А 28 Адамов, Д. Ю. Усовершенствование структур моп-транзисторов в нанометровых технологиях [Текст] / Д. Ю. Адамов, О. С. Матвеенко // Нано- и микросистемная техника . - 2008. - № 2. - С. 47-53 : рис. - Библиогр.: с. 62-63 919 назв) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): МОП-ТРАНЗИСТОРЫ -- НАПРЯЖЕНИЕ |
А 28 Адамов, Д. Ю. Синхронизация, связь и помехоустойчивость в микросхемах для информационных сетей [Текст] / Д. Ю. Адамов // Нано- и микросистемная техника . - 2008. - № 12. - С. 38-44 : рис. - Библиогр. : с. 44 (20 назв.)
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): РЕЗОНАНСНЫЙ КОНТУР -- СИНХРОНИЗАЦИЯ -- ПОМЕХОУСТОЙЧИВОСТЬ -- ИНФОРМАЦИОННЫЕ СЕТИ -- ДОПУСТИМЫЕ ОТКЛОНЕНИЯ -- СВЯЗНОСТЬ СИГНАЛА -- ВОССТАНОВЛЕНИЕ -- КОЛЬЦЕВОЙ ГЕНЕРАТОР -- ДЕРЕВО СИНХРОНИЗАЦИИ -- СИСТЕМА НА КРИСТАЛЛЕ -- СИСТЕМА В КОРПУСЕ -- НАНОМЕТРОВЫЕ ТЕХНОЛОГИИ Аннотация: Помехоустойчивость является основным фактором, определяющим производительность СБИС для информационных сетей. В статье описаны новые метода синхронизации и передачи сигналов. используемые при разработке интегральных схем по нанометровым технологиям. Такие методы системного уровня как восстановление сигналов, последовательная передача данных и блоковая синхронизация теперь должны использоваться на уровне микросхем. |
А 28 Адамов, Д. Ю. элементная база нанометровых КМОП-микросхем [Текст] / Д. Ю. Адамов, О. С. Матвеенко // Нано- и микросистемная техника . - 2009. - № 1. - 34-41. : рис. - Библиогр.: с. 41 (16 назв.) . - ISSN 1813-8586 Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): БЫСТРОДЕЙСТВИЕ -- КМОП |
А 28 Адамов, Д. Ю. Нанопроводникии для наноэлектроники / Д. Ю. Адамов, Ю. Ф. Адамов, Н. М. Горшкова // Нано- и микросистемная техника . - 2009. - № 10. - С. 9-14 : рис. - Библиогр. : с. 14 (12 назв.) . - ISSN 1813-8586 Рубрики: ЭЛЕКТРОТЕХНИКА Кл.слова (ненормированные): НАНОПРОВОДНИК -- НАНОЭЛЕКТРОНИКА -- НАНОТРУБКА УГЛЕРОДНАЯ -- ТЕХНОЛОГИЯ ПЛАНАРНАЯ -- НАНОПРОВОДНИК ГЕТЕРОСТРУКТУРНЫЙ -- ЛИТОГРАФИЯ -- ТЕХНОЛОГИЯ ФОРМИРОВАНИЯ НАНОПРОВОДНИКОВ |