А 16 Абрамов, И. И. Моделирование резонансно-туннельных диодов на основе GaAs/AlAs с использованием комбинированной двухзонной модели / И. И. Абрамов, И. А. Гончаренко // Нано- и микросистемная техника . - 2009. - № 3. - С. 10-13 : рис. - Библиогр. : с. 13 (21 назв.) . - ISSN 1813-8586 Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): МЕЖЗОННОЕ ТУННЕЛИРОВАНИЕ -- ДИОД -- ДВУХЗОННАЯ МОДЕЛЬ |
А 16 Абрамов, И. И. Проблемы и принципы физики и моделирования приборных структур микро- и наноэлектроники. VII. Структуры на квантовых проволоках / И. И. Абрамов // Нано- и микросистемная техника . - 2009. - № 7. - С. 14-29 : рис., табл. - Библиогр. : с. 26-29 (113 назв.) Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): КВАНТОВЫЕ ПРОВОЛОКИ -- ПРИБОРНЫЕ СТРУКТУРЫ |
А 16 Абрамов, И. И. Проблемы и принципы физики и моделирования приборных структур микро- и наноэлектроники. VII. Структуры на квантовых проволоках / И. И. Абрамов // Нано- и микросистемная техника . - 2009. - № 8. - С. 7-23 : рис. - Библиогр. : с. 18-23 (228 назв.) . - ISSN 1813-8586 Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): КВАНТОВЫЕ ПРОВОЛОКИ -- НАНОЭЛЕКТРОНИКА |
А 16 Абрамов, И. И. Моделирование металлических и полупроводниковых одноэлектронных приборных структур с учетом пространственного квантования на островках / И. И. Абрамов, А. Л. Баранов // Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 3. - С. 2-6 : рис. - Библиогр. : с. 6 (15 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): СТРУКТУРА ОДНОЭЛЕКТРОННАЯ ПРИБОРНАЯ -- КВАНТОВАНИЕ ПРОСТРАНСТВЕННОЕ -- МОДЕЛЬ ФИЗИКО-ТОПОЛОГИЧЕСКАЯ Аннотация: Предложена модель одноэлектронных приборных структур, учитывающая эффект пространственного квантования на островках. Показано, что эффект может оказывать все более сильное влияние на вольт-амперные характеристики приборов с ростом числа островков и прикладываемых к ним смещений, а также уменьшением температуры окружающей среды |
А 16 Абрамов, И. И. Проблемы и принципы физики и моделирования приборных структур микро- и наноэлектроники. viii. нанотранзисторы с МДП-структурой (часть 1) / И. И. Абрамов // Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 9. - С. 27-37. - Библиогр. : с. 37 (82 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): НАНОТРАНЗИСТОРЫ -- МЕТАЛЛ-ДИЭЛЕКТРИК-ПОЛУПРОВОДНИК -- НАНОЭЛЕКТРОНИКА Аннотация: Проанализированы модели кремниевых нанотранзисторов со структурой металл-диэлектрик-полупроводник (МДП). Оценены перспективы развития электроники после окончания "эры" данного типа приборных структур |
А 16 Абрамов, И. И. Проблемы и принципы физики и моделирования приборных структур микро- и наноэлектроники. viii. нанотранзисторы с мдп-структурой / И. И. Абрамов // Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 10 . - С. 28-41. - Библиогр. : с. 41 (148 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): НАНОТРАНЗИСТОРЫ -- НАНОЭЛЕКТРОНИКА -- МЕТАЛЛ-ДИЭЛЕКТРИК-ПОЛУПРОВОДНИК Аннотация: В данной части работы проанализированы модели кремниевых нанотранзисторов со структурой металл- диэлектрик-полупроводник (МДП). Оценены перспективы развития электроники после окончания "эры" данного типа приборных структур |
А 16 Абрамов, И. И. Проблемы и принципы физики и моделирования приборных структур микро- и наноэлектроники. viii. нанотранзисторы с мдп-структурой / И. И. Абрамов // Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 11. - С. 29-42. - Библиогр. : с. 42 (148 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): НАНОТРАНЗИСТОРЫ -- НАНОЭЛЕКТРОНИКА -- СТРУКТУРА МДП Аннотация: В данной части работы проанализированы модели кремниевых нанотранзисторов со структурой металл- диэлектрик-полупроводник (МДП). Оценены перспективы развития электроники после окончания «эры» данного типа приборных структур |
А 16 Абрамов, И. И. Моделирование одноэлектронных приборных структур на основе молекул / И. И. Абрамов, А. Л. Баранов, И. Ю. Щербакова // Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 10. - С. 18-20 : рис. - Библиогр. : с. 20 (19 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): МОЛЕКУЛА -- СТРУКТУРА ПРИБОРНАЯ ОДНОЭЛЕКТРОННАЯ -- КВАНТОВАНИЕ ПРОСТРАНСТВЕННОЕ Аннотация: Показана универсальность модели, разработанной в рамках предложенного подхода к моделированию одноэлектронных приборных структур. С этой целью доведен расчет вольт-амперных характеристик структур, включающих и молекулы |
А 16 Абрамов, И. И. Моделирование резонансно-туннельного диода на основе Si/SiGe / И. И. Абрамов, Н. В. Коломейцева // Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 11. - С. 16-18 : рис. - Библиогр. : с. 18 (13 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): МОДЕЛИРОВАНИЕ ЧИСЛЕННОЕ -- ДИОД РЕЗОНАНСНО-ТУННЕЛЬНЫЙ -- МОДЕЛЬ ДВУХЗОННАЯ КОМБИНИРОВАННАЯ Аннотация: Показано, что с помощью разработанной комбинированной двухзонной модели резонансно-туннельных диодов могут быть получены удовлетворительные результаты согласования расчетов вольт-амперной характеристики с экспериментальными данными для структуры на основе Si/SiGe |
А 16 Абрамов, И. И. Мозг — объект органической гибридной наноэлектроники, или взгляд со стороны. Часть I / И. И. Абрамов // Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 1. - С. 52-54. - Библиогр.: с. 54 (28 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): НАНОЭЛЕКТРОНИКА -- МОЗГ -- ИНТЕРПРЕТАЦИЯ ЭЛЕКТРОННАЯ Аннотация: Приводится новая интерпретация функционирования мозга — объекта органической гибридной наноэлектроники, созданного Природой. Наиболее близкий аналог искусственной электроники — интегральная схема микро- и наноэлектроники. Проводится сопоставление нейронных цепей мозга и интегральных схем и устанавливаются их основные различия. Показывается, что предложенная интерпретация и ее следствия позволяют не только более глубоко разобраться в принципах функционирования мозга, но и предложить перспективный комплексный подход его дальнейшего исследования, основанный на многоуровневом моделировании в сочетании с экспериментальными методами. В части I дается ответ на вопрос: "Почему мозг может интерпретироваться как объект органической гибридной наноэлектроники?" |
А 16 Абрамов, И. И. Мозг — объект органической гибридной наноэлектроники, или взгляд со стороны. Часть II / И. И. Абрамов // Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 3. - С. 45-53. - Библиогр.: с. 53 (41 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): НАНОЭЛЕКТРОНИКА -- МОЗГ -- ИНТЕРПРЕТАЦИЯ ЭЛЕКТРОННАЯ Аннотация: Приводится новая интерпретация функционирования мозга — объекта органической гибридной наноэлекmроники, созданного природой. Наиболее близкий аналог искусственной электроники — интегральная схема микро- и наноэлекmроники. Доводится сопоставление нейронных цепей мозга и интегральных схем и устанавливаются их основные различия. Показывается, что предложенная интерпретация и ее следствия позволяют не только более глубоко разобраться в принципах функционирования мозга, но и предложить перспективный комплексный подход его дальнейшего исследования, основанный на многоуровневом моделировании в сочетании с экспериментальными методами. В части II дается ответ на вопрос: "Как приблизительно функционирует мозг с точки зрения специалиста в области электроники?" |
А 16 Абрамов, И. И. Мозг — объект органической гибридной наноэлектроники, или взгляд со стороны. Часть III / И. И. Абрамов // Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 5. - С. 45-54 : табл. - Библиогр.: с. 54 (84 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): НАНОЭЛЕКТРОНИКА -- МОЗГ -- ИНТЕРПРЕТАЦИЯ ЭЛЕКТРОННАЯ Аннотация: Приведена новая интерпретация функционирования мозга — объекта органической гибридной наноэлектроники, созданного Природой. Наиболее близкий аналог искусственной электроники — интегральная схема микро-и наноэлектроники. Проводится сопоставление нейронных цепей мозга и интегральных схем и устанавливаются их основные различия. Показано, что предложенная интерпретация и ее следствия позволяют не только более глубоко разобраться в принципах функционирования мозга, но и предложить перспективный комплексный подход его дальнейшего исследования, основанный на многоуровневом моделировании в сочетании с экспериментальными методами. В части III даны ответы на вопросы: "Достаточно ли для описания работы мозга, включая сознание, мысль, другие психические функции, квантовой механики? Как далее исследовать мозг?" |
А 16 Абрамов, И. И. Мозг — объект органической гибридной наноэлектроники, или взгляд со стороны. Часть IV / И. И. Абрамов // Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 6. - С. 49-53. - Библиогр.: с. 53 (32 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): НАНОЭЛЕКТРОНИКИ -- ИНТЕРПРЕТАЦИЯ ЭЛЕКТРОННАЯ -- МОЗГ Аннотация: Приводится новая интерпретация функционирования мозга — объекта органической гибридной наноэлектроники, созданного Природой. Наиболее близкий аналог искусственной электроники — интегральная схема микро- и наноэлектроники. Проводится сопоставление нейронных цепей мозга и интегральных схем и устанавливаются их основные различия. Показывается, что предложенная интерпретация и ее следствия позволяют не только более глубоко разобраться в принципах функционирования мозга, но и предложить перспективный комплексный подход его дальнейшего исследования, основанный на многоуровневом моделировании в сочетании с экспериментальными методами. В части IV дается ответ на вопрос: "А что же дальше?" |
М 74 Моделирование функционально-интегрированных структур на основе углеродных нанотрубок / И. И. Абрамов, Н. В. Коломейцева, В. А. Лабунов, И. А. Романова, А. С. Басаев // Нано- и микросистемная техника. - 2014. - № 5. - С. 11-15 : граф. - Библиогр.: с. 13-14 (19 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): УГЛЕРОДНЫЕ НАНОТРУБКИ -- ФУНКЦИОНАЛЬНО-ИНТЕГРИРОВАННАЯ СТРУКТУРА -- КОМБИНИРОВАННАЯ ОДНОЗОННАЯ МОДЕЛЬ -- ЧИСЛЕННОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ Аннотация: Предложена численная комбинированная модель, предназначенная для моделирования гибридных функционально-интегрированных структур, представляющих собой совмещение резонансно-туннельного диода и полевого транзистора (РТД-ПТ). С ее помощью проведено моделирование РТД-ПТ на основе УНТ с различными индексами хиральности |