Центральная Научная Библиотека УрО РАН

Инвентарный номер: нет.

   E 43


    Electronic states spectrum for lead silicate glasses with different short-range order structures [] / V. A. Gubanov, A. F. Zatsepin, V. S. Kortov, D. L. Novikov, S. P. Freidman, G. B. Cherlov, U. V. Shchapova // Journal of Non-Crystalline Solids. - 1991. - V. 127, N 3. - С. 259-266 . - ISSN 0022-3093

ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
СТЕКЛА СВИНЦОВОСИЛИКАТНЫЕ -- СВИНЦОВОСИЛИКАТНЫЕ СТЕКЛА -- СТРОЕНИЕ ЭЛЕКТРОННОЕ -- Pb -- СВИНЕЦ -- Si -- КРЕМНИЙ -- ЭЛЕКТРОННОЕ СТРОЕНИЕ -- МЕТОД ДИСКРЕТНОГО ВАРЬИРОВАНИЯ -- СПЕКТРЫ ЭЛЕКТРОННЫЕ -- ЭЛЕКТРОННЫЕ СПЕКТРЫ -- КЛАСТЕРНЫЕ МОДЕЛИ -- МОДЕЛИ КЛАСТЕРНЫЕ -- МЕТОД МО ЛКАО
Аннотация: В рамках метода МО ЛКАО с использованием кластерных моделей, приближения Х альфа для обменно-корреляционного взаимодействия и метода дискретного варьирования для оценки матричных элементов электронного гамильтониана изучено электронное строение свинцовосиликатных стекол. Показано, что при низких концентрациях Pb электронная структура стекол приближенно описывается как суперпозиция состояний почти свободных ионов Pb(2+) и состояний SiO2.При высоких концентрациях Pb наблюдается значительная гибридизация 6s(Pb)-состояний и валентных АО атомов О. Оптическое поглощение в области 3,0-5,2 эВ во всех стеклах связывают с 6s-6p-переходами на металле

Найти похожие

Инвентарный номер: нет.

   А 32


    Адсорбция цезия на поверхности бета2-GaAs(001) [Текст] / С. Е. Кулькова, С. В. Еремеев, А. В. Постников, И. Р. Шеин // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2007. - Т. 131, № 4. - С. 667-680 : рис., табл. - Библиогр.: с. 679-680 (50 назв.) . - ISSN 0044-4510

ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
АДСОРБЦИЯ ЦЕЗИЯ -- ЭЛЕКТРОННАЯ ПЛОТНОСТЬ -- АДСОРБЦИЯ, ЦЕЗИЙ, Cs -- ГИБРИДИЗАЦИЯ
Аннотация: Представлены результаты расчетов из первых принципов энергии адсорбции цезия на поверхности бета2-GaAs(001) для двух ее возможных окончаний, выполненные в рамках подходов теории функционала электронной плотности. Показано, что среди рассмотренных высокосимметричных позиций для цезия энергетически предпочтительной является позиция T3 в случае мышьяка в поверхностном слое и T4 -в случае галлия. Цезий вносит незначительные возмущения в положения атомов поверхностных слоев. При этом поверхностные димеры не разрушаются даже при адсорбции в мостиковой и вершинной димерной позиции. Показано, что связь цезия и подложки GaAs(001) основана на s-p-гибридизации состояний мышьяка и цезия, а также на образовании смешанных состояний цезия с делокализованными состояниями чистой поверхности. На границах раздела обоих типов при низких концентрациях цезия более предпочтительными для адсорбции являются позиции с мышьяком в ближайших соседях

Найти похожие

Сиглы отделов ЦНБ УрО РАН

  бр.ф. - Бронированный фонд

  бф - Научно-библиографический отдел

  БХЛ - Фонд художественной литературы

  ИИиА -Фонд исторической литературы в ЦНБ УрО РАН

  ИМЕТ -Отдел ЦНБ в Институте металлургии УрО РАН

  кх - Отдел фондов (книгохранениe)

  МБА - Межбиблиотечный абонемент

  мф - Методический фонд

  ок - Отдел научной каталогизации

  оку - Отдел комплектования и учета

  орф - Обменно-резервный фонд

  пф - Читальный зал деловой и патентной информации

  рк - Фонд редкой книги

  ч/з - Главный читальный зал

  эр - Зал электронных ресурсов

Сиглы библиотек институтов и НЦ УрО РАН

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)