Т 33 Тенденции развития инфракрасных детекторов с квантовыми точками / А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, Н. А. Кульчицкий, А. А. Мельников // Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 3. - С. 44-50 : рис. - Библиогр. : с.50 (12 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ДЕТЕКТОРЫ ИНФРАКРАСНЫЕ -- ТОЧКИ КВАНТОВЫЕ -- ЯМЫ КВАНТОВЫЕ Аннотация: Pассмотpены тенденции pазвития инфpакpасных детектоpов на квантовых точках. Обсуждаются преимущества таких детектоpов пеpед детектоpами на квантовых ямах, а именно чувствительность к ноpмально падающему излучению, фотоотклик в более широком спектpальном диапазоне, меньшие темновые токи, высокий коэффициент усиления фотопроводимости, более высокие значения чувствительности и обнаружительной способности, более высокие рабочие температуры, многоспектральный отклик |
Д 38 Детекторы с квантовыми точками ge/si для инфракрасного диапазона / А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, Н. А. Кульчицкий, А. А. Мельников // Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 4. - С. 39-44 : рис. - Библиогр. : с. 44 (15 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ДЕТЕКТОРЫ ИНФРАКРАСНЫЕ -- ТОЧКИ КВАНТОВЫЕ -- ЯМЫ КВАНТОВЫЕ Аннотация: Рассмотрены вопросы создания новых типов детекторов на квантовых точках Ge/Si для инфракрасного диапазона: детекторы на основе p-i-n структур, биполярные и полевые фототранзисторы на основе квантовых точек Ge/Si. Потенциальные преимущества новых типов детекторов могут быть использованы при дальнейшем развитии технологий выращивания квантовых точек с заданными размерами, формой и плотностью |
Р 15 Радиационные эффекты в кристаллах телаурида кадмия-ртути / А. В. Войцеховский, А. П. Коханенко [и др.] // Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 6. - С. 10-17 : рис. - Библиогр. : с. 17 (35 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ТЕЛЛУРИД КАДМИЯ-РТУТИ -- ДЕФЕКТЫ РАДИАЦИОННЫЕ -- ФОТОДЕТЕКТОР Аннотация: Приведен обзор имеющихся данных по процессам радиационного дефектообразования в КРТ, выpащенном объемными и эпитаксиальнъми методами. Рассмотрено влияние на электрофизические параметры материала облучения ?-квантами, электронами и ионами. Показано сходство процессов радиационного дефектообразования в КРТ при облучении различными частицами и представлены имеющиеся модели образования радиационных дефектов |
В 65 Влияние облучения на характеристики приборов с накоплением заряда / А. В. Войцеховский, А. П. Коханенко [и др.] // Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 7 . - С. 32-37 : рис. - Библиогр. : с. 37 (37 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ПРИБОРЫ С НАКОПЛЕНИЕМ ЗАРЯДА -- ДЕФЕКТЫ РАДИАЦИОННЫЕ -- ПРИБОРЫ РАДИАЦИОННО-СТОЙКИЕ Аннотация: Проведен обзор имеющихся данных по радиационной стойкости приборов с накоплением заряда. Рассмотрено влияние облучения ?-квантами, нейтронами, электронами и протонами на образование радиационных дефектов в различных типах приборов с накоплением заряда и изменение их характеристик |
В 58 Влияние облучения на характеристики фотодетекторов из HgCdTe / А. В. Войцеховский, А. П. Коханенко [и др.] // Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 9. - С. 48-52 : рис., табл. - Библиогр. : с. 52 (27 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ФОТОДЕТЕКТОР -- ДЕФЕКТЫ РАДИАЦИОННЫЕ -- ТЕЛЛУРИД КАДМИЯ-РТУТИ Аннотация: Приведен обзор имеющихся данных по влиянию облучения на характеристики фотодетекторов из HgCdTe. Рассмотрено влияние облучения ?-квантами и электронами. Показано, что фотоприемники с пассивацией CdTe имеют высокую радиационную стойкость |
С 24 Светоиздучаюшие гетероструктуры AlGaN/InGaN/GaN с множественными квантовыми ямами / А. В. Войцеховский [и др.] // Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 5. - С. 16-23 : рис. - Библиогр. : с. 23 (42 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ЯМЫ КВАНТОВЫЕ МНОЖЕСТВЕННЫЕ -- ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ -- ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ СВЕТОИЗЛУЧАЮЩИЕ -- НИТРИДЫ III ГРУППЫ Аннотация: Рассмотрены физические свойства нитридов III группы, а также светоизлучающих структур видимого и ультрафиолетового диапазона на их основе. Описываются конструкция и характеристики зарубежных и отечественных светодиодов на основе гетероструктур AlGaN/InGaN/GaN. Проведен обзор современных работ, посвященных повышению квантового выхода светодиодов видимого диапазона |
К 90 Кульчицкий, Н. А. Современное состояние производства CdTe, ZnTe, Cd1-xZnxTe и приборов на их основе / Н. А. Кульчицкий, А. А. Мельников // Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 6. - С. 9-16 : рис., табл. - Библиогр. : с. 16 (10 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): РАСТВОР ТЕЛЛУРИДА ЦИНКА-КАДМИЯ ТВЕРДЫЙ -- ТЕЛЛУРИД КАДМИЯ -- ПОЛУЧЕНИЕ КРИСТАЛЛОВ -- ДЕТЕКТОРЫ Аннотация: Обзор посвящен яровому производству CdTe, ZnTe и CdZnTe, получивших бурное развитие за последние годы. Рассмотрено современное состояние, дан анализ тенденций развития мировых рынков, обзор производителей рассматриваемых соединений, состояние российского рынка, а также современное состояние производства приборов на основе этих соединений |
М 97 МЭМС-детекторы инфракрасного диапазона / А. В. Войцеховский [и др.] // Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 7. - С. 42-49 : рис., табл. - Библиогр. : с. 49 (39 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ДЕТЕКТОРЫ ИНФРАКРАСНЫЕ -- МЭМС -- СИСТЕМЫ МИКРОЭЛЕКТРОМЕХАНИЧЕСКИЕ Аннотация: Рассмотрены особенности технологии создания микpоэлектpомеханических систем на основе неохлаждаемых тепловых детекторов инфракрасного диапазона, а также параметры дискретных и матричных детекторов данного типа. Особое внимание уделяется новому типу тепловых детекторов - микрокантилеверам с электрическим и оптическим считыванием |
В 58 Влияние дислокаций на внутреннюю квантовую эффективность светоизлучаюших структур на основе квантовых ям InGaN/GaN / А. В. Войцеховский [и др.] // Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 8. - С. 27-35 : рис. - Библиогр. : с. 35 (15 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ЭФФЕКТИВНОСТЬ КВАНТОВАЯ ВНУТРЕННЯЯ -- ЯМЫ КВАНТОВЫЕ -- СТРУКТУРЫ СВЕТОИЗЛУЧАЮЩИЕ -- ДИСЛОКАЦИИ Аннотация: Проанализированы способы определения внутренней квантовой эффективности светоизлучающих структур на основе квантовых ям InGaN/GaN. Рассмотрены рекомбинационные свойства структур на основе квантовых ям InGaN/GaN, а также влияние дислокаций на внутреннюю квантовую эффективность таких светоизлучающих структур |
Д 38 Детектирование в терагерцовом диапазоне / А. В. Войцеховский [и др.] // Нано- и микросистемная техника . - 2012. - № 2. - С. 28-35 : рис., табл. - Библиогр. : с. 35 (20 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ПОЛОСА ЧАСТОТ -- ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ -- ИЗЛУЧЕНИЕ ТЕРАГЕРЦОВОЕ -- ДЕТЕКТОРЫ -- ДЕТЕКТИРОВАНИЕ ПРЯМОЕ Аннотация: Обсуждаются проблемы, связанные с развитием технологии детекторов излучения терагерцового диапазона. Рассмотрены основные физические явления и недавний прогресс в различных методах детектирования терагерцевого излучения (прямого детектирования и гетеродинного детектирования). Обсуждаются преимущества и недостатки сенсоров прямого детектирования и сенсоров с гетеродинным детектированием |
Т 43 Типы детекторов терагерцового излучения / А. В. Войцеховский [и др.] // Нано- и микросистемная техника . - 2012. - № 3. - С. 25-34 : рис. - Библиогр. : с. 34 (37 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ДЕТЕКТОРЫ -- ПОЛОСА ЧАСТОТ -- ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ -- ДЕТЕКТИРОВАНИЕ ГЕТЕРОДИННОЕ -- ДЕТЕКТИРОВАНИЕ ПРЯМОЕ Аннотация: Проведен сравнительный анализ основных типов детекторов терагерцового диапазона. Показано, что в настоящее время разработаны низкотемпературные терагерцовые детекторы с характеристиками, близкими к предельным. Проанализированы перспективные для широкополосного детектирования высокотемпературные детекторы |
Ф 81 Фотоприемники и фотоприемные устройства для спектрального диапазона 0,19...1,1 мкм на фотодиодах из кремния и твердых растворов InGaN / А. В. Войцеховский, Н. А. Кульчицкий, А. А. Мельников, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух // Нано- и микросистемная техника . - 2012. - № 6. - С. 30-40 : табл., рис. - Библиогр.: с. 40 (19 назв.) . -
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): РАСТВОРЫ ТВЕРДЫЕ INGAN -- ФОТОДИОДЫ КРЕМНИЕВЫЕ -- ФОТОПРИЕМНИКИ -- P-I-N-ФОТОДИОДЫ Аннотация: Проведен анализ современного состояния и тенденций развития фотоприемников и фотоприемных устройств для спектрального диапазона 0,19...1,1 мкм на основе кремниевыхp-n- и p-i-n-фотодиодов и фотодиодов на основе твердых растворов InGa |
Л 13 Лавинные диоды, диоды с барьером шоттки и приборы с зарядовой связью на основе кремния для фотоприемников и фотоприемных устройств видимого и ближнего инфракрасного диапазонов / А. В. Войцеховский, Н. А. Кульчицкий, А. А. Мельников, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух // Нано- и микросистемная техника . - 2012. - № 7. - С. 29-37 : рис., табл., граф. - Библиогр.: с. 37 (19 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ДИОДЫ С БАРЬЕРОМ ШОТТКИ -- ПРИБОРЫ С ЗАРЯДОВОЙ СВЯЗЬЮ -- ФОТОПРИЕМНИКИ -- УСТРОЙСТВА ФОТОПРИЕМНЫЕ -- ДИОДЫ КРЕМНИЕВЫЕ ЛАВИННЫЕ Аннотация: Проведен анализ современного состояния и тенденций развития фотоприемников и фотоприемных устройств на основе кремниевых лавинных диодов, диодов с барьером Шоттки и приборов с зарядовой связью для видимого и ближнего ПК-диапазонов |
К 90 Кульчицкий, Н. А. Современное состояние тонкопленочной солнечной энергетики / Н. А. Кульчицкий, А. В. Наумов // Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 9. - С. 29-37 : рис., табл. - Библиогр.: с. 37 (14 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ТЕЛЛУРИД КАДМИЯ -- ПРЕОБРАЗОВАТЕЛИ СОЛНЕЧНЫЕ ТОНКОПЛЕНОЧНЫЕ -- CDTE -- СЕЛЕНИД МЕДИ-ИНДИЯ -- КРЕМНИЙ АМОРФНЫЙ Аннотация: Обзор посвящен обсуждению некоторых аспектов современного состояния рынка солнечной энергетики на основе тонких пленок: теллурида кадмия (CdTe), селенида меди-индия (CI(G)S), аморфного кремния ( α -Si) и др., получивших бурное развитие за последние годы |
Ф 81 Фотоприемники и фотоприемные устройства для спектрального диапазона 8...14 мкм на твердых растворах теллуридов кадмия — ртути / А. В. Войцеховский, Н. А. Кульчицкий, А. А. Мельников, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух // Нано- и микросистемная техника. - 2013. - № 10. - С. 29-37. - Библиогр.: с. 37 (36 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ФОТОПРИЕМНИКИ -- ФОТОПРИЕМНЫЕ УСТРОЙСТВА -- ТВЕРДЫЕ РАСТВОРЫ HgCdTe Аннотация: Проведен анализ современного состояния и тенденций развития фотоприемников и фотоприемных устройств для спектрального диапазона 8...14 мкм на основе твердых растворов HgCdTe |