З-17 Зайцев, Н. А. Особенности формирования подзатворной системы наноприборов / Н. А. Зайцев, И. В. Матюшкин // Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 2. - С. 36-39 : граф. - Библиогр. : с. 39 (10 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ДИОКСИД КРЕМНИЯ -- ДИЭЛЕКТРИК ПОДЗАТВОРНЫЙ -- СЛОЙ ПЕРЕХОДНЫЙ Аннотация: Определены свойства, которыми должна обладать подзатворная система в нанопpибоpах. Показано, что дефоpмация [SiO4]4--тетpаэдpов приводит к обpазованию диполей на гpанице Si-SiO2. Данный эффект необходимо учитывать о^еделении электpических свойств нанотpанзистоpов |
М 35 Матюшкин, И. В. Методика компарации способов коррекции оптических эффектов баизости при формировании топоаогии на фоторезисте / И. В. Матюшкин // Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 12. - С. 5-10 : рис. - Библиогр. : с.10 (5 назв.) . -
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ТОПОЛОГИЯ -- КОРРЕКЦИЯ ОПТИЧЕСКИХ ЭФФЕКТОВ БЛИЗОСТИ -- ФОТОРЕЗИСТОР Аннотация: На основе САПР Synoрsys и MATLAB разработана методика компарации ОРС-методов. Дана математическая формулировка процедуры компарации, связанная с контурными метриками и учитывающая интерактивно-графический характер компаратора. Предложен метод базовой матрицы доведения компарации |
Р 68 Роль границ раздела в наноразмерных МДП-транзисторах с многослойными high-K-диэлектриками / Н. А. Зайцев // Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 8. - С. 15-17. - Библиогр. : с. 17 (8 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ГРАНИЦА РАЗДЕЛА -- МДП-СТРУКТУРА -- HiGH-K DIELECTRICS Аннотация: Раскрывается тезис о необходимости управления структурой субоксидного слоя на границе high-K-диэлектрик/Si путем формирования ультратонкого слоя SiO2, а также на целесообразность использования буферного слоя на границе high-K-диэлектрик/металл |
М 35 Матюшкин, И. В. Оценка времени деградации заряда на нанокристаллах Si в элементах флэш-памяти / И. В. Матюшкин // Нано- и микросистемная техника . - 2012. - № 3. - С. 34-41 : рис. - Библиогр. : с. 41 (15 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ВРЕМЯ ДЕГРАДАЦИИ -- УРОВЕНЬ ФЕРМИ -- ПАМЯТЬ ЭНЕРГОЗАВИСИМАЯ -- НАНОКРИСТАЛЛЫ КРЕМНИЯ (NC-SI) Аннотация: В рамках (2n + 1)-уровневой (n = 4) модели зонной структуры нанокристалла Si, несущего заряд, рассмотрено положение уровня Ферми. Показано, что типичное время утечки заряда на подложку составляет: для электронов зоны проводимости менее 10 с (до микросекунд в зависимости от толщины туннельного SiO2), для электронов на ловушке около 10 лет и выше |