И 75 Ионно-лучевое травление как промежуточная стадия при удалении пассивируюших слоев микросхем в рамках технологии анализа отказов / Д. А. Абдуллаев, А. А. Зайцев, Е. А. Кельм, Р. А. Милованов // Нано- и микросистемная техника. - 2013. - № 11. - С. 35-39. - Библиогр.: с. 39 (3 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ИОННО-ЛУЧЕВОЕ ТРАВЛЕНИЕ -- РЕАКТИВНО-ИОННОЕ ПЛАЗМЕННОЕ ТРАВЛЕНИЕ -- ПЛАНАРИЗАЦИЯ МИКРОМЕТРОВОГО РЕЛЬЕФА СБИС -- ТЕХНОЛОГИЯ АНАЛИЗА ОТКАЗОВ Аннотация: Представлены результаты серии экспериментов по удалению пассивации СБИС с промежуточной планаризацией субмикрометрового рельефа методами ионно-лучевого травления в рамках технологии анализа отказов. Определены оптимальные параметры планаризации микрометрового рельефа |
А 13 Абдуллаев, Д. А. Селективное плазмохимическое травление нитрида кремния относительно оксида кремния / Д. А. Абдуллаев, А. А. Зайцев, Е. А. Кельм // Нано- и микросистемная техника. - 2014. - № 2. - С. 17-19. - Библиогр.: с. 17 (3 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ПЛАЗОХИМИЧЕСКОЕ ТРАВЛЕНИЕ (ПХТ) -- СЕЛЕКТИВНОЕ ТРАВЛЕНИЕ -- НИТРИД КРЕМНИЯ -- ОКСИД КРЕМНИЯ -- ПАССИВАЦИОННЫЕ СЛОИ -- ИНТЕГРАЛЬНАЯ МИКРОСХЕМА (ИМС) Аннотация: Представлены результаты серии экспериментов по определению параметров селективного плазмохимического травления нитрида кремния относительно оксида кремния |
А 13 Абдуллаев, Д. А. Изменение набора применяемых материалов при уменьшении топологических норм производства интегральных микросхем / Д. А. Абдуллаев // Нано- и микросистемная техника. - 2014. - № 5. - С. 32-38 : рис., граф. - Библиогр.: с. 37 (23 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ИНТЕГРАЛЬНАЯ МИКРОСХЕМА (ИМС) -- ТОПОЛОГИЧЕСКИЕ НОРМЫ -- МЕДНЫЕ МЕЖСОЕДИНЕНИЯ -- LOW-K ДИЭЛЕКТРИКИ -- HIGH-K ДИЭЛЕКТРИКИ -- АЛЮМИНИЕВЫЕ МЕЖСОЕДИНЕНИЯ Аннотация: Описывается, как изменяется набор используемых материалов в производстве интегральных микросхем при переходе от топологических норм 180 нм к топологических нормам 32 и 22 нм |