Центральная Научная Библиотека УрО РАН

Инвентарный номер: нет.

   П 64

    Потапов, А. А.
    Концептуальные основы проектирования наносистем [Текст] / А. А. Потапов // Нано- и микросистемная техника . - 2008. - № 7. - С. 2-7. - Библиогр.: с. 7 (15 назв.) . - ISSN 1813-8586

УДК

620.3

ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
НАНОПРОЕКТИРОВАНИЕ -- НАНОСИСТЕМЫ -- МЕХАНОСИНТЕЗ -- КОНЦЕПЦИЯ -- АТОМ

Найти похожие

Инвентарный номер: нет.

   П 64

    Потапов, А. А.
    Атом : ключ к созданию основ нанотехнологии [Текст] / А. А. Потапов // Нано- и микросистемная техника . - 2009. - № 1. - С. 5-12 : рис. - Библиогр.: с. 12 (12 назв.) . - ISSN 1813-8586

ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
МОДЕЛЬ -- ТЕОРИЯ

Найти похожие

Инвентарный номер: нет.

   П 64

    Потапов, А. А.
    Стратегия становлени нанотехнологии / А. А. Потапов // Нано- и микросистемная техника . - 2009. - № 6. - С. 4-12 : рис., табл. - Библиогр. : с. 12 (27 назв.) . - ISSN 1813-8586

ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
АТОМ -- МОДЕЛЬ -- ТЕОРИЯ -- ЭЛЕКТРОННОЕ СТРОЕНИЕ

Найти похожие

Инвентарный номер: нет.

   П 64

    Потапов, А. А.
    Расчет прочности связи гомоядерных молекул, образуемых атомами I группы таблицы Д. И. Менделеева / А. А. Потапов // Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 1. - С. 49-54 : рис., табл. - Библиогр. : с. 54 (15 назв.) . - ISSN 1813-8586

ББК 623.7
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ--ФИЗИЧЕСКАЯ ХИМИЯ
Кл.слова (ненормированные):
АТОМ -- МОЛЕКУЛА -- СВЯЗЬ ХИМИЧЕСКАЯ -- ЭЛЕКТРОН -- ОСТОВ АТОМА -- НАНОТЕХНОЛОГИИ -- СБОРКА АТОМНО-МОЛЕКУЛЯРНАЯ

Найти похожие

Инвентарный номер: нет.

   К 68

    Коростелев, В. Ф.
    Исследование межатомных взаимодействий с использованием данных об изменениях физико-механических свойств сплавов / В. Ф. Коростелев, Л. П. Хромова // Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 2. - С. 8-13. - Библиогр. : с. 13 (5 назв.) . - ISSN 1813-8586

УДК

620.3

ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ , 20-21 вв.
Кл.слова (ненормированные):
СТРУКТУРЫ АТОМНЫЕ -- ПРОЦЕСС КРИСТАЛЛИЗАЦИИ -- ПОКАЗАТЕЛЬ ТВЕРДОСТИ -- ДИЛАТОМЕТРИЯ
Аннотация: Приведены pезультаты экспеpиментальных исследований сплавов на основе алюминия, полученных в условиях литья с о^ессовкой жидкого и кристаллизующегося металла под давлением до 400 МПа. Показано, что наложение давления приводит не только к сближению атомов и компенсации литейной усадки, но и к изменению стpуктуpы. Анализ закономеpностей изменений свойств дает инфоpмацию о pазвитии процессов на уpовне атом-но-электpонных взаимодействий, существенно pасшиpяющую возможности синтеза новых матеpиалов

Найти похожие

Инвентарный номер: нет.

   В 93

    Высикайло, Ф. И.
    Поляризация аллотропных полых форм углерода и ее применение в конструировании нанокомпозитов / Ф. И. Высикайло // Нанотехника. - 2011. - № 1. - С. 19-37 : рис. - Библиогр. : с. 37 (27 назв.) . - ISSN 1816-4498

УДК

620.3

ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
КОНСТРУИРОВАНИЕ НАНОКОМПОЗИТОВ -- ПОЛЯРИЗАЦИЯ -- КУМУЛЯЦИЯ -- ЛЕГИРОВАНИЕ ХИМИЧЕСКОЕ И ФИЗИЧЕСКОЕ -- РЕЗОНАТОРЫ
Аннотация: Предложена аналитическая модель поляризационных резонансных взаимодействий аллотропных полых форм углерода с квантовыми заряженными частицами с полной энергией E > 0. Задача сведена к классическому квантово-механическому эффекту: «частица в ящике» (Q-частица), в котором энергетические состояния (например, кинетическая энергия электронов проводимости) определены размерами ящика с поляризационными силами, локально действующими как самоорганизующийся потенциальный барьер или «зеркало», возвращающее заряженную частицу с положительной резонансной энергией обратно в поляризующийся «ящик». Аналитически исследованы квантовые пары резонанса (wn(r)-функции электронов и их резонансные энергии - En > 0) при поляризационном захвате свободных электронов с резонансной энергией сферически симметричными полыми молекулами с характерным радиусом R - квантовыми резонаторами для волн де Бройля электронов. Проведено сравнение аналитических расчетов собственных энергий квантовых резонаторов с имеющимися в литературе экспериментальными резонансными сечениями захвата (прилипания) электронов (с En > 0)молекулами С60 и С70. В результате сравнения доказана важность учета поляризации полой молекулы в стабилизации эндоионов фуллеренов с эндоэлектронами (солитонами) с энергией активации от 0,2 до 12 эВ для С60 и С70. Характерный размер квантового ящика, в котором локализуется электрон, из-за действия поляризационных сил вне поляризующейся полой молекулы, увеличивается на r ind (R > R + r ind). В соответствии с имеющимися экспериментами по резонасному захвату электронов классифицированы квантовые точки, линии и ямы в зависимости от знака полной энергии электронов на бесконечности от квантового «ящика». В классических строго финитных квантовых структурах полная энергия квантовой частицы En < 0(FQ-частицы), а в ограниченных поляризационными силами инфинитных квантовых структурах полная энергия квантовой частицы на бесконечности от поляризующегося квантового ящика En > 0, но поляризационные силы локализуют такие заряженные частицы с резонансными кинетическими энергиями En > 0 (IQ-частицы) в области поляризующегося квантового «ящика». Впервые исследована неограниченная кумуляция волн де Бройля (wn-функции) электронов (IQ-частиц), захваченных С60-поляризующимися, сферически симметричными, квантовыми поляризующимися резонаторами для электронов с E > 0. В качестве доказательства явления кумуляции свободных электронов с полной энергией E > 0 (IQ-частиц) к центру полой молекулы аналитически решено стационарное уравнение Шредингера (Гельмгольца): ^w(r) + kn 2 w(r) = 0 с учетом кумулирующих свободный электрон поляризационных сил. Эндоэлектрон имеет положительную полную энергию, но из-за поляризационных сил, действующих на него, постоянно отражается от поляризационного барьера и кумулирует к центру полой молекулы, в результате формируется отрицательный эндоион атом наоборот) с электроном с E > 0 запертым поляризационными силами в области полой молекулы. Действие поляризационных сил в модели учтено сферически (для фуллеренов) или цилиндрически (для нанотрубок) симметричным бесконечным потенциальным барьером, локализующимся за границами полой молекулы на расстоянии rind от ее поверхности. Отличное совпадение аналитических расчетов для квантовых точек (IQ-частиц) в фуллеренах с имеющимися в литературе экспериментальными наблюдениями подтверждает достоверность предложенной аналитической модели для описания поляризационного захвата полыми молекулами свободных электронов с резонансной энергией En > 0. Для полых аллотропных форм углерода, формирующихся на базе пентагонов или гексагонов с sp2-связью (в своей основе) определено r ind = 0,26 нм - оптимальное расстояние от полой молекулы, на котором наиболее эффективно действует поляризационное «зеркало». Показано, что в результате локализованного в области квантового резонатора, дуального процесса (кумуляции к центру и распыла от центра кумуляции) происходит формирование стоячей волны де Бройля электрона (как и в атоме или квантовой точке FQ типа). Этим доказана возможность формирования отрицательно заряженных эндоионов фуллеренов с захваченными во внутреннюю полость электронами (эндоэлектроны) с резонансной энергией. Эндоэлектроны в эндоионе фуллеренов и нанотрубок не вступают в 19 химические связи с атомами углерода, поэтому ожидать модификацию связей в С60 или нанотрубке и соответствующий сдвиг спектров молекулы С60 на 5-6 см-1, как в случае интеркалирования, не приходится. Эффект кумуляции электронов в полые молекулы (ловушки для электронов) может быть применен для управления в полупроводниках: концентрацией носителей заряда, их термическими, электрическими свойствами и упрочнения материалов со свободными электронами. Квантовые свойства поляризующихся резонаторов, самосогласованные с резонансной энергией активации электронов, могут обуславливать резонансный (колебательный) характер изменения параметров нанокомпозитов в зависимости от их характерного размера D и объемной концентрации квантовых модификаторов (С60). Покрывая нанокристаллы слоями ловушек для электронов можно управлять параметрами нанокомпозитных полупроводников, применяя этот квантово-размерный эффект. Впервые доказано, что в нанокомпозитных материалах пара «собственная функция -собственная энергия» составляющие квантовое состояние в наномире, помеченное основным квантовым числом n, в мезомире легируемых ловушками нанокомпозитов заменяется двумя параметрами наномира: диаметром нанокристалла - D и резонансной относительной концентрацией модификатора (ловушки, например С60)- r n. Доказано, что в кумулятивно-диссипативных конвективных структурах микромира (IQ-частицах) возможны самокумуляция (в виде явно выраженного пульсирующего в резонаторе солитона) массы, энергии, импульса, заряда и электрического поля, обусловленные кулоновскими (поляризационными) силами. Электроны, захваченные полыми поляризующимися сферически симметричными молекулами (например, С60) являются одномерными квантовыми IQ-точками с полной квантующейся энергией En > 0, зависящей от характерного эффективного размера квантового ящика R + r ind. Обсуждается возможность самосборки полых аллотропных форм углерода на резонансных электронах

Найти похожие

Инвентарный номер: нет.

   Г 55

    Глухова, О. Е.
    Исследование прочности на разрыв моно- и бислойного графена / О. Е. Глухова, В. В. Шунаев // Нано- и микросистемная техника . - 2012. - № 7. - С. 25-29 : рис., табл., граф. - Библиогр.: с. 29 (7 назв.) . - ISSN 1813-8586

УДК

620.3

ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
МЕТОД МОЛЕКУЛЯРНОЙ ДИНАМИКИ -- МЕТОД АТОМ-АТОМНЫХ ПОТЕНЦИАЛОВ -- НАПРЯЖЕНИЕ КРИТИЧЕСКОЕ -- СИЛА ПРЕДЕЛЬНАЯ -- ГРАФЕН -- ГРАФЕН БИСЛОЙНЫЙ И МОНОСЛОЙНЫЙ
Аннотация: С помощью метода молекулярной динамики исследованы механические свойства однослойного и бислойного графена: определены критические напряжения и предельные силы для данных структур. Критические напряжения для однослойного и бислойного графена составляют 126 и 196 ГПа соответственно. Значение предельной силы для однослойного графена равно 437,83 нН, для бислойного - 679,81 нН

Найти похожие

Инвентарный номер: нет.

   И 45

    Ильвес, В. Г.
    Получение и исследование свойств нанопорошков на основе СeO 2 / В. Г. Ильвес, С. Ю. Соковнин // Российские нанотехнологии. - 2012. - Т. 7, № 5-6. - С. 34-43 : табл., рис. - Библиогр.: с. 43 (43 назв.) . - ISSN 1992-7223

УДК

620.3

ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
НАНОПОРОШКИ -- НАНОЧАСТИЦЫ -- ИСПАРЕНИЕ -- СВОЙСТВА НАНОПОРОШКОВ -- CEO2
Аннотация: С помощью испарения импульсным электронным пучком получены нанопорошки чистого CeO 2 c удельной поверхностью до 210 м 2/г и допированные медью, углеродом и железом (≤1 масс. % допанта) с удельной поверхностью в диапазоне 130—160 м 2/г. По данным РФА, в НП не обнаружено вторичных фаз, кроме кубической фазы CeO 2. Во всех порошках присутствуют мелкокристаллическая и крупнокристаллическая фракции, различающиеся размером ОКР, а также аморфная компонента. Степень кристалличности порошков не выше 22 %. Порошки имеют фрактальное строение, состоят из агломератов размером от десятков до нескольких сотен нм, образованных кристаллическими НЧ размером около 3—5 нм, с очень узким распределением частиц по размеру. НП имеют высокую дефектность структуры, что отразилось на их магнитных свойствах. Ферромагнетизм при комнатной температуре установлен в НП чистого CeO 2-x и легированном немагнитными элементами углеродом и медью, при этом ферромагнитное состояние в системе CeO 2-C установлено впервые, а магнитный момент на атом углерода в 35 раз меньше теоретической оценки. Ферромагнитный вклад в НП CeO 2 увеличивается с уменьшением размера наночастиц и достигает в НП CeO 2-Fe (x Fe = 0.54 масс. %) 0.1 emu/g. Установлено отсутствие прямой зависимости между намагниченностью и содержанием ионов железа в полученных НП на основе CeO 2-Fe

Найти похожие

Инвентарный номер: нет.

   С 40

    Сиренко, А. Н.
    Молекулярно-динамическое исследование нанокластеров Ag, Ar, Cu, Ni, Al, Fe, Ta, K и Cs в модели погруженного атома / А. Н. Сиренко, Д. К. Белащенко // Российские нанотехнологии. - 2013. - Т. 8, № 3-4. - С. 76-80 : табл., рис. - Библиогр.: с. 80 (19 назв.) . - ISSN 1992-7223

УДК

620.3

ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
НАНОКЛАСТЕРЫ -- МОДЕЛИ ПОГРУЖЕННОГО АТОМА -- МЕТОД МОЛЕКУЛЯРНОЙ ДИНАМИКИ -- ИНДЕКСЫ ТЕТРАЭДРИЧНОСТИ И ОКТАЭДРИЧНОСТИ -- КЛАСТЕР -- АТОМ -- ИССЛЕДОВАНИЕ МОЛЕКУЛЯРНО-ДИНАМИЧЕСКОЕ -- АТОМ ПОГРУЖЕННЫЙ -- ПОТЕНЦИАЛ МЕЖЧАСТИЧНЫЙ -- КОНФИГУРАЦИЯ
Аннотация: Методом молекулярной динамики исследовано влияние формы межчастичных потенциалов на структуру нанокластеров. Структуру нанокластера характеризовали многомерными векторами индексов тетраэдричности и октаэдричности симплексов Делоне, полученных при разбиении кластера на эти симплексы. Сходство или различие структур пары кластеров одинакового размера оценивалось по расстоянию между этими векторами. Применялись две группы потенциалов, а именно: 1) многочастичные потенциалы модели погруженного атома (Embedded Atom Model – ЕАМ), разработанные для описания металлов с ГЦК-решеткой (Ag, Cu, Ni, Al), и парный потенциал Леннард–Джонса для аргона (ГЦК-решетка) и 2) потенциалы ЕАМ для металлов с ОЦК-решеткой (Fe, Ta, K, Cs). Исследованы нанокластеры с числом атомов от 11 до 64, а также магических размеров (55, 147, 309, 561, 923). В случае нанокластеров с числом атомов менее 27 структура не зависит от принадлежности потенциала к одной из двух групп. В случае всех потенциалов 1-й группы структура кластеров с магическими размерами одинакова (правильная икосаэдрическая). В случае потенциалов 2-й группы одинаковые структуры получаются только у нанокластеров с числом атомов не более 29

Найти похожие

Сиглы отделов ЦНБ УрО РАН

  бр.ф. - Бронированный фонд

  бф - Научно-библиографический отдел

  БХЛ - Фонд художественной литературы

  ИИиА -Фонд исторической литературы в ЦНБ УрО РАН

  ИМЕТ -Отдел ЦНБ в Институте металлургии УрО РАН

  кх - Отдел фондов (книгохранениe)

  МБА - Межбиблиотечный абонемент

  мф - Методический фонд

  ок - Отдел научной каталогизации

  оку - Отдел комплектования и учета

  орф - Обменно-резервный фонд

  пф - Читальный зал деловой и патентной информации

  рк - Фонд редкой книги

  ч/з - Главный читальный зал

  эр - Зал электронных ресурсов

Сиглы библиотек институтов и НЦ УрО РАН

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)