Р 17 Разработка сверхвысокочастотной наноэаектроники / П. П. Мальцев, Ю. В. Федоров [и др.] // Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 11. - С. 14-16 : рис., табл. - Библиогр. : с. 16 (1 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): НАНОЭЛЕКТРОНИКА СВЕРХВЫСОКОЧАСТОТНАЯ -- НАНОТЕХНОЛОГИЯ -- НАНОГЕТЕРОСТРУКТУРЫ Аннотация: Рассматриваются вопросы создания транзисторов и монолитных интегральных схем сверхвысокочастотного диапазона на основе наногетероструктур |
С 31 Сеничкин, А. П. Вольт-амперные характеристики системы нанонитей из атомов олова, встроенных в кристалл арсенида галлия / А. П. Сеничкин, А. С. Бугаев, А. Э. Ячменев // Нано- и микросистемная техника для лазерной индустрии . - 2011. - № 12. - С. 11-12 : рис. - Библиогр. : с. 12 (1 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): НАНОСТРУКТУРЫ -- НИТИ КВАНТОВЫЕ -- ПРОВОЛОКИ КВАНТОВЫЕ -- ЭПИТАКСИЯ МОЛЕКУЛЯРНО-ЛУЧЕВАЯ Аннотация: С помощью дифракции электронов было установлено, что атомы Sn декорируют края атомных террас вицинальной поверхности GaAs кристалла при дельта-легировании. Этот факт был использован для создания методом молекулярно-лучевой эпитаксии новой наноструктуры - системы проводящих нанонитей, состоящих из атомов олова, встроенных в кристалл GaAs. Обнаружена анизотропия вольт-амперных характеристик наноструктур, измеряемых в направлениях вдоль и поперек нанонитей |
С 31 Сеничкин, А. П. Особенности вольт-амперных характеристик системы нанонитей из атомов олова, встроенных в кристалл арсенида галлия / А. П. Сеничкин, А. С. Бугаев, А. Э. Ячменев // Нано- и микросистемная техника . - 2012. - № 11. - С. 52-54 : рис. - Библиогр.: с. 54 (4 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): НИТИ КВАНТОВЫЕ -- ПРОВОЛОКИ КВАНТОВЫЕ -- НАНОСТРУКТУРЫ -- ЭПИТАКСИЯ МОЛЕКУЛЯРНО-ЛУЧЕВАЯ Аннотация: Обнаружены особенности вольт-амперных характеристик, измеряемых в направлениях вдоль и поперек системы нанонитей атомов олова, расположенных в одной плоскости, встроенной в кристалл GaAs. при измерениях тока вдоль нанонитей в сильных электрических полях обнаружен перегиб электрического тока перед его насыщением; при измерениях тока поперек нанонитей в сильных электрических полях после насыщения тока возникает его нестабильность |
С 31 Сеничкин, А. П. Исследование токовой нестабильности в образцах, содержащих нанонити из атомов олова, встроенные в кристалл арсенида галлия / А. П. Сеничкин, А. С. Бугаев, А. Э. Ячменев // Нано- и микросистемная техника. - 2014. - № 3. - С. 32-34. - Библиогр.: с. 34 (6 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): НАНОНИТИ -- КВАЗИОДНОМЕРНЫЕ СТРУКТУРЫ -- ДЕЛЬТА-ЛЕГИРОВАНИЕ -- АНИЗОТРОПИЯ -- НЕСТАБИЛЬНОСТЬ Аннотация: Представлены результаты исследования колебаний, возникающих при протекании тока перпендикулярно нанонитям, встроенным в кристалл арсенида галлия. Обнаружено влияние тянущего напряжения, а также светового воздействия на колебания тока, что говорит о наличии глубокого потенциального рельефа при протекании тока перпендикулярно нанонитям |
С 31 Сеничкин, А. П. Оптимизация технологии получения pHEMT-структур на подложках GaAs с профилем легирования в виде нанонитей из атомов олова / А. П. Сеничкин, А. С. Бугаев, А. Э. Ячменев // Нано- и микросистемная техника. - 2014. - № 5. - С. 15-17 : табл., граф. - Библиогр.: с. 17 (3 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Аннотация: Разработана конструкция и опробована технология изготовления pHEMT-наногетероструктур на вицинальных подложках GaAs с профилем легирования в виде нанонитей из атомов олова. Предложены способы улучшения этой технологии применительно к легированию оловом для получения заданного профиля. Изготовлен тестовый образец наногетероструктуры AlGaAs/lnGaAs с квазиодномерными каналами проводимости в квантовой яме с плотностью тока до 350мА/мм, достаточной для изготовления тестовых полевых транзисторов |