М 91 Мустафаев, Ар. Г. Проблемы масштабирования затворного диэлектрика для моп-технологии [Текст] / Ар. Г. Мустафаев, Аб. Г. Мустафаев // Нано- и микросистемная техника . - 2008. - № 4. - С. 17-22 : граф. - Библиогр.: с. 21-22 (31 назв) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): МАСШТАБИРОВАНИЕ -- МОП-ТРАНЗИСТОРЫ -- ЗАТВОР |
М 91 Мустафаев, Ар. Г. Влияние накопленной дозы излучения на КМОП-транзисторы, изготовленные по КНС-технологии [Текст] / Ар. Г. Мустафаев, Аб. Г. Мустафаев // Нано- и микросистемная техника . - 2008. - № 9. - С. 44-46 : рис. - Библиогр.: с. 46 (7 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): КРЕМНИЙ НА САПФИРЕ -- ЭПИТАКСИЯ ИЗ ТВЕРДОЙ ФАЗЫ -- РАДИАЦИОННАЯ СТОЙКОСТЬ -- ПЛОТНОСТЬ ДЕФФЕКТОВ |
М 91 Мустафаев, Г. А. Влияние конструкции на характеристики субмикронных кни моп-транзисторов / Г. А. Мустафаев, Аб. Г. Мустафаев, Ар. Г. Мустафаев // Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 7. - С. 8-12 : табл., рис. - Библиогр. : с. 12 (12 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): КРЕМНИЙ НА ИЗОЛЯТОРЕ -- МОДЕЛИРОВАНИЕ -- МОП-ТРАНЗИСТОР Аннотация: Проведено моделирование КНИ МОП-транзисторов с различной конструкцией затворной композиции. Исследована зависимость подпороговых характеристик КНИ МОП-транзисторов от геометрических размеров базовой области, длины и ширины канала, толщины подзатворного оксида и уровня легирования канала |
М 91 Мустафаев, Аб. Г. Исследование гетероэпитаксии кремния на сапфире при создании транзисторных структур / Аб. Г. Мустафаев, Г. А. Мустафаев, Ар. Г. Мустафаев // Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 8. - С. 41-43 : рис. - Библиогр. : с. 43 (5 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): КРЕМНИЙ НА САПФИРЕ -- ИССЛЕДОВАНИЕ ГЕТЕРОЭПИТАКСИИ КРЕМНИЯ -- СОЗДАНИЕ ТРАНЗИСТОРНЫХ СТРУКТУР -- РАССЕЯНИЕ ОБРАТНОЕ РЕЗЕРФОРДОВСКОЕ Аннотация: Исследуется механизм гетероэnитаксии кремния на сапфире для последующего создания транзисторных структур с низкой дефектностью. Методом резерфордовского обратного рассеяния изучались эпитаксиальные слои Si на сапфировой подложке. В эпитаксиальных слоях заметно увеличение дефектности в тех областях спектра, которые соответствуют промежуточной области между слоем и подложкой и дают максимальный вклад в каналирование. Оже-анализом определен состав и глубина переходного слоя. Разработан способ создания полупроводникового прибора с улучшенными параметрами |