНЫЕ СТРУКТУРЫ -- ДЕЛЬТА-ЛЕГИРОВАНИЕ -- АНИЗОТРОПИЯ -- НЕСТАБИЛЬНОСТЬ Аннотация: Представлены результаты исследования колебаний, возникающих при протекании тока перпендикулярно нанонитям, встроенным в кристалл арсенида галлия. Обнаружено влияние тянущего напряжения, а также светового воздействия на колебания тока, что говорит о наличии глубокого потенциального рельефа при протекании тока перпендикулярно нанонитям |
С 31 Сеничкин, А. П. Оптимизация технологии получения pHEMT-структур на подложках GaAs с профилем легирования в виде нанонитей из атомов олова / А. П. Сеничкин, А. С. Бугаев, А. Э. Ячменев // Нано- и микросистемная техника. - 2014. - № 5. - С. 15-17 : табл., граф. - Библиогр.: с. 17 (3 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Аннотация: Разработана конструкция и опробована технология изготовления pHEMT-наногетероструктур на вицинальных подложках GaAs с профилем легирования в виде нанонитей из атомов олова. Предложены способы улучшения этой технологии применительно к легированию оловом для получения заданного профиля. Изготовлен тестовый образец наногетероструктуры AlGaAs/lnGaAs с квазиодномерными каналами проводимости в квантовой яме с плотностью тока до 350мА/мм, достаточной для изготовления тестовых полевых транзисторов |