Инвентарный номер: нет.
   
   Т 46


    Тихонов , Р. Д.
    Латеральные и планарные биполярные магнитотранзисторы / Р. Д. Тихонов // Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 6 . - С. 31-36 : рис., табл. - Библиогр. : с. 36 (20 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
МАГНИТОТРАНЗИСТОР БИПОЛЯРНЫЙ -- ЛИНИИ ТОКА -- ЭФФЕКТ ГАЛЬВАНОМАГНИТНЫЙ
Аннотация: Рассмотрены механизмы формирования чувствительности двухколлекторных латерального и планарного биполярных магнитотранзисторов на основе изменения в магнитном поле линий тока инжектированных носителей заряда. Анализ распределения тока в структурах приборов дает перечень механизмов чувствительности и рекомендации по ее повышению за счет выбора структуры биполярного магнитотранзистора


Инвентарный номер: нет.
   
   К 65


   
    Конструктивные и схемотехнические способы повышения чувствительности биполярных магнитотранзисторов для прецизионного контроля перемещений микромеханических элементов / А. В. Козлов [и др.] // Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 12. - С. 19-20 : схема, табл. - Библиогр. : с. 20 (6 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ -- МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРИБОРНО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКОЕ -- МАГНИТОТРАНЗИСТОР БИПОЛЯРНЫЙ
Аннотация: С использованием приборно-технологического моделирования и в процессе экспериментальных исследований установлено, что относительная по току чувствительность двухколлекторного латерального биполярного магнитотранзистора определяется расположением электродов, легированием кармана, служащего базой, схемой включения с общим потенциалом базы и подложки, режимом работы вблизи насыщения, значением сопротивления нагрузки коллекторов


Инвентарный номер: нет.
   
   М 59


   
    Микросистема контроля двух компонент вектора магнитной индукции на основе наноразмерных магниторезистивных структур / В. В. Амеличев [и др.] // Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 12. - С. 33-35 : рис., табл. - Библиогр. : с. 35 (4 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
АНИЗОТРОПНЫЕ МАГНИТОРЕЗИСТОРЫ -- МОСТ УИТСТОНА -- РАЗБАЛАНС НАПРЯЖЕНИЙ
Аннотация: Изготовлены и исследованы двухкоординатные датчики магнитного поля с использованием анизотропных магниторезисторов с полюсом барбера в двух вариантах топологии. Установлено, что распределение магнетосопротивлений по пластине влияет на разбаланс выходных напряжений моста Уитстона и мало влияет на чувствительность. Компактное топологическое расположение магнетосопротивлений уменьшает разбаланс мостов Уитстона


Инвентарный номер: нет.
   
   К 65


   
    Конструкция и технология создания матриц преобразователей давления для эндоскопических тактильных датчиков / В. В. Амеличев, В. М. Буданов , Д. В. Гусев, Ю. А. Михайлов, М. Э. Соколов , В. С. Суханов, Р. Д. Тихонов // Нано- и микросистемная техника . - 2012. - № 11. - С. 27-30 : рис. - Библиогр.: с. 30 (3 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ДАТЧИК ТАКТИЛЬНЫЙ ИНТЕГРАЛЬНЫЙ -- ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ ТЕНЗОРЕЗИСТИВНЫЙ
Аннотация: Разработана и исследована новая конструкция кристаллов матриц интегральных преобразователей давления МИПД-7для тактильных датчиков на основе плоских кремниевых мембран с тензорезистивными преобразователями. Тактильные датчики на основе МИПД-7 прошли полный цикл клинических испытаний в составе эндохирургической аппаратуры


Инвентарный номер: нет.
   
   И 88


   
    Исследование микросистемы с использованием преобразователей магнитного поля / С. В. Никифоров, С. А. Поломошнов, Р. Д. Тихонов , А. А. Черемисинов // Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 4. - С. 36-37 : рис. - Библиогр.: с. 37 (2 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ПРЕОБРАЗОВАТЕЛИ МАГНИТНОГО ПОЛЯ -- СИСТЕМА МИКРОЭЛЕКТРОМАГНИТНОМЕХАНИЧЕСКАЯ -- МЭММС -- МИКРОМАГНИТ -- МИКРОПЕРЕМЕЩЕНИЯ -- УСТРОЙСТВО МЕХАТРОННОЕ
Аннотация: Проведено исследование макета микросистемы мехатронного устройства, изготовленного на магнитотранзисторных преобразователях. Установлено, что микросистема мехатронного устройства с кремниевой консолью, микромагнитом и магнитотранзисторным преобразователем позволяет проводить контроль микроперемещений и вибраций по изменению магнитного поля на резонансных частотах консоли с микромагнитом