В 58 Влияние контаминации в РЭМ на профиль рельефных элементов нанометрового диапазона / В. П. Гавриленко [и др.] // Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 2. - С. 2-6 : рис. - Библиогр. : с. 6 (10 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ЭЛЕМЕНТЫ РЕЛЬЕФНЫЕ -- ДИАПАЗОН НАНОМЕТРОВЫЙ -- МИКРОСКОП РАСТРОВЫЙ ЭЛЕКТРОННЫЙ -- КОНТАМИНАЦИЯ Аннотация: Представлены результаты исследований влияния контаминации в РЭМ S-4800 на профиль рельефных элементов меры нанометрового диапазона МШПС-2.0К. Показано, что в результате электронного облучения изменяется форма профиля рельефных элементов, представлены зависимости их параметров от дозы электронного облучения для разных режимов облучения |
Э 47 Эллипсометрическая характеризация структур Si-SiO2 / В. П. Гавриленко [и др.] // Нано- и микросистемная техника . - 2012. - № 2. - С. 42-45 : рис., табл. - Библиогр. : с. 45 (5 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ЭЛИПСОМЕТРИЯ -- ПОГРЕШНОСТЬ ИЗМЕРЕНИЙ -- СЛОЙ ПЕРЕХОДНОЙ В СИСТЕМЕ "ПЛЕНКА - ПОДЛОЖКА" Аннотация: Рассмотрены диагностические возможности метода эллипсометрии в применении к системе, представляющей собой пленку оксида кремния на кремнии, широко используемой в наноэлектронике. Для конкретных образцов, содержащих пленку оксида кремния на поверхности кремниевой подложки, определены с высокой точностью все основные параметры пленки и подложки: толщина пленки, показатели преломления пленки и подложки, коэффициент поглощения подложки. Экспериментально показано, что с помощью метода эллипсометрии можно контролировать наличие (или отсутствие) дополнительного переходного слоя между пленкой и подложкой |
В 58 Влияние контаминации в низковольтном растровом электронном микроскопе на профиль рельефных элементов нанометрового диапазона / В. П. Гавриленко, А. Ю. Кузин, В. Б. Митюхляев, А. В. Раков, П. А. Тодуа, М. Н. Филиппов, В. А. Шаронов // Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 1. - С. 2-5 : рис. - Библиогр.: с. 5 (8 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ДОЗА ЭЛЕКТРОННОГО ОБЛУЧЕНИЯ -- ЭЛЕМЕНТЫ РЕЛЬЕФНЫЕ -- КОНТАМИНАЦИЯ -- МИКРОСКОП НИЗКОВОЛЬТНЫЙ РАСТРОВЫЙ ЭЛЕКТРОННЫЙ Аннотация: Представлены результаты исследований влияния контаминации в РЭМ S-4800 при энергии электронов 1 кэВ на профиль рельефных элементов меры МШПС-2.0К. Показано, что в результате электронного облучения увеличивается ширина нижнего основания рельефных элементов и получены зависимости ширины нижнего основания от дозы электронного облучения при разных режимах облучения. Приведены результаты влияния режима облучения на толщину контаминационной пленки |
К 17 Калибровка просвечивающих электронных микроскопов с помощью ГСО 10030—2011 / Д. С. Бодунов, А. В. Заблоцкий, В. П. Гавриленко, А. А. Кузин, А. Ю. Кузин, В. Б. Митюхляев, А. В. Раков, П. А. Тодуа, М. Н. Филиппов // Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 3. - С. 11-13 : рис. - Библиогр.: с. 13 (3 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): МИКРОСКОП ПРОСВЕЧИВАЮЩИЙ ЭЛЕКТРОННЫЙ jem-2100 -- КАЛИБРОВКА -- ОБРАЗЕЦ СТАНДАРТНЫЙ -- НЕОПРЕДЕЛЕННОСТЬ ИЗМЕРЕНИЙ ПРИ КАЛИБРОВКЕ Аннотация: Изложены результаты калибровки просвечивающего электронного микроскопа JEM-2100 с помощью стандартного образца ГСО 10030—2011, разработанного и изготовленного в Научно-исследовательском центре по изучению свойств поверхности и вакуума, при номинальном значении увеличения 30 000 крат. Относительная расширенная (коэффициент охвата k = 2) неопределенность измерений при калибровке составила 0,5 % |
Г 12 Гавриленко, В. П. Нанометрология – ключевое звено инфраструктуры нанотехнологий / В. П. Гавриленко, П. А. Тодуа // Российские нанотехнологии. - 2013. - Т. 8, № 5-6. - С. 47-55 : рис. - Библиогр.: с. 55 (19 назв.) . -
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): НАНОМЕТРОЛОГИЯ -- НАНОЧАСТИЦ -- НАНОСТРУКТУР -- НАНОПОКРЫТИЯ -- ПЛЕНКИ -- МИКРОСКОПИЯ АТОМНО-СИЛОВАЯ -- МЕТОДЫ СПЕКТРОСКОПИЧЕСКОЙ ЭЛЛИПСОМЕТРИИ Аннотация: Размерные параметры наночастиц, наноструктур, нанопокрытий являются определяющими в характеризации объектов нанотехнологий. Одно из важнейших направлений нанометрологии – обеспечение единства измерений в нано- и субнанометровом диапазонах. Представлены новые типы кремниевых тест-объектов, обеспечивающих прослеживаемость размерных измерений к единице длины в системе СИ методами растровой и просвечивающей электронной микроскопии, атомно-силовой микроскопии. Приведены результаты измерений толщин пленки окисла кремния методами спектроскопической эллипсометрии и просвечивающей электронной микроскопии. Рассмотрены метрологические аспекты стандартизации в нанотехнологиях |