К 63 Компьютерное моделирование средств измерений в нанометрологии / А. В. Заблоцкий [и др.] // Нано- и микросистемная техника . - 2009. - № 8. - С. 2-6 : рис. - Библиогр. : с. 6 (6 назв.) . - ISSN 1813-8586 Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): АСМ -- РЭМ -- НАНОМЕТРОЛОГИЯ |
П 76 Применение виртуального растрового электронного микроскопа для определения диаметра проецирующей микролинзы атомного нанолитографа / А. В. Заболоцкий [и др.] // Нано- и микросистемная техника . - 2009. - № 11. - С. 2-7 : рис. - Библиогр. : с. 7 (15 назв.) . - ISSN 1813-8586 Рубрики: ФИЗИКА Кл.слова (ненормированные): РЭМ -- НАНОМЕТРОЛОГИЯ -- ОПТИКА АТОМНАЯ -- НАНОЛИТОГРАФИЯ |
Б 28 Батурин, А. С. Измерение емкости квазистатическим методом в атомно-силовом микроскопе / А. С. Батурин, А. А. Чуприк // Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 1. - С. 2-7 : рис., табл. - Библиогр. : с. 7 (10 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): АСМ -- ЕМКОСТЬ -- ХАРАКТЕРИСТИКИ ВОЛЬТ-ФАРАДНЫЕ -- НАНОМЕТРОЛОГИЯ Аннотация: Рассмотрен квазистатический метод одновременного измерения вольт-амперных и вольт-фарадных характеристик с помощью атомно-силового микроскопа. Выполнен систематический анализ источников погрешности измерения емкости микроструктур. Показана возможность измерения емкости в диапазоне 10...500 пФ с погрешностью менее 3 % и с высоким пространственным разрешением |
Э 94 Эффект резистивного переключения в оксидных пленках HfxAl 1 - xOy с переменным составом, выращенных методом атомно-слоевого осаждения / А. С. Батурин, К. В. Булах, И. П. Григал, К. В. Егоров, А. В. Заблоцкий, А. М. Маркеев, Ю. Ю. Лебединский, Е. С. Горнев, О. М. Орлов, А. А. Чуприк // Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 6. - С. 13-18 : рис. - Библиогр.: с. 18 (13 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): МЕТОД АТОМНО-СЛОЕВОГО ОСАЖДЕНИЯ -- ЭФФЕКТ РЕЗИСТИВНОГО ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ -- ПЛЕНКИ ОКСИДНЫЕ -- ПЛЕНКИ ТОНКИЕ -- МЕТОДИКА РЕНТГЕНО-ФОТОЭЛЕКТРОННОЙ СПЕКТРОСКОПИИ Аннотация: В качестве функционального диэлектрического слоя ячейки резистивной памяти ReRAMразработаны и выращены методом атомно-слоевого осаждения тонкие пленки трехкомпонентного оксида Hf xAl 1- xlO y с переменным (по глубине) содержанием Al. Выполнено неразрушающее профилирование оксидной пленки по глубине с использованием методики рентгено-фотоэлектронной спектроскопии с угловым разрешением. В структурах металл—диэлектрик—металл TiN/Hf xAl 1- xO y/Pt и Pt/Hf xAl 1- xO y/TiN исследован эффект резистивного переключения |
С 66 Сосредоточенный выходной резонатор микроклистрона миллиметрового диапазона / А. С. Батурин, М. В. Спиридонов, Д. В. Негров, А. А. Кузин // Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 7. - С. 39-43 : рис. - Библиогр.: с. 43 (12 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): РЕЗОНАТОР -- КЛИСТРОН -- УСИЛИТЕЛЬ -- ИЗЛУЧЕНИЕ МИЛЛИМИТРОВОЕ -- МЕТОД КОНЕЧНЫХ РАЗНОСТЕЙ ВО ВРЕМЕННОЙ ОБЛАСТИ Аннотация: Предложена структура сосредоточенного резонатора, работающего в миллиметровой области длин волн, пригодного для использования в качестве выходного резонатора клистрона. Приведены данные моделирования такой структуры и предложен подход к ее формированию |